NPN SILICON TRANSISTOR, EPITAXIAL TRANSISTOR NPN SILICIUM, EPITAXIAL *2N 914 - Low current fast switching Commutation rapide faible courant Maximum power dissipation Dissipation de puissance maximale Prot {w) 0,9 0,6 0,3 K Preferred device Dispositif recommand VcEo fr hoq,_(10 mA) 15V 30 - 120 300 MHz min. Case TO-18 -- See outline drawing CB-16 on last pages Voir dessin cot CB-16 dernidres pages Boitier cc ye 0 amb s m Weight : 0,32 g. Collector is connected to case 0 50 400 150 Tegsa (2) Masse Le collecteur est reli au bortier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES} T. =+25 C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION amb (Sauf indications contraires} Collector-base voltage Tension collecteur-base Voso 40 Vv Collector-emitter voltage Tension collecteur-metteur Ree < 102 VcER 20 Vv Collector-emitter voltage VcEO 15 Vv Tension collecteur-metteur Emitter-base voltage Tension metteur-base Veso 5 Vv Power dissipation Tamb= 25C (1) Prot 0,36 Ww Dissipation de puissance Toase= 25C (2) 1,2 Ww Junction temperature T. Temprature de jonction max j 200 C Storage temperature min T 65 c Temprature de stockage max stg +200 C 75-48 1/3 THOMSON-CSF See 115 *2N 914 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES Tamb = 25C (Uniess otherwise stated) (Sauf indications contraires) Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Veep = 20V cB le = 25 nA Coliector-base cut-off current _ I Courant rsiduel collecteur-base Ves =20V cBO 'e o= 15 HA Tomb = 150C Vee = 20V Collector-emitter cut-off current =0,25V Courant rsiduel collecteur-metteur VBE ' 'cEx 10 BA Tomb = 125C Varp =0 BE V(BR)CEX 40 V lo =1yA Collector-emitter breakdown voltage lo = 30 mA Vv ok Tension de claquage collecteur-metteur R BE <102 (BR}CER 20 v ! =0 B * ig = 30mA V(BRICEO 15 Vv Emitter-base breakdown voltage Ig =0 Vv Vv Tension da claquage metteur-base le =10pA (BR)EBO 5 Vor =1 30 120 Static forward current transfer ratio lo = 10 mA Valeur statique du rapport de transfert hoy & direct du courant Veg =5V 10 Ig =500mA Collector-emitter saturation voltage lq = 200mA Tension de saturation collecteur-6metteur Ip = 20mA VeEsat 0,4 0,7 v Base-emitter saturation voltage lo =1mA Tension de saturation base-metteur Ig = 10mA VBEsat 0,7 0,8 Vv DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux} =10 Transition frequency Voce _ 0 va fy 300 MHz Frquence de transition lo =20m f = 100 MHz Veg = 10 Vv Output capacitance I =0 Cc. . i E 22b 6 pF Capacit de sortie f = 1MHz Input capacitance Veg = 0.5V C 9 F Capacit dentre le =0 Tib pl f = 1MHz * Pulsed tp =200us 8 < 1% mpuisions 2/3 116 *on 914 SWITCHING CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DE COMMUTATION (Unless otherwise stated) (Saut indications contraires} Test conditions . Conditions de mesure Min. Typ. Max. Turn-on time . Temps total dtablissement Fig, 1) ig = 200mA tatt 40 ns |g, =40mA Turn-off time Fig. 1 Iga =20mA t+ tf 40 ns Temps total de coupure . le = 20mA Carrier storage time i I =20mA Retard & Is dcroissance Fig. 2 Bl m t 20 ns | = -20mA B2 SWITCHING TIMES TESTS CIRCUITS SCHEMAS DE MESURES DES TEMPS DE COMMUTATION Figure 1 0,1 BF 1kQ V2 v1 0,1 uF 200 2 Oscilloscope Generator ] Oscilloscope Gnrateur Z =502 Zz =502 t <1ns t <1ns [ 562 23 .Q _oV et ] 0 : x 0,1 uF1kQ v2 v1 0,1 pF 2152 Oscilloscope Generator Oscilloscope Gnrateur Z =502 Z =502 t <tns t. <1ns t ov LT v3 117