2007-12-07 1
200 7- 12- 0 7
GaAs Infrared Emitter
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
Version 1.0
LD 242
Features: Besondere Merkmale:
• Fabricated in a liquid phase epitaxy process • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
• Cathode is electrically connected to the case • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
• High reliability • Hohe Zuverlässigkeit
• Wide beam • Großer Öffnungskegel
• Same package as BP 103, BPX 63, SFH 464,
SFH 483
• Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63, SFH 464,
SFH 483
• DIN humidity caregory in acc. with DIN 40 040
GQG
• Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQC
Applications Anwendungen
• Photointerrupters • Lichtschranken
•Sensor technology •Sensorik
• Light curtains • Lichtgitter
Notes Hinweise
Depending on the mode of operation, these devices
emit highly concentrated non visible infrared light
which can be hazardous to the human eye. Products
which incorporate these devices have to follow the
safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC
62471.
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare
Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das
menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese
Bauteile enthalten, müssen gemäß den
Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und
62471 behandelt werden.
2007-12-07 2
Version 1.0 LD 242
Ordering Information
Bestellinformation
Maximum Ratings (TA = 25 °C)
Grenzwerte
Type: Radiant Intensity Ordering Code
Typ: Strahlstärke Bestellnummer
IF= 100 mA, tp= 20 ms
Ie [mW/sr]
LD 242 E7800 2.5 (1 ... 3.2) Q62703Q3509
LD 242-2/3 6 (≥ 4) Q62703Q4749
Note: Measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Anm:: Gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Operation and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Top; Tstg -40 ... 80 °C
Reverse voltage
Sperrspannung
VR5V
Forward current
Durchlassstrom
IF300 mA
Surge current
Stoßstrom
(tp ≤ 10 μs, D = 0)
IFSM 3A
Total power dissipation
Verlustleistung
Ptot 470 mW
Thermal resistance junction - ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung
RthJA 450 K / W
Thermal resistance junction - case
Wärmewiderstand Sperrschicht - Gehäuse
RthJC 160 K / W
Version 1.0 LD 242
2007-12-07 3
Characteristics (TA = 25 °C)
Kennwerte
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Emission wavelength
Zentrale Emissionswellenlänge
(IF = 100 mA, tp = 20 ms)
λpeak 950 nm
Spectral bandwidth at 50% of Imax
Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax
(IF = 100 mA, tp = 20 ms)
Δλ 55 nm
Half angle
Halbwinkel
ϕ± 40 °
Active chip area
Aktive Chipfläche
A0.25mm
2
Dimensions of active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
L x W 0.5 x 0.5 mm x
mm
Distance chip surface to lens top
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
H 0.3 ... 0.7 mm
Rise and fall time of Ie ( 10% and 90% of Ie max)
Schaltzeit von Ie ( 10% und 90% von Ie max)
(IF = 100 mA, RL = 50 Ω)
tr, tf1000 ns
Capacitance
Kapazität
(VR = 0 V, f = 1 MHz)
C040 pF
Forward voltage
Durchlassspannung
(IF = 100 mA, tp = 20 ms)
VF1.3 (≤ 1.5) V
Forward voltage
Durchlassspannung
(IF = 1 A, tp = 100 μs)
VF1.9 (≤ 2.5) V
Reverse current
Sperrstrom
(VR = 5 V)
IR0.01 (≤ 1) µA
Total radiant flux
Gesamtstrahlungsfluss
(IF= 100 mA, tp= 20 ms)
Φe16 mW
2007-12-07 4
Version 1.0 LD 242
Grouping (TA = 25 °C)
Gruppierung
Temperature coefficient of Ie or Φe
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe
(IF = 100 mA, tp = 20 ms)
TCI-0.55 % / K
Temperature coefficient of VF
Temperaturkoeffizient von VF
(IF = 100 mA, tp = 20 ms)
TCV-1.5 mV / K
Temperature coefficient of wavelength
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
(IF = 100 mA, tp = 20 ms)
TCλ0.3 nm / K
Group Min Radiant Intensity Max Radiant Intensity Typ Radiant Intensity
Gruppe Min Strahlstärke Max Strahlstärke Typ Strahlstärke
IF= 100 mA, tp= 20 ms IF= 100 mA, tp= 20 ms IF=1 A, tp=100 µs
Ie, min [mW / sr] Ie, max [mW / sr] Ie, typ [mW / sr]
LD 242-2 4 8 50
LD 242-3 6.3 75
LD 242 E7800 1 3.2
Note: Measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
LD 242 E7800: An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and
the half angle (diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4.0 mm). This
ensures that solely the radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated
during measurement of the radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not
be evaluated. These reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range
light reflection switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally
suppressed by apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides
more useful values. This aperture measurement is denoted by "E 7800" added to the type designation.
Anm.: Gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
LD 242 E7800: Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem
Bauteil (Durchmesser der Lochblende: 1,1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4,0 mm).
Dadurch wird sichergestellt, dass bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung
bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung
(vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei
Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z. B. Lichtschranken großer Reichweite). In
der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch
dieses der Anwendung entsprechende Messverfahren ergibt sich für die Anwender eine besser verwertbare
Größe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag "E 7800", der an die
Typenbezeichnung angehängt ist.
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Version 1.0 LD 242
2007-12-07 5
Relative Spectral Emission
Relative spektrale Emission
Irel = f(λ), TA = 25°C
Radiant Intensity
Strahlstärke
Ie / Ie(100 mA) = f(IF), single pulse, tp = 20 µs,
TA= 25°C
OHR01938
λ
rel
Ι
0880 920 960 1000
nm
1060
20
40
60
80
%
100
Ι
OHR01037
F
-1
10
10
0
1
10
2
10
10
-2 -1
10
0
10 A 10
1
Ι
e
Ι
e
(100 mA)
2007-12-07 6
Version 1.0 LD 242
Max. Permissible Forward Current
Max. zulässiger Durchlassstrom
IF= f(TA), TA = 25°C
Forward Current
Durchlassstrom
IF = f(VF), single pulse, tp = 100 µs, TA= 25°C
Permissible Pulse Handling Capability
Zulässige Pulsbelastbarkeit
IF = f(tp), TA = 25 °C, duty cycle D = parameter
T
OHR00971
A
0
F
Ι
020406080100
˚C
50
100
150
200
250
mA
300
,T
C
= 160 K/W
thJC
R
R
thJA
= 450 K/W
V
OHR01040
F
F
Ι
1
1
10
0
10
-1
10
10 -2
A
1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
typ. max.
V
τ
OHR01937
10 -5 s
10 2
Ι
F
mA
10 -4 10 -3 10 -2 10 0
10 3
10 4
5
5
DC
0.5
0.05
0.02
0.01
0.005
D =
0.1
F
Ι
T
P
t
=D
P
t
T
0.2
Version 1.0 LD 242
2007-12-07 7
Radiation Characteristics
Abstrahlcharakteristik
Irel = f(ϕ)
Package Outline
Maßzeichnung
Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch).
OHR01877
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
100
90
80
70
60
50
0
10203040
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
ø4.3 (0.169)
ø4.1 (0.161)
Chip position
3.6 (0.142)
3.0 (0.118)
2.54 (0.100)
spacing
GETY6625
1
14.5 (0.571)
12.5 (0.492)
ø0.45 (0.018)
2.7 (0.106)
0.9 (0.035)
1.1 (0.043)
0.9 (0.035)
1.1 (0.043)
ø5.5 (0.217)
ø5.2 (0.205)
2
2007-12-07 8
Version 1.0 LD 242
Pad Description
Pad Beschreibung
1Anode / Anode
2Cathode / Kathode
Package Metal Can (TO-18), hermetically sealed, Epoxy,
colourless, transparent
Gehäuse Metall Gehäuse (TO-18), hermetisch dicht, Harz,
farblos, durchsichtig
TTW Soldering
Wellenlöten (TTW)
IEC-61760-1 TTW / IEC-61760-1 TTW
Version 1.0 LD 242
2007-12-07 9
Disclaimer Disclaimer
Attention please!
The information describes the type of component and
shall not be considered as assured characteristics.
Terms of delivery and rights to change design reserved.
Due to technical requirements components may contain
dangerous substances.
For information on the types in question please contact
our Sales Organization.
If printed or downloaded, please find the latest version in
the Internet.
Packing
Please use the recycling operators known to you. We
can also help you – get in touch with your nearest sales
office.
By agreement we will take packing material back, if it is
sorted. You must bear the costs of transport. For
packing material that is returned to us unsorted or which
we are not obliged to accept, we shall have to invoice
you for any costs incurred.
Components used in life-support devices or
systems must be expressly authorized for such
purpose!
Critical components* may only be used in life-support
devices** or systems with the express written approval
of OSRAM OS.
*) A critical component is a component used in a
life-support device or system whose failure can
reasonably be expected to cause the failure of that
life-support device or system, or to affect its safety or the
effectiveness of that device or system.
**) Life support devices or systems are intended (a) to be
implanted in the human body, or (b) to support and/or
maintain and sustain human life. If they fail, it is
reasonable to assume that the health and the life of the
user may be endangered.
Bitte beachten!
Lieferbedingungen und Änderungen im Design
vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen
können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere
Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie
sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses
Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben,
finden Sie die aktuellste Version im Internet.
Verpackung
Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege.
Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich
bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen
das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart
wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die
Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das
unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht
annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden
Kosten in Rechnung.
Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und
Systemen eingesetzt werden, müssen für diese
Zwecke ausdrücklich zugelassen sein!
Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden
Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt
werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von
OSRAM OS vorliegt.
*) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in
lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen
eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu
einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates
oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder
Effektivität dieses Apparates oder Systems
beeinträchtigt.
**) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für
(a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder
(b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie
versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die
Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist.
Version 1.0 LD 242
2007-12-07 10
Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Leibnizstraße 4, D-93055 Regensburg
www.osram-os.com © All Rights Reserved.