Transistors NPN Planar pitaxiaux NPWH silicon transistors Epitaxial planar Planepox silicium 2N 2713 2N 2714 - Amplification BF ou HF LF or HF amplification - Commutation rapide Fast switching Dissipation de puissance maximale Maximum power dissipation Prot (mw) 150, 0 IN \ * Dispositif recommand Prefered device Donnes principales Principal features Vceo 18 V Ic 200 mA 30-90 2N 2713 hoae (2 21g {2 mA) {33 225 2N 2714 VoEsat (50 mA) 0,3 V max. Boitier plastique TO-98 Plastic case f | 8 50 ~ c o 25 50 75 100 tamb {c) Valeurs limites absolues d'utilisation 4 tash= 25C Absolute ratings (limiting values) Tension cotlecteur-base Vv, Collector-base voltage cBo 18 Vv Tension collecteur-metteur Collector-emitter voltage VcEeo 18 Vv Tension metteur-base Vv Emitter-base voltage EBO 5 v Courant collecteur Collector current Ic 200 mA Dissipation de puissance Power dissipation Prot 200 mw Temprature de fonctionnement Operating temperature max. toper + 100 C Temprature de stockage min. t ~ 55 Storage temperature max sig +125 c af. Sesmsen 1970-10 1/3 2N 2713 2N 2714 Caractristiques gnrales @ tam = 25C General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics (Sauf indications contraires} (Unless otherwise specified) le =0 1 Vope18 V cBO 0,5 | vA Courant rsiduel collecteur-base Collector-base cut-off current Ip =0 Vop=i8 V 'cBo 15 | BA tam 100C Courant rsiduel metteur-base I; =0 Emitter-base cut-off current Vean8 Vv 'EBo 0,5 ) BA 2N 2713 30 90 lo =2mA hoe Vop=4.5 V . 2N 2714 75 225 Valeur statique du rapport du transfert direct du courant Static forward current transfer ratio 2N 2713 70 Io =100 mA ho. Vce=5 V 21E 2N 2714 120 Tension de saturation collecteur-metteur Io =2mA ' Collector-emitter saturation voltage Vor =45V V CEsat 0,3 Vv Tension de saturation base-metteur Iq =100 mA Base-emitter saturation voltage VcE =5V VBEsat 0,6 1,3 Vv * Impulsions ty = 300us 6 < 2% Pulsed 2/3 2N 2713 2N 2714 Caractristiques gnrales 4 tam = 25C General characteristics Caractristiques de commutation Switching characteristics Paramtre Conditions de masure Min. | Typ. | Max, Parameter Test conditions Min...| Typ. | Max. . In * 50mA Retard a la croissance . c Delay time Figure 1 py =36mA ty 60 ns Temps de croissance . lo ~50mA Rise time Figure 1 Ip) 3.6 mA Ye 85 ns po 1 TO R lo * 50 mA etard a la dcroissance Fi Re Storage time Figure 1 131 * 3,6 mA ts 85 ns Igo -2,5 mA _ ___.. 7 T le = bOmA dcroissa . s&s Zemps de forolssance Figure 1 {g,~3,.6mA 1 40 ns po = -2,5mA Schma de mesure des temps de commutation Switching times test circuit Figure 1 '5us { et | t | ! ~ - Y_ Ay ; Qscilloscope ! Gnrateur seillascope avi Generator 1000 {2 -2,5V