NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA TRANSISTORS NPN SILICIUM, MESA DIFFUSES 2N 1936 2N 1937 - LF large signal amplification Amplification BF grands signaux - High current switching Commutation fort courant Dissipation: derating Variation de dissipation v 60V = 2N 1936 CEO 80V 2N 1937 Ic 204 Prot. 200 W Reh (j-c) eC/W max. ha1e (10a) 7-50 Case TO-63 See outline drawing CB-70 on last pages Boitier Voir dessin cot CB-70 dernires pages 100 Bottom view Cc | \ Vue de dessous 75 { | - | tS 50 t B ~ | 1 256 E Weight : 23,5 g. Collector is connected to case 50 100 150 + (c) Masse Le colfecteur est reli au boitier case ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) tease = 25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION (Sauf indications contraires. 2N 1936 2N 1937 Collector-base voltage Vepo 125 125 Vv Tension collecteur-base Collector-emitter voltage v Tension collecteur-metteur cEO 60 80 v Emitter-base voltage VeBo 6 6 Vv Tension metteur-base Collector current ce 20 20 A Courant colecteur Base current i Courant base B 10 10 A Power dissipation t = 26C Prot 200 200 W Dissipation de puissance case Junction temperature max t 200 200 C jprature de jonction Storage temperature min ter 65 65 C Temprature de stockage max 9 +200 +200 C THOMSON - CSF OVISION SEMICONDUCTEURS, 74-11 1/3 241 2N 1936, 2N 1937 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tease = 25C (Unless otherwise stated) {Sauf indications contraires) Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Collector-emitter cut-off current Vop =50V i 6 mA Courant rsiduel collecteur-metteur Ig =O CEO Veg = 120V 10 mA Vee =-1V Vege =60V Voce =r N 1936 4 Collector-emitter cut-off current BE =1 V loex aN 19 9 mA Courant rsiduel collecteur-metteur lease = 150C Vee = 80V Vee =71 v 2N 1937 10 mA tease = 160C Emitter-base cut-off current Veg =6V i 1 mA Courant rsiduel metteur-base c =0 EBO Collector-emitter breakdown voltage Ic = 200 mA Vv x | 2N 1936 60 V Tension de claquage collecteur-metteur Ip = (BR)CEO | 2N 1937 80 Vor =3V 12 75 le = 1A Voe = 3V 7 50 lo =10A Static forward current transfer ratio h x Valeur statique du rapport de transfert Vv =10V 21E direct du courant cE 10 50 Io =10A Veg =10V Ip =10A 6 toase = 99C Collector-emitter saturation voltage lo = A Voge * 0,75 Vv Tension de saturation collecteur-6metteur Ip =1,6A sat i i rn =tl0A Base-emitter saturation voltage lo = * Tension de saturation base-metteur Ig = 164A VBEsat 15 v Base-emitter voitage Vee =3V Vee * 1,25 Vv Tension base-metteur I, =10A * Pulsed impulsions ty = 300 us <2% 2/3 242 2N 1936, 2N 1937 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) t = 25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux} case {Sauf indications contraires} Test conditions : Conditions de mesure Min. Typ. Max. . Voce =10V Forward current transfer ratio \ 1A 15 90 Rapport de transfert direct du courant c = Note f =1kHz Vce = 10V Transition frequency I =1A f 4 MHz Frquence de transition c T f = 1 MHz 6 / Veg = 10 Vv t capacit = Quipus capacitor le =0A Crap 1800 oF : f = 1MHz THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance Reng. ) 1 C/W Rsistance thermique (jonction-boitier} ye 3/3 243