FIELD-EFFECT TRANSISTOR, SILICON. N CHANNEL TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP, SILICIUM. CANAL N *2N 3966 - Switching Commutation - Chopper Dcoupeur Maximum power dissipation Dissipation de puissance maximale Pp 2K Preferred device Dispositif recommand Ipss 2mA min. Vesotf 46V lpsx 1nA max. "ds on 220 2 max. Case TO-72 See outline drawing CB-4 on last pages Bojtier Voir dessin cot CB-4 dernires pages tot (mw Bottom view 300 Vue de dessous \ M 1 NN, 200 J G C3 s t N\ D 100 } | N\ | Weight : 0,7 g. Connection M is connected to case 0 50 100, 150 Ta (C) Masse La connexion M est relie au boltier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) T. =+25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION amb (Sauf indications contraires) Drain-source voltage Tension drain-source. Vos 30 v Gate-source voltage Vv _ Tension grille-source Gs 30 v Gate-drain voltage Vv _ Tension grille-drain GD 30 Vv Gate current I 10 mA Courant de grille G Power dissipation Dissipation de puissance Prot 300 mw Junction temperature T; , Temprature de fonction max. j 200 c Storage temperature min. Tot 55 C Temprature da stockage max. g +200 C 75-46 1/6 THOMSON-CSF DISON. SEMOONDUCTEURS 779 2N 3966 STATIC CHARACTERISTICS T =25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES amb (Saut indications contraires) Test conditions ; Conditions de mesure Min. Typ. Max. Van = -20V ln = 0 'epo -0,1 nA Gate current Courant de grille Vep = 720 V Ig =O , 'gp0 200 nA Tamb = 150C Total gate leakage current Veg = ~20V _ Courant de fulte total oe gritie Vps = 0 'gss 0,1 nA Ving = 0 Gate-source breakdown voltage bs _ Tension de clequage grille-source Ig = THA Viar)Gss 30 v Vv 10V Ves a =7V psx 1 nA Drain cut-off current Courant rsiduel de drain Vo5 = 10V Ves = 77 V 'psx 2 LA Tamb = 160C : Vine * 20V Drain current Ds Iment Courant de drain Ves =Q DSS 2 mA Gate-source cut-off vottage Vos = 10V . . Tension grilie-source de blocage Ip = 10nA Vs off 4 6 Vv : Vag = 0 Drain-source saturation voltage Gs Tension de saturation drain-source 'p = 1mA Vos sat 0,26 Vv Pulsed 5 < 300m 58 impulsion ? us <2% 2/6 780 2N 3966 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) T =25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) amb (Sauf indications contraires) Test conditions ; Conditions de mesure Min. Typ. Max. 0 drai ist Vas =0 n-state drain-source resistance Rsistance drain-source & Itat passant Ip =0 "ds on 220 Q f = 1kHz Ves =9 f =1MbHz Crtss (6*} pF (Vog = 20V*) Input capacitance Capacit dentre Ves =0 f = 1 MHz Criss 9 pF Vos = 0 R f Vos = everse transfer capacitance = _ Capacit de transfert inverse Ves = 7 Crass 16 pF f = 1MHz SWITCHING CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DE COMMUTATION Turn-on delay time t, Retard a /a croissance d(on) 20 ns Vesx =~8V Rise time Vas on Temps de croissance Yoo =15V t 100 ns 'b on = 1mA RAL = 1,25 kQ Turn-off time t Temps total de dcroissance off 100 ns # Indicates JEDEC registred data Vateurs dorigine JEDEC pour information 3/5 781 2N 3966 SWITCHING TIMES TESTS CIRCUITS SCHEMAS DE MESURES DES TEMPS DE COMMUTATION R 1 uF Generator L Ft Gnrateur 1 v2 | v1 9_9->+ LN? awe Oscilloscope Zo = 502 v"1 Oscilloscope t < Ins + < ins |_| 1 ] S\ Z, =500 iy = Tus $0 2 kQ 600 t, <10ns = 50% C, <10 pF q Q Yoo 1 pF | | ] wr b vi 4 ov 90 % Vesx = -6V 50 % 10 % v'1 = GSX 41 t % v2 4 tott ton tatoff) te tdton) r = Vop 10 % Ib on 1A Ion 282_| 0 * ov 4/5 782 2N 3966 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES l "ds Do (mA} ko) a 10! 2 0 1 10 10, 6 4a 10 2 -2 0 10 10, 6 103 2 10% 10"1 0 1 2 3 4 5 6 7 -VggivI 0 2 4 6-VgglV) Ds on oss ess (a) imA} (nA) 5 2 250 25 10 6 DS on 1 2 OSS i 200) ~ y 20 10 a WA, 5 A 2 q -2 150 <I 15 10 ss 5 J . Yo 2 100 4 10 103 0 50 100 150 7c) 0 50 100 150 ee) 6/5 783