Semiconductor Components Industries, LLC, 2000
March, 2000 – Rev. 8 1Publication Order Number:
MC74HC74A/D
MC74HC74A
Dual D Flip-Flop with Set
and Reset
High–Performance Silicon–Gate CMOS
The MC74HC74A is identical in pinout to the LS74. The device
inputs are compatible with standard CMOS outputs; with pullup
resistors, they are compatible with LSTTL outputs.
This device consists of two D flip–flops with individual Set, Reset,
and Clock inputs. Information at a D–input is transferred to the
corresponding Q output on the next positive going edge of the clock
input. Both Q and Q outputs are available from each flip–flop. The Set
and Reset inputs are asynchronous.
Output Drive Capability: 10 LSTTL Loads
Outputs Directly Interface to CMOS, NMOS, and TTL
Operating Voltage Range: 2.0 to 6.0 V
Low Input Current: 1.0 µA
High Noise Immunity Characteristic of CMOS Devices
In Compliance with the Requirements Defined by JEDEC Standard
No. 7A
Chip Complexity: 128 FETs or 32 Equivalent Gates
LOGIC DIAGRAM
RESET 1
DATA 1
CLOCK 1
SET 1
RESET 2
DATA 2
CLOCK 2
SET 2
1
2
3
4
13
12
11
10
5
6
9
8
Q1
Q1
Q2
Q2
PIN 14 = VCC
PIN 7 = GND
FUNCTION TABLE
Inputs Outputs
Set Reset Clock Data Q Q
LH XX HL
HL XX LH
L L X X H* H*
HH H HL
HH L LH
H H L X No Change
H H H X No Change
H H X No Change
*Both outputs will remain high as long as Set and Reset are low, but the output
states are unpredictable if Set and Reset go high simultaneously.
Device Package Shipping
ORDERING INFORMATION
MC74HC74AN PDIP–14 2000 / Box
MC74HC74AD SOIC–14
http://onsemi.com
55 / Rail
MC74HC74ADR2 SOIC–14 2500 / Reel
MARKING
DIAGRAMS
A = Assembly Location
WL or L = W afer Lot
YY or Y = Year
WW or W = Work Week
MC74HC74ADT TSSOP–14 96 / Rail
MC74HC74ADTR2 TSSOP–14 2500 / Reel
TSSOP–14
DT SUFFIX
CASE 948G
HC
74A
ALYW
1
14
1
14
PDIP–14
N SUFFIX
CASE 646 MC74HC74AN
AWLYYWW
SOIC–14
D SUFFIX
CASE 751A
1
14
HC74A
AWLYWW
PIN ASSIGNMENT
SET 1
CLOCK 1
DATA 1
RESET 1
11
12
13
14
8
9
105
4
3
2
1
7
6
SET 2
CLOCK 2
DATA 2
RESET 2
VCC
Q2
Q2
GND
Q1
Q1
MC74HC74A
http://onsemi.com
2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Parameter
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Value
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
– 0.5 to + 7.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vin
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Input Voltage (Referenced to GND)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
– 0.5 to VCC + 0.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vout
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Output Voltage (Referenced to GND)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
– 0.5 to VCC + 0.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Iin
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Input Current, per Pin
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
±20
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Iout
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Output Current, per Pin
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
±25
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Supply Current, VCC and GND Pins
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
±50
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mA
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP†
SOIC Package†
TSSOP Package†
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
750
500
450
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mW
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Tstg
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Temperature
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
– 65 to + 150
ÎÎÎ
ÎÎÎ
_
C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
(Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
260
300
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
_
C
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
Functional operation should be restricted to the Recommended Operating Conditions.
Derating Plastic DIP: – 10 mW/
_
C from 65
_
to 125
_
C
SOIC Package: – 7 mW/
_
C from 65
_
to 125
_
C
TSSOP Package: – 6.1 mW/
_
C from 65
_
to 125
_
C
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Parameter
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎ
ÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
ÎÎÎ
ÎÎÎ
2.0
ÎÎ
ÎÎ
6.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vin, Vout
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
ÎÎÎ
ÎÎÎ
0
ÎÎ
ÎÎ
VCC
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating Temperature, All Package Types
ÎÎÎ
ÎÎÎ
– 55
ÎÎ
ÎÎ
+ 125
ÎÎÎ
ÎÎÎ
_
C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Input Rise and Fall T ime VCC = 2.0 V
(Figures 1, 2, 3) VCC = 3.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
0
0
0
0
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
1000
600
500
400
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ns
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Parameter
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Test Conditions
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
VCC
V
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
– 55 to
25
_
C
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
v
85
_
C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
v
125
_
C
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Unit
ÎÎ
ÎÎ
VIH
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Minimum High–Level Input
Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V
|Iout|
v
20 µA
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.5
2.1
3.15
4.2
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
1.5
2.1
3.15
4.2
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.5
2.1
3.15
4.2
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
V
ÎÎ
ÎÎ
VIL
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Low–Level Input
Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V
|Iout|
v
20 µA
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.5
0.9
1.35
1.8
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
0.5
0.9
1.35
1.8
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.5
0.9
1.35
1.8
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
V
ÎÎ
ÎÎ
VOH
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Minimum High–Level Output
Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout|
v
20 µA
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.0
4.5
6.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.9
4.4
5.9
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
1.9
4.4
5.9
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.9
4.4
5.9
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
V
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin = VIH or VIL |Iout|
v
2.4 mA
|Iout|
v
4.0 mA
|Iout|
v
5.2 mA
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
3.0
4.5
6.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.48
3.98
5.48
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
2.34
3.84
5.34
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.2
3.7
5.2
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
This device contains protection
circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
fields. However, precautions must
be taken to avoid applications of any
voltage higher than maximum rated
voltages to this high–impedance cir-
cuit. For proper operation, Vin and
Vout should be constrained to the
range GND
v
(Vin or V out)
v
VCC.
Unused inputs must always be
tied to an appropriate logic voltage
level (e.g., either GND or VCC).
Unused outputs must be left open.
MC74HC74A
http://onsemi.com
3
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCC
V
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Test Conditions
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Parameter
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
v
125
_
C
ÎÎÎ
ÎÎÎ
v
85
_
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
– 55 to
25
_
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCC
V
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Test Conditions
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Parameter
Symbol
ÎÎ
ÎÎ
VOL
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Low–Level Output
Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout|
v
20 µA
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.0
4.5
6.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.1
0.1
0.1
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
0.1
0.1
0.1
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.1
0.1
0.1
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
V
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin = VIH or VIL |Iout|
v
2.4 mA
|Iout|
v
4.0 mA
|Iout|
v
5.2 mA
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
3.0
4.5
6.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.26
0.26
0.26
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
0.33
0.33
0.33
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.4
0.4
0.4
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎ
Iin
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Input Leakage
Current
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin = VCC or GND
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
6.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
±0.1
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
±1.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
±1.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
µA
ICC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Quiescent Supply
Current (per Package)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin = VCC or GND
Iout = 0 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
6.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
20
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µA
NOTE:Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book
(DL129/D).
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Parameter
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
VCC
V
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
– 55 to
25
_
C
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
v
85
_
C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
v
125
_
C
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
fmax
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Clock Frequency (50% Duty Cycle)
(Figures 1 and 4)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
6.0
15
30
35
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
4.8
10
24
28
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
4.0
8.0
20
24
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
MHz
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
tPLH,
tPHL
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Clock to Q or Q
(Figures 1 and 4)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
100
75
20
17
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
125
90
25
21
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
150
120
30
26
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ns
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
tPLH,
tPHL
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Set or Reset to Q or Q
(Figures 2 and 4)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
105
80
21
18
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
130
95
26
22
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
160
130
32
27
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ns
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
tTLH,
tTHL
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Output T ransition Time, Any Output
(Figures 1 and 4)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
75
30
15
13
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
95
40
19
16
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
110
55
22
19
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Cin
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Input Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
10
ÎÎÎ
ÎÎÎ
10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
10
ÎÎÎ
ÎÎÎ
pF
NOTE: For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the ON
Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).
Typical @ 25°C, VCC = 5.0 V
CPD Power Dissipation Capacitance (Per Flip–Flop)* 32 pF
*Used to determine the no–load dynamic power consumption: PD = CPD VCC2f + ICC VCC. For load considerations, see Chapter 2 of the
ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).
MC74HC74A
http://onsemi.com
4
TIMING REQUIREMENTS (Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Parameter
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCC
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
– 55 to
25
_
C
ÎÎÎ
ÎÎÎ
v
85
_
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
v
125
_
C
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
tsu
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Minimum Setup Time, Data to Clock
(Figure 3)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
80
35
16
14
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
100
45
20
17
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
120
55
24
20
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ns
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
th
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Minimum Hold Time, Clock to Data
(Figure 3)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
3.0
3.0
3.0
3.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
3.0
3.0
3.0
3.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
3.0
3.0
3.0
3.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ns
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
trec
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Minimum Recovery T ime, Set or Reset Inactive to Clock
(Figure 2)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
8.0
8.0
8.0
8.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
8.0
8.0
8.0
8.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
8.0
8.0
8.0
8.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ns
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
tw
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Minimum Pulse Width, Clock
(Figure 1)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
60
25
12
10
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
75
30
15
13
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
90
40
18
15
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ns
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
tw
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Minimum Pulse Width, Set or Reset
(Figure 2)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
60
25
12
10
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
75
30
15
13
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
90
40
18
15
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ns
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Input Rise and Fall T imes
(Figures 1, 2, 3)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1000
800
500
400
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
1000
800
500
400
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1000
800
500
400
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ns
MC74HC74A
http://onsemi.com
5
SWITCHING WAVEFORMS
Figure 1.
Figure 2.
50%
50%
50%
50%
VCC
VCC
GND
GND
SET OR
RESET
Q OR Q
Q OR Q
CLOCK
tPLH
tPHL
50%
DATA
CLOCK
VCC
VCC
GND
Figure 3.
VALID
GND
tsu th
trec
tw
EXPANDED LOGIC DIAGRAM
SET
DATA
RESET
4, 10
2, 12
1, 13
CLOCK 3, 11
5, 9
6, 8
Q
Q
*Includes all probe and jig capacitance
CL*
TEST POINT
DEVICE
UNDER
TEST
OUTPUT
Figure 4.
1/fmax
CLOCK
Q or Q
tftrVCC
GND
90%
50%
10%
90%
50%
10%
tPLH tPHL
tTLH tTHL
tw
50%
MC74HC74A
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
PDIP–14
N SUFFIX
CASE 646–06
ISSUE L NOTES:
1. LEADS WITHIN 0.13 (0.005) RADIUS OF TRUE
POSITION AT SEATING PLANE AT MAXIMUM
MATERIAL CONDITION.
2. DIMENSION L TO CENTER OF LEADS WHEN
FORMED PARALLEL.
3. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE MOLD
FLASH.
4. ROUNDED CORNERS OPTIONAL.
17
14 8
B
A
F
HG D K
C
N
L
J
M
SEATING
PLANE
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERSINCHES
A0.715 0.770 18.16 19.56
B0.240 0.260 6.10 6.60
C0.145 0.185 3.69 4.69
D0.015 0.021 0.38 0.53
F0.040 0.070 1.02 1.78
G0.100 BSC 2.54 BSC
H0.052 0.095 1.32 2.41
J0.008 0.015 0.20 0.38
K0.115 0.135 2.92 3.43
L0.300 BSC 7.62 BSC
M0 10 0 10
N0.015 0.039 0.39 1.01
____
SOIC–14
D SUFFIX
CASE 751A–03
ISSUE F NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSIONS A AND B DO NOT INCLUDE
MOLD PROTRUSION.
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006)
PER SIDE.
5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE 0.127 (0.005) TOTAL
IN EXCESS OF THE D DIMENSION AT
MAXIMUM MATERIAL CONDITION.
–A–
–B–
G
P7 PL
14 8
71 M
0.25 (0.010) B M
S
B
M
0.25 (0.010) A S
T
–T–
F
RX 45
SEATING
PLANE D14 PL K
C
J
M
_
DIM MIN MAX MIN MAX
INCHESMILLIMETERS
A8.55 8.75 0.337 0.344
B3.80 4.00 0.150 0.157
C1.35 1.75 0.054 0.068
D0.35 0.49 0.014 0.019
F0.40 1.25 0.016 0.049
G1.27 BSC 0.050 BSC
J0.19 0.25 0.008 0.009
K0.10 0.25 0.004 0.009
M0 7 0 7
P5.80 6.20 0.228 0.244
R0.25 0.50 0.010 0.019
____
MC74HC74A
http://onsemi.com
7
PACKAGE DIMENSIONS
TSSOP–14
DT SUFFIX
CASE 948G–01
ISSUE O
DIM MIN MAX MIN MAX
INCHESMILLIMETERS
A4.90 5.10 0.193 0.200
B4.30 4.50 0.169 0.177
C––– 1.20 ––– 0.047
D0.05 0.15 0.002 0.006
F0.50 0.75 0.020 0.030
G0.65 BSC 0.026 BSC
H0.50 0.60 0.020 0.024
J0.09 0.20 0.004 0.008
J1 0.09 0.16 0.004 0.006
K0.19 0.30 0.007 0.012
K1 0.19 0.25 0.007 0.010
L6.40 BSC 0.252 BSC
M0 8 0 8
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION A DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH,
PROTRUSIONS OR GATE BURRS. MOLD FLASH
OR GATE BURRS SHALL NOT EXCEED 0.15
(0.006) PER SIDE.
4. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE INTERLEAD
FLASH OR PROTRUSION. INTERLEAD FLASH OR
PROTRUSION SHALL NOT EXCEED
0.25 (0.010) PER SIDE.
5. DIMENSION K DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE 0.08 (0.003) TOTAL IN
EXCESS OF THE K DIMENSION AT MAXIMUM
MATERIAL CONDITION.
6. TERMINAL NUMBERS ARE SHOWN FOR
REFERENCE ONLY.
7. DIMENSION A AND B ARE TO BE DETERMINED
AT DATUM PLANE –W–.
____
S
U0.15 (0.006) T
2X L/2
S
U
M
0.10 (0.004) V S
T
L–U–
SEATING
PLANE
0.10 (0.004)
–T–
ÇÇ
ÇÇ
SECTION N–N
DETAIL E
JJ1
K
K1
ÉÉ
ÉÉ
DETAIL E
F
M
–W–
0.25 (0.010)
8
14
7
1
PIN 1
IDENT.
H
G
A
D
C
B
S
U0.15 (0.006) T
–V–
14X REFK
N
N
MC74HC74A
http://onsemi.com
8
ON Semiconductor and are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes
without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty , representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular
purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability,
including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “T ypicals” must be
validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.
SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body , or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or
death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold
SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable
attorney fees arising out of, directly or indirectly , any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim
alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Af firmative Action Employer.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
CENTRAL/SOUTH AMERICA:
Spanish Phone: 303–308–7143 (Mon–Fri 8:00am to 5:00pm MST)
Email: ONlit–spanish@hibbertco.com
ASIA/PACIFIC: LDC for ON Semiconductor – Asia Support
Phone: 303–675–2121 (Tue–Fri 9:00am to 1:00pm, Hong Kong T ime)
Toll Free from Hong Kong & Singapore:
001–800–4422–3781
Email: ONlit–asia@hibbertco.com
JAPAN: ON Semiconductor , Japan Customer Focus Center
4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–8549
Phone: 81–3–5740–2745
Email: r14525@onsemi.com
ON Semiconductor Website : http://onsemi.com
For additional information, please contact your local
Sales Representative.
MC74HC74A/D
NORTH AMERICA Literature Fulfillment:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver , Colorado 80217 USA
Phone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada
Email: ONlit@hibbertco.com
Fax Response Line: 303–675–2167 or 800–344–3810 Toll Free USA/Canada
N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada
EUROPE: LDC for ON Semiconductor – European Support
German Phone: (+1) 303–308–7140 (M–F 1:00pm to 5:00pm Munich T ime)
Email: ONlit–german@hibbertco.com
French Phone: (+1) 303–308–7141 (M–F 1:00pm to 5:00pm Toulouse Time)
Email: ONlit–french@hibbertco.com
English Phone: (+1) 303–308–7142 (M–F 12:00pm to 5:00pm UK Time)
Email: ONlit@hibbertco.com
EUROPEAN TOLL–FREE ACCESS*: 00–800–4422–3781
*Available from Germany, France, Italy, England, Ireland