SFH481-2/3 - OSRAM GmbH - Datasheet.Live

SFH 480

GaAlAs-Lumineszenzdioden (880 nm)

GaAlAs Infrared Emitters (880 nm)

SFH 481 SFH 482

2001-10-01 1

SFH 480, SFH 481, SFH 482

Wesentliche Merkmale

• Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren

• Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden

verbunden

• Hohe Zuverlässigkeit

• Gute spektrale Anpassung an

Si-Fotoempfänger

• Hermetisch dichtes Metallgehäuse

• SFH 480: Gehäusegleich mit SFH 216

• SFH 481: Gehäusegleich mit BPX 43

• SFH 482: Gehäusegleich mit BPX 38, BPX 65

Anwendungen

• Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

• IR-Gerätefernsteuerungen

• Sensorik

• Lichtgitter

Features

• GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in a

liquid phase epitaxy process

• Anode is electrically connected to the case

• High reliability

• Matches all Si-Photodetectors

• Hermetically sealed package

• SFH 480: Same package as SFH 216

• SFH 481: Same package as BPX 43

• SFH 482: Same package as BPX 38, BPX 65

Applications

• Photointerrupters

• IR remote control of various equipmet

• Sensor technology

• Light-grille barrier

2001-10-01 2

SFH 480, SFH 481, SFH 482

Typ

Type Bestellnummer

Ordering Code Gehäuse

Package

SFH 480 Q62703-Q1087 18 A3 DIN 41876 (TO-18), Anschlüsse im 2.54-mm-Raster

(1/10’’), Kathodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden

18 A3 DIN 41876 (TO-18), lead spacing 2.54 mm (1/10’’),

cathode marking: projection at package

SFH 480-2/3 Q62703-Q5195

SFH 481 Q62703-Q1088

SFH 481-1/2 Q62703-Q4752

SFH 481-2/3 Q62703-Q4753

SFH 482 Q62703-Q1089

SFH 482-1/2 Q62703-Q4771

SFH 482-2/3 Q62703-Q4754

SFH 482-M E7800 Q62703-Q2186

SFH 480, SFH 481, SFH 482

2001-10-01 3

Grenzwerte (TC = 25 °C)

Maximum Ratings

Bezeichnung

Parameter Symbol

Symbol Wert

Value Einheit

Unit

Betriebs- und Lagertemperatur

Operating and storage temperature range

SFH 480, SFH 482

Top; Tstg – 40 …+ 125 °C

Betriebs- und Lagertemperatur

Operating and storage temperature range

SFH 481

Top; Tstg – 40 …+ 100 °C

Sperrschichttemperatur

Junction temperature Tj100 °C

Sperrspannung

Reverse voltage VR5V

Durchlaßstrom

Forward current IF200 mA

Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0

Surge current IFSM 2.5 A

Verlustleistung

Power dissipation Ptot 470 mW

Wärmewiderstand

Thermal resistance RthJA

RthJC

450

160 K/W

K/W

Kennwerte (TA = 25 °C)

Characteristics

Bezeichnung

Parameter Symbol

Symbol Wert

Value Einheit

Unit

Wellenlänge der Strahlung

Wavelength at peak emission

IF = 100 mA

λpeak 880 nm

Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax

Spectral bandwidth at 50% of Imax

IF = 100 mA

∆λ 80 nm

Abstrahlwinkel

Half angle

SFH 480

SFH 481

SFH 482

± 6

± 15

± 30 Grad

deg.

2001-10-01 4

SFH 480, SFH 481, SFH 482

Aktive Chipfläche

Active chip area A0.16 mm2

Abmessungen der aktiven Chipfläche

Dimension of the active chip area L×B

L×W0.4 ×0.4 mm

Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel

Distance chip front to lens top

SFH 480

SFH 481

SFH 482

4.0 …4.8

2.8 …3.7

2.1 …2.7

Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90%

auf 10%, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω

Switching tim es, Ιe from 10% to 90% and from

90% to 10%, IF = 100 mA, RL = 50 Ω

tr, tf0.6/0.5 µs

Kapazität

Capacitance

VR = 0 V, f = 1 MHz

Co25 pF

Durchlaßspannung

Forward voltage

IF = 100 mA, tp = 20 ms

IF = 1 A, tp = 100 µsVF

1.50 (≤ 1.8)

2.4 (< 3.0) V

Sperrstrom,

Reverse current

VR = 5 V

IR0.01 (≤ 1) µA

Gesamtstrahlungsfluß

Total radiant flux

IF = 100 mA, tp = 20 ms

Φe12 mW

Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,

IF = 100 mA

Temperature coefficient of Ie or Φe,

IF = 100 mA

TCI– 0.5 %/K

Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA

Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TCV– 2mV/K

Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA

Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA TCλ+ 0.25 nm/ K

Kennwerte (TA = 25 °C)

Characteristics (cont’d)

Bezeichnung

Parameter Symbol

Symbol Wert

Value Einheit

Unit

SFH 480, SFH 481, SFH 482

2001-10-01 5

Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung

gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr

Grouping of Radiant Intensity Ie in Axial Direction

at a solid angle of Ω = 0.01 sr

Bezeichnung

Parameter Symbol

Symbol Wert

Value Einheit

Unit

SFH

480-2 SFH

480-3 SFH

481 SFH

481-1 SFH

481-2

Strahlstärke

Radiant intensity

IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie min

Ie max

> 40

–> 63

–≥ 10

–10

20 16

–mW/sr

mW/sr

Strahlstärke

Radiant intensity

IF = 1 A, tp = 100 µsIe typ.540 630 220 130 220 mW/sr

Bezeichnung

Parameter Symbol

Symbol Wert

Value Einheit

Unit

SFH

482 SFH

482-1 SFH

482-2 SFH

482-3 SFH

482-M

E 78001)

1) Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der

Lochblende: 2.0 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 5.4 mm). Dadurch wird sichergestellt, daβ bei der

Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche

austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese

Reflexio nen s ind bes onders bei Abb ildungen der Ch ipoberf läche über Zus atzoptiken störend (z.B. Lichtschranken

groβer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden

unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Meβverfahren ergibt sich für den Anwender eine besser

verwertbare Gröβe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag „E 7800“, der an die

Typenbezeichnun g angehängt ist.

1) An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter

of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the radiation in axial

direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity.

Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection

of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the

component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure

corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by “E 7800”

added to the type designation.

Strahlstärke

Radiant intensity

IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie min

Ie max

≥ 3.15

–3.15

6.3 5

10 8

–1.6 ... 3.2

–mW/sr

mW/sr

Strahlstärke

Radiant intensity

IF = 1 A, tp = 100 µsIe typ.–40 65 80 –mW/sr

2001-10-01 6

SFH 480, SFH 481, SFH 482

Radiation Characteristics, SFH 480 Irel = f (ϕ)

Radiation Characteristics, SFH 481 Irel = f (ϕ)

Radiation Characteristics, SFH 482 Irel = f (ϕ)

OHR01888

02040 60 80 100 1200.40.60.81.0

100

10203040

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

OHR01889

02040 60 80 100 1200.40.60.81.0

100

10203040

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

OHR01890

02040 60 80 100 1200.40.60.81.0

100

10203040

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

SFH 480, SFH 481, SFH 482

2001-10-01 7

Relati ve Sp ectral Emission

Irel = f (λ)

Forward Cu rrent, IF = f (VF)

Single pulse, tp = 20 µs

750

Ιrel

OHR00877

800 850 900 950 nm 1000

100

OHR01173

-3

-2

-1

1 2 3 4 5

Radiant Intensity

Single pulse , tp = 20 µs

Permissible Pulse Handling

Capability IF = f (τ), TC = 25 °C,

duty cycle D = parameter

Ie 100 mA = f (IF)

OHR00878

Ιe

-3

-2

-1

10 101102104

(100mA)

OHR00948

-5

-4

-3

-2

-1

0.2

0.5

0.1

0.005

0.01

0.02

0.05

Max. Permissible Forward Current

SFH 481, IF = f (TA, TC)

Max. Permissible Forward Current

SFH 480, SFH 482,

IF = f (TA, TC)

OHR00946

020 40 60 80 100

˚C

120

160

200

240

= 450 K/W

thJA

thJC

= 160 K/W

OHR00396

˚C

120

160

200

240

,TC

= 450 K/W

thJA

RthJC = 160 K/W

20 40 60 80 100 130

2001-10-01 8

SFH 480, SFH 481, SFH 482

Maßzeichnung

Package Outlines

Maße werden wi e fo lgt angegeben: mm (inch) / Dimensio ns are s pecified as follow s: m m (inc h).

ø5.6 (0.220)

ø5.3 (0.209)

2.54 (0.100)

spacing

ø0.45 (0.018)

Cathode (SFH 480)

2.7 (0.106)

14.5 (0.571)

12.5 (0.492)

5.3 (0.209)

5.0 (0.197)

ø4.8 (0.189)

ø4.6 (0.181)

GEOY6314

7.4 (0.291)

6.6 (0.260)

0.9 (0.035)

1.1 (0.043)

0.9 (0.035)

Anode

Radiant

Sensitive area

Chip position (SFH 216, SFH 400)

SFH 480

5.3 (0.209)

5.0 (0.197) 6.4 (0.252)

5.6 (0.220)

ø4.8 (0.189)

glass

lens

welded

Anode

Cathode = SFH 481

= SFH 401

GETY6091

(package)

ø4.6 (0.181)

1.1 (0.043)

0.9 (0.035)

1.1 (0.043)

ø5.3 (0.209)

ø5.6 (0.220)

spacing

2.54 (0.100)

ø0.45 (0.018)

(2.7 (0.106)) Chip position

12.5 (0.492)

14.5 (0.571)

SFH 481

5.5 (0.217)

5.0 (0.197)

ø5.3 (0.209)

ø5.0 (0.197)

GETY6013

Chip position

Cathode (SFH 402, BPX 65)

Anode (SFH 482)

0.9 (0.035)

1.1 (0.043)

0.9 (0.035)

1.1 (0.043)

ø5.3 (0.209)

ø5.6 (0.220)

2.54 (0.100)

spacing

14.5 (0.571)

12.5 (0.492)

ø4.6 (0.181)

ø4.8 (0.189)

sensitive area

Radiant

(2.7 (0.106))

ø0.45 (0.018)

SFH 482

SFH 480, SFH 481, SFH 482

2001-10-01 9

Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG

Wernerwerkstrasse 2, D-93049 Regensburg

Attention please!

The inform at ion describe s the type of compon ent and shall not be considered as assur ed c haracteristics.

Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain

dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization.

Packing

Please use the recyc ling operat ors known t o you. We can also help y ou – get in touch wit h your near est sales offic e.

By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing

material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs

incurred.

Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical

components 1 may only be us ed in life-support dev ic es or sys t ems 2 with the express written approval of OSRAM OS.

1 A critical c omponent is a compone nt used i n a life -support device or system whose failure ca n reaso nably be expected

to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system.

2 Life sup port device s or syst ems ar e int ended (a ) to b e imp lanted in t he hu man body , or ( b) to supp ort a nd/or main tain

and sust ain human life. If th ey fail , it is rea so nable to assume th at the health of the user may be endangered.