Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T430N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hochstzulassige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwarts- und Ruckwarts-Spitzensperrspannung Tvj = -40C... Tvj max enndaten repetitive peak forward off-state and reverse voltages VDRM,VRRM 1200 1400 1600 V 1800 V Vorwarts-Stossspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage VDSM 1200 1400 1600 V 1800 V VRSM 1300 1500 1700 V 1900 V = -40C... T ElektrischeT Eigenschaften vj Ruckwarts-Stossspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage vj max Tvj = +25C... Tvj max Durchlassstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current ITRMSM 700 A Dauergrenzstrom average on-state current TC = 85 C ITAVM 433 A Dauergrenzstrom average on-state current TC = 55 C, = 180sin, tP = 10 ms ITAVM 620 A ITRMS 970 A 5200 A 4600 A Durchlastrom-Effektivwert RMS on-state current Stossstrom-Grenzwert surge current Tvj = 25 C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms ITSM Grenzlastintegral It-value Tvj = 25 C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms It 135 10 As 106 10 As Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 60747-6 f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/s (diT/dt)cr 150 A/s Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM th 5.Kennbuchstabe / 5 letter F (dvD/dt)cr 1000 V/s Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlassspannung on-state voltage Tvj = Tvj max, iT = 1200 A Tvj = Tvj max, iT = 200 A vT Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max V(TO) Ersatzwiderstand slope resistance Tvj = Tvj max rT Durchlasskennlinie 100 A iT 2200 A on-state characteristic Tvj = Tvj max v T = A + B i T + C ln ( i T + 1) + D max. max. 0,85 V 0,900 m A= B= C= D= iT 2,07 V 1,10 V 1,042E+00 4,125E-04 -1,077E-01 3,721E-02 Zundstrom gate trigger current Tvj = 25 C, vD = 12V IGT max. 200 mA Zundspannung gate trigger voltage Tvj = 25 C, vD = 12V VGT max. 2 V Nicht zundender Steuerstrom gate non-trigger current Tvj = Tvj max, vD = 12V Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM IGD max. max. 10 mA 5 mA Nicht zundende Steuerspannung gate non-trigger voltage Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,2 V Haltestrom holding current Tvj = 25C, vD = 12V IH max. 300 mA Einraststrom latching current Tvj = 25C, vD = 12V, RGK 10 iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/s, tg = 20 s IL max. 1200 mA Vorwarts- und Ruckwarts-Sperrstrom forward off-state and reverse current Tvj = Tvj max vD = VDRM, vR = VRRM i D, i R max. 50 mA Zundverzug gate controlled delay time DIN IEC 60747-6 tgd Tvj = 25 C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/s max. 3 s prepared by: H.Sandmann date of publication: revision: approved by: M.Leifeld IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann A 28/09 2009-12-01 3.1 Seite/page 1/10 Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T430N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM = 100 V, v = 0,67 V ThermischevdvEigenschaften /dt = 20 V/s, -di /dt = 10 A/s / 4 letter O Mechanische4.Kennbuchstabe Eigenschaften RM D Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink DM tq typ. 250 s DRM T th Kuhlflache / cooling surface beidseitig / two-sided, = 180sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, = 180sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, = 180sin Kathode / cathode, DC RthJC Kuhlflache / cooling surface beidseitig / two-sides einseitig / single-sides RthCH max. max. max. max. max. max. 0,051 0,046 0,084 0,079 0,114 0,109 max. max. 0,015 C/W 0,030 C/W 125 C C/W C/W C/W C/W C/W C/W Hochstzulassige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj max Betriebstemperatur operating temperature Tc op -40...+125 C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40...+150 C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehause, siehe Anlage case, see annex Seite 3 page 3 Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpresskraft clamping force Steueranschlusse control terminals F Gate (flat) Gate (round, based on AMP 60598) Kathode / cathode Gewicht weight G 4...8 kN A 2,8x0,5 O 1,5 A 4,8x0,5 typ. 70 Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann mm mm mm g 6 mm f = 50 Hz A 28/09 50 m/s Seite/page 2/10 Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T430N Massbild 1: Anode / Anode 4 5 2: Kathode / Cathode 1 2 4: Gate 5: Hilfskathode/ Auxiliary Cathode IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann A 28/09 Seite/page 3/10 Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor R,t - Werte Diagramme Kuhlung / Diagramme Cooling beidseitig two-sided anodenseitig anode-sided kathodenseitig cathode-sided T430N Analytische Elemente des transienten Warmewiderstandes Z thJC fur DC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC Pos. n 1 Rthn [C/W] 2 3 4 5 Trans. Warmewid. beidseitig 0,00024 0,00459 0,00647 0,0185 0,0162 6 7 - - n [s] 0,00013 0,00156 0,01010 0,0836 0,4750 - - Rthn [C/W] 0,00024 0,00459 0,00647 0,0185 0,0162 0,033 - n [s] 0,00013 0,00156 0,01010 0,0836 0,5350 2,830 - Rthn [C/W] 0,00024 0,00459 0,00647 0,0185 0,0162 0,063 - n [s] 0,00013 0,00156 0,01010 0,0836 0,7750 2,930 - ZthJC = Analytische Funktion / Analytical function: nmax R n=1 thn 1- e -t n 0,12 c 0,1 ZthJC [C/W] 0,08 a 0,06 b 0,04 0,02 0 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 100 Transienter innerer Warmewiderstand fur DC / Transient thermal impedance for DC Z thJC = f(t) a - Anodenseitige Kuhlung / Anode-sided cooling b - Beidseitige Kuhlung / Two-sided cooling c - Kathodenseitige Kuhlung / Cathode-sided cooling IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann A 28/09 Seite/page 4/10 Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T430N Erhohung des Zth DC bei Sinus und Rechteckstromen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Zth rec / Zth sin Durchlasskennlinie Kuhlung / Cooling beidseitig two-sided anodenseitig anode-sided kathodenseitig cathode-sided = 180 = 120 = 90 = 60 = 30 Zth rec [C/W] 0,00906 0,01560 0,02095 0,02929 0,04385 Zth sin [C/W] 0,00498 0,00779 0,01190 0,01937 0,03446 Zth rec [C/W] 0,00909 0,01562 0,02101 0,02935 0,04393 Zth sin [C/W] 0,00502 0,00783 0,01195 0,01942 0,03454 Zth rec [C/W] 0,00910 0,01560 0,02101 0,02936 0,04394 Zth sin [C/W] 0,00503 0,00783 0,01195 0,01942 0,03455 Zth rec = Zth DC + Zth rec Zth sin = Zth DC + Zth sin 2500 2000 Tvj = Tvj max i T [A] 1500 1000 500 0 0,5 1 1,5vT [V] 2 2,5 3 Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT) Tvj = Tvj max IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann A 28/09 Seite/page 5/10 Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T430N 600 Durchlassverluste 500 0 0 120 90 180 60 400 PTAV [W] 180 = 30 300 200 100 0 0 50 100 150 200 ITAV [A] 250 300 350 400 Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV) Sinusformiger Strom / Sinusoidal current Parameter: Stromflusswinkel / Current conduction angle 140 120 TC [C] 100 = 30 60sin 90sin 120sin 180sin 80 60 40 0 20 0 180 0 50 100 150 200 ITAV [A] 250 300 350 400 Hochstzulassige Gehausetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV) Sinusformiger Strom / Sinusoidal current Beidseitige Kuhlung / Two-sided cooling Parameter: Stromflusswinkel / Current conduction angle IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann A 28/09 Seite/page 6/10 Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T430N 800 700 0 600 180 0 180 500 PTAV [W] DC Tc 60 400 90 120 = 30 300 200 100 0 0 100 200 300 I TAV [A] 400 500 600 Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV) Rechteckformiger Strom / Rectangular current Parameter: Stromflusswinkel / Current conduction angle 140 120 0 0 180 TC [C] 100 = 30 60 90 120 180 DC 80 60 40 20 0 100 200 300 ITAV [A] 400 500 600 Hochstzulassige Gehausetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV) Rechteckformiger Strom / Rectangular current Beidseitige Kuhlung / Two-sided cooling Parameter: Stromflusswinkel / Current conduction angle IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann A 28/09 Seite/page 7/10 Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T430N 100 Steuerkennlinie 10 d vG [V] c b Tvj = +25C Tvj = +125C 1 Tvj = -40 C a 0,1 10 100 1000 iG [mA] 10000 100000 Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zundbereichen fur VD = 12 V Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V Hochstzulassige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) : a - 40W / 10ms c - 100W / 0,5ms d - 150W / 0,1ms Zundverzug b - 80W / 1ms Qr [As] 10000 iTM = 500A 200A 1000 100A 50A 20A 100 1 10 -di/dt [A/s] 100 Sperrverzogerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt) Tvj= Tvjmax, vR 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM Parameter: Durchlassstrom / On-state current iTM IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann A 28/09 Seite/page 8/10 Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T430N 5 4,5 4 IT(OV)M [kA] 3,5 3 2,5 0-50V 2 0,33 VRRM 1,5 0,67 VRRM 1 0,5 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves Typische Abhangigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl fur eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Ruckwartsspannung VRM Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM IT(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann A 28/09 Seite/page 9/10 Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T430N Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschlielich fur technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes fur die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollstandigkeit der bereitgestellten Produktdaten fur diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, fur die wir eine liefervertragliche Gewahrleistung ubernehmen. Eine solche Gewahrleistung richtet sich ausschlielich nach Magabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden fur das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls ubernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benotigen, die uber den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem fur Sie zustandigen Vertriebsburo in Verbindung (siehe www.infineon.com). Fur Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen konnte unser Produkt gesundheitsgefahrdende Substanzen enthalten. Bei Ruckfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem fur Sie zustandigen Vertriebsburo in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefahrdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir fur diese Falle - die gemeinsame Durchfuhrung eines Risiko- und Qualitatsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitatssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einfuhrung von Manahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Manahmen abhangig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Anderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann A 28/09 Seite/page 10/10 Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: Infineon: T430N16TOF T430N18TOF T430N14TOF T430N12TOF