Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor T 901N 28...36TOH
PM BIP / 2000-02-23, Keller Release 1 Seite/page
N
1
Features:
Volle Sperrfähigkeit bei 120° mit 50 Hz Full blocking capability at 120°C with 50 Hz
Hohe Stoßströme und niedriger Wärme- High surge currents and low thermal resistance
widererstände durch NTV-Verbindung by using low temperature-connection NTV between
zwischen Silizium und Mo-Trägerscheibe. silicon wafer and molybdenum.
Elektroaktive Passivierung durch a - C:H Electroactive passivation by a - C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts - und Rückwärts - Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage tvj = -40°C ... tvj max
f = 50 Hz VDRM, VRRM 3600
3500
3400
3200
2800
V
V
V
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current ITRMSM 2050 A
Dauergrenzstrom
mean forward current tC = 85°C, f = 50Hz
tC = 60°C, f = 50Hz ITAVM 950
1300 A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current tvj = 25°C, tp = 10ms, VR = 0
tvj = tvj max, tp = 10ms, VR = 0 IFSM 19
17 kA
kA
Grenzlastintegral
I2t-value tvj = 25°C, tp = 10ms
tvj = tvj max, tp = 10ms I2t1,805·106
1,445·10
6
A2s
A2s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6
f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs (di/dt)cr 80 A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state current tvj = tvj max, vD = 0,67 VDRM
5. Kennbuchstabe / 5 th letter F (dv/dt)cr 1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage tvj = tvj max, iT = 1,2 kA vT
typ
1,5 max
1,75 V
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / slope resistance tvj = tvj max V(TO)
rT
typ
1
0,413
max
1,16
0,494 V
mΩ
Durchlaßrechenkennlinien 300 A ≤ iT ≤ 5000 A
On - state characteristics for calculation
VT = A + B . iT + C . ln(iT+1) + D . √iT
tvj = tvj max A
B
C
D
typ
-0,0764
0,00032
0,165
0,000816
max
– 0,0802
0,00045
0,2085
-0,00524
Zündstrom
gate trigger current tvj = 25°C, vD = 6V IGT max 350 mA
Zündspannung
gate trigger voltage tvj = 25°C, vD = 6V VGT max 2,5 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current tvj = tvj max, vD = 6V
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM
IGD 20
10 mA
mA
nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage tvj = 25°C, vD = 0,5 VDRM VGD 0,4 V
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Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Haltestrom
holding current tvj = 25°C, vD = 12V, RA = 4,7ΩIH300 mA
Einraststrom
latching current tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10Ω
iGM = 3A, diG/dt= 6 A/µs, tg = 20µs IL3A
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents tvj = tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR100 mA
Zündverzug
gate controlled delay time DIN IEC 747-6
tvj = 25°C,
iGM = 3A, diG/dt = 6A/µs
tgd 1,6 µs
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time tvj = tvj max, iTM = ITAVM
vRM = 100V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs
4. Kennbuchstabe / 4 th letter O
tqtyp 300 µs
Sperrverzögerungsladung
recovered charge tvj = tvj max
ITM = 2 kA, di/dt = 10 A/µs
VR = 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM
Qr
max.
7,5 mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current tvj = tvj max
ITM = 2 kA, di/dt = 10 A/µs
VR = 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM
IRM 220 A
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Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, Θ = 180°sin
beidseitig / two-sided , DC RthJC 0,018
0,017 °C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink beidseitig / two-sided RthCK 0,004 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature tvj max 125 °C
Betriebstemperatur
operating temperature tc op -40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature tstg -40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix Seite 4
Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amplifying gate 55TN36
Anpreßkraft
clampig force F15...24 kN
Gewicht
weight Gtyp 550 g
Kriechstrecke
creepage distance 25 mm
Feuchteklasse
humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit
vibration resistance f = 50Hz 50 m/s2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Durchlaßkennlinien iT = f ( vT )
Limiting and typical on-state characteristic
tvj = 125 ° C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
01234
VT [V]
I T (A)
typ max
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Transienter innerer Wärmewiderstand
Transient thermal impedance Zth JC = f (t)
doppelseitige
Kühlung
anodenseitige
Kühlung
kathodenseitige
Kühlung
r [K/W][s] r [K/W][s] r [K/W][s]
10,00554 1,13 0,02071 6,03 0,02271 5,8
20,00029 0,805 0,0089 0,15 0,0089 0,15
30,0081 0,129 0,00032 0,0934 0,00032 0,0934
40,002 0,0145 0,002 0,0145 0,002 0,0145
50,00107 0,004 0,00107 0,004 0,00107 0,004
0,017 -0,033 -0,035 -
0
0
,
0
5
0
,
0
0
,
0
5
0
,
0
0
,
0
5
0
,
0
0
,
0
5
0
,
0
0,001
0
,
0
1
0
,
1
1
1
0
1
0
0
t
/
[
s
e
c
.
]
Z
(
t
h
)
J
C
/
[
K
/
W
]
k
a
(
)
ZRe
thJC thn t
n
nn
=⋅−−
=
∑1
1
/
max τ
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Sperrverzögerungsladung / recoverd charge
Qrr = f (di/dt)
tvj = 125°C, ITM = 2000A, vR = 0,5⋅VRRM, vR = 0,8⋅ VRRM
2
3
4
5
10
20
30
40
50
6
7
8
9
1 2 3 4 5 6 7 8 9 102030
-di/dt [A/µs]
Qrr [mAs]
max