NPN SILICON TRANSISTORS, HOMOBASES TRANSISTORS NPN SILICIUM, HOMOBASES *2N 3773 *2N 4348 - LF large signal power amplification Amplification BF grands signaux de puissance - High current switching Commutation fort courant - Thermal fatigue inspection Contrl en fatigue thermique Dissipation derating Variation de dissipation 100% {tN \ 2 Preferred device Dispositif recommand Vv 120 V 2N 4348 CEO j120 v 2N 3773 le 10 A 2N 4348 16 A 2N 3773 P 120 W 2N 4348 tot 150 W 2N 3773 Raj. 91,17C/W = -2N3773 thii-c) }q4gc/w -2N 4348 fy 0,8 MHz min. Case TO-3 See outline drawing CB-19 on last pages Bojtier Voir dessin cot Cp-79 dernires pages 60 X 2 N Bottom view Vue de dessous Weight : 14,49 Collector is connected to case Qo 50 100 160 teasolC) Masse Le collecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) = 25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION case (Sauf indications contraires} 2N 3773 2N 4348 Collector-base voltage Vv Tension collecteur-base CBO 160 140 Vv Collector-emitter voltage Vv Tension collecteur-metteur CEO 140 120 Vv Collector-emitter voltage = Vv Tension collecteur-metteur Vpe=15V CEX 160 140 Vv Emitter-base voltage Tension metteur-base Veso 7 7 Vv Collector current Courant collecteur re 16 10 A Peak collector current 05 Courant de crte de collecteur ty = 0.5 s low 30 30 A Base current ! Courant base B 4 4 A Power dissipation = 25 P. Dissipation de puissance tease 25C tot 150 120 WwW Junction temperature 7 t Temprature de jonction max 1 200 200 Storage temperature min t 65 65 c Temprature de stockage max stg +200 + 200 C 74-3 1/10 THOMSON - CSF 351 RAMON SEMICONDUCTEURS An*2N 3773, *2N 4348 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tease = 25C (Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires) Test conditions Min. Typ. Max. Conditions de mesure Vap= 120 V cE 2N 3773 10 mA B > 0 Coliector-dmitter cut-off current ceo Courant rsiduel collecteur-metteur Vv 100 V cE_ 2N 4348 10 mA ip =O Voag=1 yore Oey 2N 3773 2 mA BE Vee= 140 V Vae= U5 V 2N 3773 | 10 mA ; tease 150C Collector-emitter cut-off current \ . Courant rsiduel collecteur-metteur CEX Vee= 120V yvoee . y 2N 4348 2 ma ) Vop= 120V Vee= -1,5V 2N 4348 10 mA toase 150C Collector-base cut-off current Vop= 40V \ mA Courant rsiduel callacteur-base ie =0 CBO 2N 3773 2 2N 3773. 5 mA Emitter-base cut-off current Vep=7V lepo Courant rsiduel metteur-base le =0 2N 4348 5 mA 2N 3773-| 140 Vv , =2 A * Collector-emitter breakdown voitage Ic _ 00 m VipRIcEO Tension de claquage collecteur-metteur 'p =0 2N 4348 | 120 Vv 2N 3773 | 150 Vv Collector-emitter breakdown voltage Io = 200 mA vy BR)CER * Tension de claquage collectaur-metteur Ree = 100 2 2N 4348 | 140 Vv * Pulsed ty = 300 us 5 < 2% impulsions 2/10 352 *2N 3773, *2N 4348 STATIC CHARACTERISTICS (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES case = 25C (Sauf indications contraires) Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. *) 2N 3773 | 160 Vv Collector-emitter breakdown voltage Ig = 100mA Vv EX Tension de claquage collecteur-metteur Vee =-15V (BRC 2N 4348 |} 140 v Emitter-base breakdown voltage le =5mA V * Tension de claquage metteur-base I c = (BR)EBO 2N 4348 7 v Vac= ce=4V 2N 3773 | 15 60 le = 8A Vag =4Vv eae 2n 3773] 5 Static forward current transfer ratio c h * Valeur statique du rapport de fert 21E direct du courant Voce =4V le =B5A 2N 4348) 15 60 Veap=4V CE lo =10A 2N 4348| 10 I =BA c ip = 08A 2N 3773 1,4 Vv I =16A Cc Ip =3.2A * 2N 3773 4 v Collector-emitter saturation voltage VcEsat Tension de saturation collecteur-metteur le =5A N v ip =05A 2N 4348 1 I =10A c lp = 1,25 A 2N 4348 2 Vv Veep=4Vv , CE BA 2N 3773 2,2 Vv cm Base-emitter voltage VBE * Tension base-metteur Vv =4v CE 2N 4348 2 Vv lo = 5A vee nN 2N 4348) 15 A Second breakdown collector current Ig /B Courant collecteur de second claquage Vie= 100 V cE 2N 3773| 1,5 t =1s * Pulsed t,=300us 5 < 2% Impulsions p 3/10 353*2N 3773, *2N 4348 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) (Unless otherwise stated) {Sauf indications contraires} Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. a Vac 4V Transition frequency cE fr Frquence de transition Ip =1A T 08 MHz THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES dunction-case thermal resistance Reh(j-c): 2N 3773 1,17 C/W Rsistance thermique (jonction-boitier} rer | on 4348 1,46 c/w THERMAL FATIGUE INSPECTION CONTROLE EN FATIGUE THERMIQUE Mounting silicon chip on a molybdenum header Le montage de /a pastiile sur un support en molybdne limite bounds mechanical constraints and provides maximum les i caniques et confre au un maxi- insurance against thermal fatigue. mum de garantie contre la fatigue thermique. Pulsed test : Contrdle cyclique : 10 000 cycles on : 2 minutes (0 > 70 W) "off : tminute (70>0W) tease = 125C max Atcase= 110C max 4/10*2N 3773 1A) 50 20 2 0,5 0,2 0,1 SAFE OPERATING AREA Aire de fonctionnement de scurit t, = 26C Case pc Continu Pulsed ame ame an En 10 20 50 100 200 Vogl) 5/10 355*2N 3773, *2N 4348 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de fa tension \o collecteur-metteur {A) COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant colfecteur en fonction de fa tension collecteur-metteur 2N 4348 'o (a) 4 Ip =50mA 2 0 1 2 3 4 VeelV) COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR. COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR. EMITTER VOLTAGE EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de la tension Courant colfecteur en fonction de la tension Io collecteur-metteur collecteur-metteur l {mA} 2N 3773 c 2N 4348 (mA) z oy S AS 160 160 Ss wv =, RS 120 120 ny Rp 80 80 gos 40 40 0 0 40 80 120 160 Voelv) 0 40 80 120 VoelV) 7/10 357*2N 3773, *2N 4348 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VERSUS BASE-EMITTER RESISTANCE (minimum vatue) Tension collecteur-metteur en fonction de fa v_._sistance base-metteur {valeur minimum) CE STATIC FORWARD CURRENT TRANSFER RATIO VERSUS COLLECTOR CURRENT Valeur statique du rapport de transfert direct du hoy E courant en fonction du courant collecteur (vh 2N 3773 2N 4348 180 Nav 160 160 140 150 420 100 2N 3773 140 80 60 130 40 20 120 2N 4348 0 1 2 5 2 5 2 5 2 8 10 10? 103 104 Regia) BASE CURRENT VERSUS BASE-EMITTER COLLECTOR CURRENT VERSUS BASE VOLTAGE EMITTER VOLTAGE Courant base en fonction de la tension base- Courant colfecteur en fonction de fa tension ' metteur base-metteur B Ig 3 ima) (Al 6 2N 4348 4 a Vog=4Vv 2 2 4 107 10 8 8 6 6 4 4 2 2 10! 10 8 8 6 6 4 4 2 2 10 10 1 15 2 25 Vel) 0 1 2 3 Vpglv)*2N 3773, *2N 4348 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation base-matteur en fonction du courant collecteur VBesat (v) BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation base-metteur en VBE fonction du courant collecteur sat iv) 2N 4348 Ie =10 'g & $ 4 2 &, af 2 468 2 4 68 2 Ie (a) 468 IglAl COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation collecteur-metteur en fonction du courant collecteur Veesat (v) COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation collecteur-metteur en Vv fonction du courant collecteur CEsat (v) 2N 4348 =1 468 IgfAl 2 468 2 468 2 1071 10 102 9/10 359*2N 3773, *2N 4348 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES OUTPUT CAPACITANCE VERSUS COLLECTOR-BASE VOLTAGE Capacit de sortie en fonction de la tension collecteur-base TRANSIENT THERMAL RESISTANCE DERATING FACTOR UNDER PULSES CONDITIONS Facteur de rduction de la rsistance thermique en rgime dimpulsions C22 4348 (PF 2N 3773 tease = 26C 6 4 2 102 1071 10 2 4 6 8 2 4 68 10 10% 10% 102 10! 10 tplsecl Vegtv) 10/10 360