NPN SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORS NPN SILICIUM, PLANAR EPITAXIAUX 2N 2483 *2N 2484 - LF small signal amplification (low noise) Amplification BF petits signaux (faible bruit) Maximum power dissipation 2K Preferred device Dispositif recommand VcEO 60V ho1E { 40 - 120 2N 2483 (10uA) 100 - 500 2N 2484 F { 4dB ss max 2N 2483 3dB max 2N 2484 Case TO-18 See outline drawing CB-6 on last pages Dissipation de puissance maximale Boitier Voir dessin cot CB-6 dernires pages Prot (wh) 1,2 c C E I 8 0,8 ! NN . ' N Bottom view 1 R Vue de dessous 04 : l ~ T. 2 9 I ae och (3 Weight: 0,329 Collector is connected to case Oo 50 100 = 150 case Masse Le collecteur est reli au bottier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) T =4+25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION amb (Sauf indications contraires} Collector-base voltage Tension collecteur bass Vopo 60 v Collector-emitter voltage Vv, Tension collecteur-metteur CEO 60 Vv Emitter-base voltage v Tension metteur-base EBO 6 Vv Collector current I Courant collecteur Cc 50 mA Tomb = 25C (1 0,36 Power dissipation amb a1) Prot Ww Dissipation de puissance Tease =25C (2) 1,2 Junction temperature T: Temprature de jonction max J 200 c Storage temperature min T 65 C Temprature de stockage max stg +200 C 76-02 1/8 THOMSON-CSF [DMISION SEMICONDUCTEURS 201 Seseceen2N 2483, 2N 2484 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES Tamb= 25C (Unless otherwise stated) {Sauf indications contraires) Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Ves =45V 0,05 10 nA le =0 Collector-base cut-off current '\cBo Courant rsiduel collecteur-base Vea =45V lp =0 0,05 10 uA Tamb= 150C Coilector-emitter cut-off current Voce =5V lceo 0,1 nA Courant rsiduel collecteur-metteur Ip =0 Emitter-base cut-off current Veg =5V I Courant rsiduel metteur-base ! c 7 0 E80 0,01 10 nA I =0 Collector-base breakdown voltage E Vv Tension de claquage collecteur-base lo =10nA {BR)CBO 60 Vv : | = Collector-emitter breakdown voltage B v Tension de claquage collecteur-metteur lo =10mA (BR) ceo 60 v Emitter-base breakdown voltage ! = Vv Tension de claquage mettour-base Ip =10nA (BR)EBO 6 v Vor =5V CE 50 lo =A Veg =5V CE lo =10uA 40 120 Vv =5V CE Ig = 100pnA hoe 75 Static forward current transfer ratio Valeur statique du rapport de transfert Vee =5V direct du courant lo = 6500 nA 2N 2483 | 100 Vv =65V CE Io =1mA 175 250 Vv =5V CE hoy p* 35 Io =10mA 21 500 Veg =5V Io = 10uA hoie 10 25 Tamb= 98C * Pulsed tp =300ns 8 < 2% impuisions 28 2022N 2483, 2N 2484 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES Tamb = 25C (Uniess otherwise stated) (Sauf indications contraires) Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. VecHsVv cE Io =1HA 30 0=- 150 Veg =5V CE lo = 10yA 100 500 Vee =5V h CE 21E Ig =100KA 7s Static forward current transfer ratio Vee = 5V 200 Valeur statique du rapport de transfert direct du courant Io = 500 uA 2N 2484 Voce = 5V 250 le =1mA Veep =5V CE hoie* 450 800 le = 10 mA Voge =5V Ig = 10uA hoie 20 90 Tamb = 55C Base-emitter voltage Voge =5V Vv Tension base-6metteur lo = 100 pA BE 0,50 0,70 Vv Collector-emitter saturation voltage Ic =1mA Veesat 0.08 0,35 Vv Tension de saturation collecteur-metteur lg =0,1mA sa ' , DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signats) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux} Veg =5V 2N 2483 | 80 450 Forward current transfer ratio |. =1mA ho19 Rapport de transfert direct du courant c =1kHz 2N 2484 150 900 2N 2483 | 1,5 13 Voge =5V Mite kQ Input impedance I =1mA 2N 2484 | 3,5 24 Impdance dentre Cc f =1kHz Bib 25 32 2 Vee =5 2N 2483 4 8 Reverse voltage transfer ratio cE v h 4 Rapport de transfert inverse de ia tension le =1mA 12e 10 f = 1 kHz 2N 2484 5 8 * Pulsed 1, =300us 6 <2% Impuisians ep 3/8 2032N 2483, 2N 2484 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES Tamb = 25C (Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires) Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. = 18 30 Output admittance Voce =5V h 2N 2483 Admittance de sortie le =1mA 22b i f =1 kHz 2N 2484 25 440 Vce =5V 2N 2483 | 12 lo = 60 "A f =5M Transition frequency 5 MHz 2N 2484 | 15 Frquence de transition fr MHz Veg =5V lo =500nA 60 175 f = 30 MHz Output capacitance Vep =5V c Capacit de sortie i =0 22b 3 6 pF Input capacitance Veg =9,5V Capacit dentre le =0 Cy 1b 35 6 pF Veg = 8V 2N 2483 45 18 lo = 10pnA Rg =10k2 f = 100 Hz Af =20Hz 2N 2484 3,5 10 Voge =8V 2N 2483 19 4 Io =10 pA Rg =10kQ fo o=tkHz 2N 2484 18 3 Af =200Hz Noise figure Facteur de bruit F dB Vc =5V 2N 2483 07 3 lo = 10 pA fe cia = Zz At =2kHz 2N 2484 06 2 Veg =5V 2N 2483 19 4 le =10uA Rg =10k2 10 Hz<f<10 kHz 2N 2484 18 3 4/8 2042N 2483, 2N 2484 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES 5 2 #5 2 5 2 5 2 5 2 8 1oF 102107 10 gta) 10% = 102 10 10 tgima) 21 0,8 0,6 0,4 0,2 0 z2 468 2 #468 2 468 2 10" 10 10! igtma) 107 2 468 2 68 IgimA) 5/8 2052N 2483, 2N 2484 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES 10 co0p 2N 2483 10" 10 ima) (pF) 12 16 VeglV) 21 900 800 700 600 500 400 300 200 100 2 s 10 102 10! 10 Iq ima) 6 8 Veptv) 6/8 2062N 2483, 2N 2484 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES F (dB) Vog =5V 10 Hz &f S10 kHz F (ee) 2N 2484 * Voge =5V 6 10 Hz <f S10 kHz 5 N N V \ / 3 N 7 Y N sf] ye Yo Lp 1 eT] o No | 0 | 2 4 68 2 4 6 8 70 10! Rg 718 2072N 2483, 2N 2484 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES 2N 2483 Voce = 5V 102 107 104 10 10 107 108 f(H2z) FE {qB) 10? 103 104 108 10 107 108 f(H2) 8/8 208