NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS, EPITAXIAL BASE ESM 117 TRANSISTORS DARLINGTON NPN SILICIUM, BASE EPITAXIEE ESM 1 18 Compl. of ESM 161, ESM 162 PRELIMINARY DATA NOTICE PRELIMINAIRE - Monolithic construction Construction monolithique VeEo { 60 V ESM 117 - General purpose : DC amplification 80 V ESM 118 Usage gnral : Amplificateur AC Ic OA - Complementaries of ESM 161, 162 k Compimentaires des ESM 161, 162 Prot 150 W Rethij-c) 1,17C/W max. hate (5A) 1000 min. fr 1 MHz min. Dissipation and Ig/p derating Case TO-3 See outline drawing CB-19 on last pages Variation de dissipation et de I> jg Boitier Voir dessin cot CB-19 dernires pages 100 % Bottom view | Vue de dessous 5 RL | % | Ye gy 50 {1 NX | aD 26 l q 30% | | 8B 1 Weight : 14,4 g. Collector is connected to case 0 50 100 160 tease (ey Masse Le collecteur est reli au bojtier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) t = 26C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION case (Saut indications contraires) ESM 117 ESM 118 Collector-base voltage 7 . Tension collecteur-base cBO 60 80 Vv Collector-emitter voltage Vv 5 Tension cofllecteur-metteur cEO 60 80 v Emitter-base voltage v Tension metteur-base EBO 5 5 v Collector current I Courant collecteur c 10 10 A Peak collector current t.=10ms lem 11 1 A Courant de crte de collecteur Pp Base current I Courant base B 0,2 0,2 A Power dissipation 25C Pp 150 150 w Dissipation de puissance tcase = tot Junction temperature t max. Temprature de jonction J 200 200 c Storage temperature min. t 65 65 C Temprature.de stockage max. stg +200 +200 C 74-10 WT THOMSON - CSF Owigion SEmICONOUCTEVES 877ESM 117, ESM 118 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tease = 25C {Unless otherwise stated) {Saut indications contraires} Test conditions 878 Conditions de mesure Min. Typ. Max. Vege =30V ip =0 ESM 117 1 mA Tease = 25C Collector-emitter cut-off current | Courant rsiduel collecteur-metteur CEO Voge =40V Ip =O ESM 118 1 mA tease = 26C Veg = 60 V 0,4 mA le =0 ESM 117 Veg =60V Ie =0 3 mA toase = 150C Colfector-base cut-off current I Courant rsiduel collecteur-base cBO Veg = 80 V 0.4 mA Ip =0 ESM 118 Ves =80V le =0 3 mA tease = 150C Emitter-base cut-off current Veg =5V Courant rsiduel metteur-base i c = oO le BO 2 mA Collector-emitter breakdown voltage lo = 100 mA VcEO ( y* ESM 117 60 Vv Tension de claquage collecteur-metteur Ig =0 sus ESM 118 80 Static forward current transfer ratio Voce =3V * Valeur statique du rapport de transfert i =BA hoy E 4000 direct du courant c ami . { =BA * Collector-emitter saturation voltage c Vv 25 7 Tension de saturation collecteur-metteur Ip =0,02A CEsat , Base-emitter voltage Vee =3V v..* 3 Vv Tension base-metteur Io =5A BE * Pulsed tp =300us 5 <2% impulsions 27ESM 117, ESM 118 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux}) {Sauf indications contraires} Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. Transition f Vee = 3V ransition frequency _ Frquence de transition Ic =5A ae 1 MHz f = 1 MHz THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case therma! resistance : Rsistance thermique (jonction-boitier) Rtnti-c) 1,17 C/W SAFE OPERATING AREA Aire de fonctiannement de scurit ESM 11 tase = 26C Continuous Continu Pulsed impulsions 01 0,2 05 1 2 5 10 20 60 VogtV) 3/7 879ESM 117, ESM 118 SAFE OPERATING AREA Aire de fonctionnement de scurit {A} 50 us 50 100 js 500 ps 1 ms i 20 ms ESM 118 = 25 2 tease = 25C Continuous Continu 1 Pulsed impulsions 0,5 0,2 0,1 O1 92 oS 1 2 5 10 20 50 VogtV) 4/7 880ESM 117, ESM 118 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR. COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE EMITTER VOLTAGE I Courant collecteur en fonction de la tension 1 Courant collecteur en fonction de ia tension collecteur-metteur c collecteur-metteur (A) (Al 0,8 0,6 0,4 0,2 0 1 2 3 4 Veg tv) 0 4 8 12 16 (Vv) Voce STATIC FORWARD CURRENT TRANSFER RATIO VERSUS COLLECTOR CURRENT Valeur statique du rapport de transfert direct du hoy E courant en fonction du courant collecteur Vv ce = FV 24K 20K v\ 16K / \ 12K / BK [ By a s >. Se ) J a 4K} 2 4 IAs 5/7 881ESM 117, ESM 118 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES BASE CURRENT VERSUS BASE-EMITTER VOLTAGE Courant base en fonction de la tension base- 'g metteur {mA) 8 Vop=4v 6 4 o & 2 ff & $ wf 10 8 0 1 2 3 4 Voelv) COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation collecteur-metteur en Vv fonction du courant collecteur CEsat {v) tcase ~ t ye 7 1206 ca! iy ft 2 468 2 468 2 4 102 1077 10 1g {A} VBEsat (v) | COLLECTOR CURRENT VERSUS BASE- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de la tension t base-metteur Yop =3V 2 iy N case = t, 0 1 2 3 4 Vee) BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation base-metteur en fonction du courant collecteur Seo pst} Lan 1 | Le 1 q2se Lcase 6/7 882ESM 117, ESM 118 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES OUTPUT CAPACITANCE VERSUS COLLECTOR-BASE VOLTAGE Capacit de sortie en fonction de fa b tension collecteur-base ESM 118 ae TRANSITION FREQUENCY VERSUS COLLECTOR CURRENT Frquence de transition en fonction du f_ courant collecteur Vv t cE = ESM117 = ESM 118 -_= 2 4 68 1071 10 TRANSIENT THERMAL RESISTANCE DERATING FACTOR UNDER PULSES CONDITIONS Facteur de rduction de la rsistance thermique en rgime dimpulsions 2 5 2 5 2 } 102 yor? Pe 77 883