NPN SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORS NPN SILICIUM, PLANAR EPITAXIAUX 2N 3414 , 2N 3415 2N 3416 , 2N 3417 - LF amplification Amplification BF - Low current switching Commutation faible courant Maximum power dissipation Dissipation de puissance maximale Pp tot (mW) L- \ 300 i \ | \ 200 + \ | 100 t N { \ 0 | 9 50 100 150 Tamb!C) Plastic case Boitier plastique Weight : 0,3 g. Masse F 139 B - See outline drawing CB-76 on last pages Voir dessin cot CB-76 dernidres pages cee Bottom view Vue de dessous ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) Tamb = +25 C (Untess otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION am {Sauf indications contraires) 2N 3414 2N 3416 2N 3415 2N 3417 Collector-base voltage Tension ollecteur-bese VeBo 25 50 Vv Collector-emitter voita Tension collacteurmetteur Vceo 25 50 Vv Emitter-base voltage Tension metteur-base VEBO 5 5 v Collector current Courent collecteur Te 500 500 mA Power dissipation P 360 360 mw Dissipation de puissance tot Junction temperature T. Temprature de jonction max J 150 150 C Storage temperature min T 55 55 c Temprature de stockage max. stg +150 +150 C 76-09 1/2 THOMSON cs 255 Sesesemn 2N 3414, 2N 3415, 2N 3416, 2N 3417 STATIC CHARACTERISTICS Taen= 25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES amb (Sauf indications contraires) Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. Veg =25V 2N 3414 01 BA lp =0 2N 3415 Vog = 50V 2N 3416 01 BA fe = 2N 3417 , Collector-base cut-off current !oBo Courant rsiduel collecteur-basa Van = 25V ne = 2N 3414 18 uA Tamnpz= 100C 2N 3415 Veep =50V cB Ip =0 2N 3416 15 BA Tamb 100C 2N 3417 Emitter-base cut-off current Veg =5V Courant rsiduel metteurbase { . =0Q 'EBO 0,1 BA 2N 3414 2N 3416 78 225 Static forward current transfer ratio | y.. =4,5 V Valeur statique du rapport da transfert CE , hoye direct du courent Ig =2mA 2N 3415 2N 3417 180 540 Collector-emitter saturation voltage | 'c = 50mA Vv 3 Vv Tension de saturation collecteur-metteur | {yp = 3 mA CEsat 6, Base-emitter saturation volt Ig =50mA Tension de saturation bese-metteur Ig =3mA VpEsat 0.6 13 v 2/2 256