4 – 47
三菱半導体〈一般用サイリスタ〉
FT1000BV-80
高圧大電力一般用
ダイナミックゲート形，平形
FT1000BV-80 外形図 単位：mm
用 途
製鉄用サイリスタレオナード電源、交流電動機の速度制御電源、直流送電、大電力静止スイッ
チ、フリッカ防止装置、発電機の励磁装置
¡IT(AV) 平均オン電流 ………………………… 1000A
¡VDRM ピーク繰返しオフ電圧 ……………… 4000V
¡平形
商用周波数，
正弦半波180度連続通電，
Tf = 76°C
60Hz正弦半波1サイクル波高値，非繰返し
1サイクルサージオン電流に対する値
VD = 1/2VDRM，IG = 1.0A，Tj = 125°C
推奨値29.4
標準値
1550
1000
20
1.7 × 106
200
10
3.0
20
10
4.0
–40 ~ +125
–40 ~ +150
26.5 ~ 32.3
690
実効オン電流
平均オン電流 
サージオン電流
電流二乗時間積
臨界オン電流上昇率
ピークゲート損失
平均ゲート損失
ピークゲート順電圧
ピークゲート逆電圧
ピークゲート順電流
接合温度
保存温度
圧接力強度
質量
IT(RMS)
IT(AV)
ITSM
I2t
diT/dt
PFGM
PFG(AV)
VFGM
VRGM
IFGM
Tj
Tstg—
—
記 号
VRRM
VRSM
VR(DC)
VDRM
VDSM
VD(DC)
ピーク繰返し逆電圧
ピーク非繰返し逆電圧
直流逆電圧
ピーク繰返しオフ電圧
ピーク非繰返しオフ電圧
直流オフ電圧
項    目
V
V
V
V
V
V
最大定格
耐    圧    ク    ラ    ス
A
A
kA
A2s
A/ms
W
W
V
V
A
°C
°C
kN
g
記 号 項    目 条    件 単位定  格  値
単位
80
4000
4250
3200
4000
4000
3200
陰極
補助陰極端子（赤）
ゲート（白）f4.3
7.5
7.5
300±8
形名
陽極
M5×0.8フカサ2.5
f102max
0.4min21±0.5 0.4min
f60
f60
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4 – 48
IRRM
IDRM
VTM
dv/dt
VGT
VGD
IGT
Rth(j-f)
三菱半導体〈一般用サイリスタ〉
FT1000BV-80
高圧大電力一般用
ダイナミックゲート形，平形
逆電流
オフ電流
オン電圧
臨界オフ電圧上昇率
ゲートトリガ電圧
ゲート非トリガ電圧
ゲートトリガ電流
熱抵抗
mA
mA
V
V/ms
V
V
mA
°C/W
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1000
—
0.20
—
—
記 号 項    目 測 定 条 件 規  格  値
最 小 標 準 最 大 単位
120
120
2.80
—
2.5
—
250
0.017
電気的特性
Tj = 125°C，VRRM 印加
Tj = 125°C，VDRM 印加
Tj = 125°C，ITM = 3200A
Tj = 125°C，VD = 1/2VDRM
Tj = 25°C，VD = 6V，RL = 2Ω
Tj = 125°C，VD = 1/2VDRM
Tj = 25°C，VD = 6V，RL = 2Ω
接合−フィン間
定格特性図
10023 5710
1
8
4
23 5710
2
12
16
20
0
100
231015710
223 5710
323 5710
4
7
5
3
2
101
7
5
3
2
7
5
3
2
10–1
VFGM = 20V PFGM = 10W
VGT = 2.5V
VGD = 0.20V
PFG(AV) = 3.0W
IFGM = 4.0A
IGT
25°C
Tj = 125°C
–40°C
1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 3.4 3.8 4.2
104
7
5
3
2
103
7
5
3
2
102
7
5
3
2
101
Tj = 125°C
0.020
02310–3 5710
–2
231005710
1
23 5710
–1 23 5710
0
0.012
0.016
0.004
0.008
オン電流 (A)
オン電圧 (V)
最大オン状態特性
サージオン電流 (kA)
通電時間
（60Hzにおけるサイクル数）
定格サージオン電流
過渡熱インピーダンス (°C/W)
時間 (s)
最大過渡熱インピーダンス特性
（接合−フィン間）
ゲート電圧 (V)
ゲート電流 (mA)
ゲート特性
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4 – 49
三菱半導体〈一般用サイリスタ〉
FT1000BV-80
高圧大電力一般用
ダイナミックゲート形，平形
2500
2000
1500
1000
500
010000200 400 600 800
θ= 30° 60° 90°
120° 180°
θ
360°
抵抗，誘導負荷
0
60
70
80
90
100
110
120
130
800600400200 1000
50
θ
360°
抵抗，誘導負荷
θ= 30° 60° 90° 180°120°
4000
02310
–2
5710
–1
23 5710
0
23 5710
1
2000
1500
1000
500
2500
3000
3500
t
50Hz
0
I
T
T
p
I
TO
I
Tb
風速5m/s,周囲温度50°C
BP18-Rフィン
300A
500A
100A
I
Tb
=
0A I
Tb
=過負荷オン電流通電前の
130
110
100
80
60
50 16000400 800 1200
70
90
120
360°
抵抗，誘導負荷
θ
DC
270°
θ= 30° 60° 90° 180°
120°
0
20
40
60
80
100
120
140
160
800600400200 1000
0
θ=
90°
θ= 30°
180°
180°
θ
360°
抵抗，誘導負荷
120°
平均風速5m/s
自冷
BP18-Rフィン
60°
90°
4000
3000
2500
1500
500
016000400 800 1200
1000
2000
3500
360°
抵抗，誘導負荷
θ DC
270°
θ= 30° 60° 90°
180°
120°
オン状態損失 (W)
平均オン電流 (A)
最大オン状態損失特性
（単相半波）
フィン温度 (°C)
平均オン電流 (A)
平均オン電流の限界値
（単相半波）
平均過負荷オン電流 I
TO
(A)
通電時間 Tp(s)
定格平均過負荷オン電流（繰返し性）
（単相半波，風冷）
オン状態損失 (W)
平均オン電流 (A)
最大オン状態損失特性
（方形波）
周囲温度 (°C)
平均オン電流 (A)
＊平均オン電流の限界値
（単相半波，自冷，風冷）
フィン温度 (°C)
平均オン電流 (A)
平均オン電流の限界値
（方形波）
＊印にて示す特性値は当社の冷却フィンと組み合わせた場合の代表値です。
定常電流（平均値）
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4 – 50
三菱半導体〈一般用サイリスタ〉
FT1000BV-80
高圧大電力一般用
ダイナミックゲート形，平形
10323 5710
4
2000
1000
23 5710
5
3000
4000
5000
0
# 1 # 2
ゲート開放
0.632VD
dv/dt = T
VD
0.632VD
t
0T
VD
指数関数
波形
Tj = 125°C
2.0
1.2
0.4
0140–60 –20 20 60
1.6
100
0.8
# 1
# 2
VD = 6V
RL = 2Ω
DC法
160
120
100
60
20
016008000 400 1200
40
80
140
θ= 90°
180°
120°
平均風速5m/s
自冷
BP18-Rフィン
DC
θ=
180° DC
360°
抵抗，誘導負荷
θ
200
120
40
0140–60 –20 20 60
160
100
80
# 1
# 2
VD = 6V
RL = 2Ω
DC法
500
400
300
200
100
0140–60 –20 20 60 100
IL
IH
t
0
IG, iA
IL
tgw
IG
抵抗可変法
ILの条件：
IHの条件：
VD = 6V
IG = 750mA
tgw = 200ms
VD = 12V
ブレークオーバ電圧 (V)
オフ電圧上昇率 (V/ms)
ブレークオーバ電圧−オフ電圧上昇率
（代表例）
ゲートトリガ電流 (mA)
接合温度 (°C)
ゲートトリガ電流−接合温度
（代表例）
保持電流IH(mA)及びラッチング電流IL(mA)
接合温度 (°C)
保持電流及びラッチング電流−接合温度
（代表例）
ターンオン時間 (ms)
ゲート電流 (mA)
ターンオン時間−ゲート電流
（代表例）
ゲートトリガ電圧 (V)
接合温度 (°C)
ゲートトリガ電圧−接合温度
（代表例）
周囲温度 (°C)
平均オン電流 (A)
＊平均オン電流の限界値
（方形波，自冷，風冷）
＊印にて示す特性値は当社の冷却フィンと組み合わせた場合の代表値です。
10223 5710
3
4.0
2.0
23 5710
4
6.0
8.0
10.0
0
# 1
# 2
0.1VD
t
0
VAK, iG
VD
0.1 IGM IGM
tgt
diG/dt = 1.0A/ms
VD = 1/2VDRM
ITM = 2000A
diT/dt = 200A/ms
Tj = 125°C
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4 – 51
ターンオフ時間 (ms)
接合温度 (°C)
ターンオフ時間−接合温度
（代表例）
オン電流上昇率 (A/ms)
逆回復電荷 (mC)
逆回復電荷−オン電流上昇率
（代表例）
接合温度 (°C)
逆回復電荷 (mC)
逆回復電荷−接合温度
（代表例）
ターンオフ時間 (ms)
オフ電圧上昇率 (V/ms)
ターンオフ時間−オフ電圧上昇率
（代表例）
800
600
01600
200
400
700
500
100
300
40 80 120
t
VAK, iA
VR
di/dt
dv/dt
0
+
–tq
VDITM
ITM = 1000A
di/dt = 1.0A/ms
VR = 50V
VD = 1/2VDRM
dv/dt = 20V/ms
10023 5710
1
400
200
23 5710
2
600
800
1000
0
ITM = 1000A
di/dt = 1.0A/ms
VR = 50V
VD = 1/2VDRM
Tj = 125°C
t
VAK, iA
VR
di/dt
dv/dt
0
+
–tq
VDITM
102
104
7
5
3
2
10023 5710
1
103
7
5
3
2
23 5710
2
# 1
# 2
ITM = 1000A
VRM = 150V
Tj = 125°C
t
trr
trr×Irm
QRR = 2
Irm
ITM
VAK,iA
VRM
di/dt
0
+
–
4000
3000
2500
1500
500
01600
1000
2000
3500
40 80 120
# 1
# 2
t
trr
trr×Irm
QRR = 2
Irm
ITM
VAK,iA
VRM
di/dt
0
+
–
ITM = 1000A
di/dt = –30A/ms
VRM = 150V
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FT1000BV-80
高圧大電力一般用
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