PNP SILICON TRANSISTOR, EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR PNP SILICIUM, PLANAR EPITAXIAL 2N 2894 - HF small signal amplification Amplification HF petits.signaux - High speed switching at low current Commutation rapide, faible courant Maximum power dissipation Dissipation de puissance maximale Prot (w) 1,5 05 (1) 1) TyapleC) (2) Taga?) Qo 60 100 150 200 VcEO -12V le 200 mA ho4E (30 mA) 40 - 150 VeEsat (100 mA) 05V max. tr 400 MHz min. Case TO-18 See outline drawing CB-6 on last pages Boitier Voir dessin cot CB-G dernires pages Weight : 0,32 g. Masse cCJe Collector is connected to case Le collecteur est reli au boftier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) fT.) 425C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION amb (Saut indications contratres} Collector-base voltage _ Tension coltecteur-base Vopo 12 v Collector-emitter voltage Tension collecteur-metteur Voeo ~12 Vv Emitter-base volta Tension metteur-base, Veso 4 v Collector current Courant collecteur lg ~0,2 A Power dissipation Tamp= 25C (1) Pp 0,36 w Dissipation de puissance Tease 25C {2) tot 1,2 Ww Junction temperature Temprature de jonction 7; 200 C Storage temperature T 65 C Temprature de stockage sy +200: c 76-09 W4 THOMSON. CSF 2N 2894 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES Tamb = 25C (Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires) Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Veg =-6V cB = 80 nA fe =0 Collector-base cut-off current lop O Courant rsiduel collecteur-base Veg =-6V Cc I E = 0 10 vA Tamb= 125C Collector-emitter cut-off current Vee =0 I - Courant rsiduel coliecteur-metteur Vce =-6V CES 80 nA Vege =-6V Base cut-off current CE Courant rsiduel de bese Vep =0 Bes 80 na . | =0 Collector-emitter breakdown voltage E Tension de claquage collecteur-metteur Io =-10y"A Vig R)CBO 12 v Collector-base breakdown voltage Vee =9 Vv -12 Vv Tension de claquage collectsur-base I c = 10 pA (BR)CES . ! = Collector-emitter breakdown voltage B Ey Tension de claquage collecteur-metteur I c = 10 mA ViBRiceEO 12 v I = Emitter-base breakdown voltage c Vv _ Tension de clequage metteur-base le = 100 HA (BR)EBO 4 Vv I =-10 mA c 30 Veg =-O3V Ver =0,5 mA lon = -30 mA 40 150 Static forward current transfer ratio * Valeur statique du rapport de transfert _ hoy E direct du courant Vce =-1V 25 Io =100 mA Veg =-05V lo =-30 mA 17 Tambo 98C * Pulsed t, =300 ws 5 <2 % impuisions P 2/4 226 2N 2894 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES T =25C amb (Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires} Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. le =-10mA 0.16 Vv 'p = =-1mA ' Collector-emitter saturation voltage |' =30mA * _ Tension de saturation collecteur-mettsur || = -3 mA VcEsat 0,2 Vv Ip =100 mA Ig =-10mA 0,5 Vv | =-10mA Cc ig =imA -0,78 0,98 Vv Base-emitter saturation voltage lg = 30 mA Vee 0,85 -12 V Tension de saturation base-6metteur Ig =-3mA BEsat " | =~100 mA c _ Ig =10mA Ww Vv DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) Transition f Veg =10V ransition frequency = Frquence de transition Ic = 30 mA fr 400 MHz f = 100 MHz Output capacitance Vexg =-5V Capacit de sortie le =0 Comm 6 pF Transition zone capacitance Veg = 795 V Cy 6 pF Capacit de la zone de transition lg =0 e SWITCHING CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DE COMMUTATION Turn-on time ' = 30 mA Temps total dtablissement ib 21,5 mA tg*t 60 ns { sw 30 mA Turn-off time c Temps total de coupure Igy ~-1 mA tat 90 ns lpg = +15mA * Pulsed t,=300us 6 <2% impulsions P 3/4 227 2N 2894 THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES v2 v1 _+_ Generator Oscilloscope Gnrateur Oscilloscope t, < Ins 100 al] t, < Ins tp < 200 ns Z ~ 100 kQ Z = 502 0 4 10% 4 r v1 v1 Nee f 10% Zz V1 =-7V tyt t t, + te Vi =+6V Veg =+3V~ Veg =4V soy, | 90 % r v2 v2 . 90 % 4l4