BAS70
BAS70
Surface Mount Schottky Barrier Single/Dual Diodes
Schottky-Barrier Einzel-/Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2010-01-18
Dimensions - Maße [mm]
Power dissipation – Verlustleistung 310 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
70 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C)
per diode / pro Diode BAS70-series
Power dissipation − Verlustleistung 1) Ptot 310 mW 2)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) IFAV 200 mA 2)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom IFRM 300 mA 2)
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s IFSM 600 mA
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung VRRM 70 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
IF = 1 mA
IF = 15 mA
VF
VF
< 410 mV
< 1000 mV
Leakage current – Sperrstrom 3) VR = 50 V IR< 100 nA
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT2 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
trr < 5 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 400 K/W 2)
1 Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden
2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
3 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
2.5 max
1.3
±0.1
1.1
0.4
2.9
±0.1
12
3
Type
Code
1.9
BAS70
Pinning – Anschlussbelegung Marking – Stempelung
Single diode
einzelne Diode
1 = A 2 = n.c. 3 = C
BAS70 = 73
Dual diode, series connection
Doppeldiode, Reihenschaltung
1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2
BAS70-04 = 74
Dual diode, common cathode
Doppeldiode, gemeinsame Kathode
1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2
BAS70-05 = 75
Dual diode, common anode
Doppeldiode, gemeinsame Anode
1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2
BAS70-06 = 76
1
1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
21
3
2
3
1
21
3
21
3
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
V
F
[V] 1.41.00.80.60.40
[A]
I
F
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
T = 25°C
j
