TRANZYSTOR BSWP30 Tranzystor krzemowy polowy MOS epiplanarny z kana- " tem typu p wzbogacanym, z izolowana bramka. Jest przeznaczony do stosowania w uktadach przetacza- jacych maiej mocy oraz w ukiadach o duzej impedancji wejciowej. g . N\ 605 {<8 gate Tranzystor w obudowie TO72(CE25) DANE TECHNICZNE Wartosci dopuszczalne parametrw eksploatacyjnych Napiecie ujScie-Zrddio Ups 25 Vv Napiecie bramka- -rdlo Ugs +20 Vv Prad uj$cia Ip 500 mA Moc strat P 250 mW Temperatura kanatu ten 423 K (150 C) Zakres temperatury otoczenia tamd Parametry statyezne przy tamp = 298 K (25C) Prad uplywu bramki przy Uas = 20 Vv, Ups = 0 Tess Naplecie progowe bramki przy Ip = 10pA, Upc = 06 Prad uptywu ujscia przy Ups = 15V, Ucs=0 Ipss przy Ups = 15V, Ues = 0, tambo = 373 K (100C) Ipss Parametry dynamiczne przy temp = 298K (25C) Konduktancja przejciowa przy Ip = imA, Une = 9 Im Rezystancja kanatu przy Ip = 1mA, Ues =~20V przy Ups =~15V TDSton) TDs(ofsf) 28-T4/2 SWW 1156-21 233...373 K (40...+100 C) min. maks. Uaesro)4 14 Vv. min. maks. 1 _ mS _ 700 = 300 MQ PRODUCENT i DYSTRYBUTOR (aj UNITRA CEMI NAUKOWO-PRODUKCYIJNE CENTRUM POLPRZEWODNIKOW Zaktad DoSwiadczalny Plprzewodnikow przy ITE ul. Komarowa 5, 02-675 Warszawa telefon: 431431 do 39, teleks: 813219 22 Elementy ptprzewodnikowe