SFH 229 SFH 229 FA SFH 229 SFH 229 FA feof6447 feo06447 Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Speziell geeignet fur Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1100 nm (SFH 229) und bei 880 nm (SFH 229 FA) Kurze Schaltzeit (typ. 10 ns) 3 mm-Plastikbauform im LED-Gehause Auch gegurtet lieferbar Features Especially suitable for applications from 380 nm to 1100 nm (SFH 229) and of 880 nm (SFH 229 FA) Short switching time (typ. 10 ns) 3 mm LED plastic package Also available on tape Anwendungen Lichtschranken fur Gleich- und Wechselbetrieb Industrieelektronik "Messen/Steuern/Regeln" Applications Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits Typ (*vorher) Type (*formerly) Bestellnummer Ordering Code SFH 229 Q62702-P215 SFH 229 FA (*SFH 229 F) Q62702-P216 Semiconductor Group 1 01.97 SFH 229 SFH 229 FA Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg - 55 ... + 100 C Lottemperatur (Lotstelle 2 mm vom Gehause entfernt bei Lotzeit t 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t 3 s) TS 230 C Sperrspannung Reverse voltage VR 20 V Verlustleistung Total power dissipation Ptot 150 mW Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit SFH 229 SFH 229 FA S 28 ( 18) - nA/Ix S - 20 ( 10.8) A Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity S max 860 900 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax 380 ... 1100 730 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Flache Radiant sensitive area A 0.3 0.3 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Flache Dimensions of radiant sensitive area LxB 0.56 x 0.56 0.56 x 0.56 mm x mm Abstand Chipoberflache zu Gehauseoberflache Distance chip front to case surface H 2.4 ... 2.8 2.4 ... 2.8 mm Semiconductor Group 2 Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Normlicht/standard light A, T = 2856 K, VR = 5 V, = 950 nm, Ee = 1 mW/cm2 LxW SFH 229 SFH 229 FA Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics (cont'd) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value SFH 229 SFH 229 FA Einheit Unit Halbwinkel Half angle 17 17 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current IR 50 ( 5000) 50 ( 5000) pA Spektrale Fotoempfindlichkeit, = 850 nm Spectral sensitivity S 0.62 0.60 A/W Quantenausbeute, = 850 nm Quantum yield 0.90 0.88 Electrons Photon Leerlaufspannung Open-circuit voltage Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, = 950 nm VO 450 ( 400) - mV VO - 420 ( 370) mV Kurzschlustrom Short-circuit current Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, = 950 nm ISC 27 - A ISC - 9 A Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes t r, t f Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 ; VR = 10 V; = 850 nm; Ip = 800 A 10 10 ns Durchlaspannung, IF = 100 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 1.3 V Kapazitat, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 13 13 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV - 2.6 - 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC Normlicht/standard light A = 950 nm TCI Semiconductor Group 3 %/K 0.18 - - 0.2 SFH 229 SFH 229 FA Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics (cont'd) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value SFH 229 SFH 229 FA Einheit Unit Rauschaquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V, = 850 nm NEP 6.5 x 10- 15 6.5 x 10- 15 W Hz Nachweisgrenze, VR = 10 V, = 850 nm Detection limit D* 8.4 x 1012 8.4 x 1012 cm * Hz W Directional characteristics Srel = f () Semiconductor Group 4 SFH 229 SFH 229 FA Relative spectral sensitivity Srel = f () SFH 229 Relative spectral sensitivity Srel = f () SFH 229 FA Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ev) SFH 229 Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ee) SFH 229 FA Total power dissipation Ptot = f (TA) Dark current IR = f (VR), E = 0 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHZ, E = 0 Dark current IR = f (TA), VR = 10 V, E = 0 Semiconductor Group 5