SFH 229
SFH 229 FA
Semiconductor Group 1
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit
Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time
Wesentliche Merkmale
●Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 380 nm bis 1100 nm (SFH 229)
und bei 880 nm (SFH 229 FA)
●Kurze Schaltzeit (typ. 10 ns)
●3 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
●Auch gegurtet lieferbar
Anwendungen
●Lichtschranken für Gleich- und
Wechselbetrieb
●Industrieelektronik
●“Messen/Steuern/Regeln”
Features
●Especially suitable for applications from
380 nm to 1100 nm (SFH 229) and of
880 nm (SFH 229 FA)
●Short switching time (typ. 10 ns)
●3 mm LED plastic package
●Also available on tape
Applications
●Photointerrupters
●Industrial electronics
●For control and drive circuits
Typ (*vorher)
Type (*formerly) Bestellnummer
Ordering Code
SFH 229 Q62702-P215
SFH 229 FA
(*SFH 229 F) Q62702-P216
SFH 229
SFH 229 FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
feof6447 feo06447
01.97
SFH 229
SFH 229 FA
Semiconductor Group 2
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 55 ... + 100 °C
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t≤ 3 s)
TS230 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR20 V
Verlustleistung
Total power dissipation Ptot 150 mW
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 229 SFH 229 FA
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
VR = 5 V, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K,
VR = 5 V,λ= 950 nm, Ee = 1 mW/cm2
S
S
28 (≥ 18)
–
–
20 (≥ 10.8)
nA/Ix
µA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 860 900 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
λ380 ... 1100 730 ... 1100 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area A0.3 0.3 mm2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L×B
L×W
0.56 ×0.56 0.56 ×0.56 mm ×mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuse-
oberfläche
Distance chip front to case surface
H2.4 ... 2.8 2.4 ... 2.8 mm
SFH 229
SFH 229 FA
Semiconductor Group 3
Halbwinkel
Half angle ϕ±17 ±17 Grad
deg.
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current IR50 (≤ 5000) 50 (≤ 5000) pA
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity Sλ0.62 0.60 A/W
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield η0.90 0.88 Electrons
Photon
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T= 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm2,λ = 950 nm
VO
VO
450 (≥ 400)
–
–
420 (≥ 370)
mV
mV
Kurzschlußstrom
Short-circuit current
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T= 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm2,λ = 950 nm
ISC
ISC
27
–
–
9
µA
µA
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 50 Ω; VR= 10 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
tr,tf10 10 ns
Durchlaßspannung, IF= 100 mA, E = 0
Forward voltage VF1.3 1.3 V
Kapazität, VR= 0 V, f= 1 MHz, E = 0
Capacitance C013 13 pF
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
TCV– 2.6 – 2.6 mV/K
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
Normlicht/standard light A
λ = 950 nm
TCI
0.18
––
0.2
%/K
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 229 SFH 229 FA
SFH 229
SFH 229 FA
Semiconductor Group 4
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR= 10 V, λ = 850 nm
NEP 6.5 ×10– 15 6.5 ×10– 15 W
√Hz
Nachweisgrenze, VR= 10 V, λ = 850 nm
Detection limit D* 8.4 ×1012 8.4 ×1012 cm · √Hz
W
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 229 SFH 229 FA
Directional characteristics Srel =f (ϕ)
SFH 229
SFH 229 FA
Semiconductor Group 5
Relative spectral sensitivity Srel =f (λ)
SFH 229
Photocurrent IP=f (Ee), VR = 5 V
Open-circuit voltage VO=f (Ee)
SFH 229 FA
Capacitance
C = f (VR), f = 1 MHZ, E = 0
Relative spectral sensitivity Srel =f (λ)
SFH 229 FA
Total power dissipation
Ptot =f (TA)
Dark current
IR = f (TA), VR= 10 V, E = 0
Photocurrent IP=f (Ev), VR = 5 V
Open-circuit voltage VO=f (Ev)
SFH 229
Dark current
IR = f (VR), E = 0
