BAT54W
BAT54W
Surface Mount Schottky-Barrier Double-Diodes
Schottky-Barrier Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2011-10-19
Dimensions - Maße [mm]
Power dissipation – Verlustleistung 1) 200 mW 2)
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
30 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
SOT-323
Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C)
per diode / pro Diode BAT54W-series
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) IFAV 200 mA 2)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom IFRM 300 mA 2)
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
Tp ≤ 10 ms
Tp ≤ 5 µs
IFSM
IFSM
1 A
8 A
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung VRRM 30 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
125° C
-55…+15
Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
IF = 0.1 mA
IF = 1 mA
IF = 10 mA
IF = 30 mA
IF = 100 mA
VF
VF
VF
VF
VF
< 240 mV
< 320 mV
< 400 mV
< 500 mV
< 650 mV
Leakage current – Sperrstrom 3) VR = 25 V
VR = 30 V
IR
IR
< 2 µA
< 3 µA
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 1 Vdc , f = 100 kHz … 1 MHz
CT10 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
trr < 5 ns
Critical rate of rise of voltage –
Kritische Spannungsanstiegsgeschwindigkeit
dv/dt 10000 V/µs
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA 620 K/W 4)
1 Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden
2 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
3 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
4 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
1.3
0.3
1.25
±0.1
1
±0.1
2
±0.1
2.1
±0.1
Type
Code
3
21
BAT54W
Outline – Gehäuse Pinning – Anschlussbelegung Marking – Stempelung
Single diode – Einzeldiode
1 = A 2 = n.c. 3 = K
BAT54W = L4
or / oder KL1
Double diode, series connection
Doppeldiode, Reihenschaltung
1 = A1 2 = K2 3 = K1/ A2
BAT54SW= L44
or / oder KL4
Double diode, common cathode
Doppeldiode, gemeinsame Kathode
1 = A1 2 = A2 3 = K1/ K2
BAT54CW = L43
or / oder KL3
Double diode, common anode
Doppeldiode, gemeinsame Anode
1 = K1 2 = K2 3 = A1/ A2
BAT54AW = L42
or / oder KL2
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
21
3
2
3
1
21
3
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1
1
10
10
-1
-4
10
10
-2
-3
[A]
IF
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
T = 25°C
j
21
3