NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Wesentliche Merkmale * Speziell geeignet fur Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309) und bei 880 nm (SFH 309 FA) * Hohe Linearitat * 3 mm-Plastikbauform im LED-Gehause * Gruppiert lieferbar Features * Especially suitable for applications from 380 nm to 1180 nm (SFH 309) and of 880 nm (SFH 309 FA) * High linearity * 3 mm LED plastic package * Available in groups Anwendungen * Lichtschranken fur Gleich- und Wechsellichtbetrieb * Industrieelektronik * Messen/Steuern/Regeln" Applications * Photointerrupters * Industrial electronics * For control and drive circuits Typ Type Bestellnummer Ordering Code Typ Type Bestellnummer Ordering Codes SFH 309 Q62702-P859 SFH 309 FA Q62702-P941 SFH 309-3/4 Q62702-P3592 SFH 309 FA-3/4 Q62702-P3590 SFH 309-4 Q62702-P998 SFH 309 FA-4 Q62702-P178 SFH 309-4/5 Q62702-P3593 SFH 309 FA-4/5 Q62702-P3591 SFH 309-5 Q62702-P999 SFH 309 FA-5 Q62702-P180 SFH 309-5/6 Q62702-P3594 SFH 309 FA-5/6 Q62702-P5199 2000-01-01 1 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 309, SFH 309 FA Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg - 40 ... + 100 C Lottemperatur bei Tauchlotung Lotstelle 2 mm vom Gehause, Lotzeit t 5 s Dip soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 5 s TS 260 C Lottemperatur bei Kolbenlotung Lotstelle 2 mm vom Gehause, Lotzeit t 3 s Iron soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 3 s TS 300 C Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage VCE 35 V Kollektorstrom Collector current IC 15 mA Kollektorspitzenstrom, < 10 s Collector surge current ICS 75 mA Verlustleistung, TA = 25 C Total power dissipation Ptot 165 mW Warmewiderstand Thermal resistance RthJA 450 K/W 2000-01-01 2 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 309, SFH 309 FA Kennwerte (TA = 25 C, = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value SFH 309 SFH 309 FA Einheit Unit Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity S max 860 900 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% von Smax Spectral range of sensitivity S = 10% of Smax 380 ... 1150 730 ... 1120 nm 0.038 0.038 mm2 Bestrahlungsempfindliche Flache ( 220 m) A Radiant sensitive area Abmessungen der Chipflache Dimensions of chip area LxB LxW 0.45 x 0.45 0.45 x 0.45 mm x mm Abstand Chipoberflache zu Gehauseoberflache Distance chip front to case surface H 2.4 ... 2.8 2.4 ... 2.8 mm Halbwinkel Half angle 12 12 Grad deg. Kapazitat, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance CCE 5.0 5.0 pF Dunkelstrom Dark current VCE = 25 V, E = 0 ICEO 1 ( 200) 1 ( 200) nA 2000-01-01 3 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 309, SFH 309 FA Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Parameter Fotostrom, = 950 nm Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V SFH 309: Ev = 1000 Ix, Normlicht/ standard light A, VCE = 5 V Symbol Symbol IPCE IPCE Anstiegszeit/Abfallzeit tr, tf Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 k Kollektor-EmitterSattigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) x 0.3, Ee = 0.5 mW/cm2 VCEsat Wert Value Einheit Unit -2 -3 -4 -5 -6 0.4 ... 0.8 1.5 0.63 ... 1.25 2.8 1.0 ... 2.0 4.5 1.6 ... 3.2 7.2 2.5 ... 5.0 11.2 mA 5 6 7 8 9 s 200 200 200 200 200 mV 1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe. 1) IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group. mA Directional Characteristics Srel = f () 2000-01-01 4 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 309, SFH 309 FA Relative Spectral Sensitivity, SFH 309 Srel = f () Relative Spectral Sensitivity, SFH 309 FA Srel = f () Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V Photocurrent IPCE = f (VCE), Ee = Parameter ICEO = f (VCE), E = 0 OHF01121 100 S rel % 80 60 40 20 0 400 600 800 1000 nm 1200 Total Power Dissipation Ptot = f (TA) Dark Current OHF01527 10 1 nA CEO 10 0 10 -1 10 -2 10 -3 Dark Current ICEO = f (TA), VCE = 25 V, E = 0 OHF01530 10 3 nA CEO Capacitance CCE = f (VCE), f = 1 MHz, E = 0 5 10 15 20 25 30 V 35 V CE Photocurrent IPCE/IPCE25 = f (TA), VCE = 5 V OHF01528 5.0 0 PCE OHF01524 1.6 PCE 25 C CE pF 1.4 4.0 10 2 1.2 3.5 10 1 3.0 1.0 2.5 0.8 2.0 0.6 1.5 10 0 0.4 1.0 0.2 0.5 10 -1 -25 0 2000-01-01 25 50 75 C 100 TA 0 10 -2 10 -1 10 0 5 10 1 V 10 2 V CE 0 -25 0 25 50 75 C 100 TA OPTO SEMICONDUCTORS SFH 309, SFH 309 FA Mazeichnung Package Outlines Collector (Transistor) Cathode (Diode) 1.8 (3.5) 1.2 29 6.3 27 5.9 0.6 0.4 o3.1 o2.9 0.7 0.4 2.54 mm spacing 0.8 0.4 Area not flat 5.2 4.5 4.1 3.9 4.0 3.6 Chip position GEO06653 Mae in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified. 2000-01-01 6 OPTO SEMICONDUCTORS