SFH 309
SFH 309 FA
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
SFH 309 SFH 309 FA
2000-01-01 1 OPTO SEMICONDUCTORS
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309) und bei
880 nm (SFH 309 FA)
• Hohe Linearität
• 3 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
• Gruppiert lieferbar
Anwendungen
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code Typ
Type Bestellnummer
Ordering Codes
SFH 309 Q62702-P859 SFH 309 FA Q62702-P941
SFH 309-3/4 Q62702-P3592 SFH 309 FA-3/4 Q62702-P3590
SFH 309-4 Q62702-P998 SFH 309 FA-4 Q62702-P178
SFH 309-4/5 Q62702-P3593 SFH 309 FA-4/5 Q62702-P3591
SFH 309-5 Q62702-P999 SFH 309 FA-5 Q62702-P180
SFH 309-5/6 Q62702-P3594 SFH 309 FA-5/6 Q62702-P5199
Features
• Especially suitable for applications from
380 nm to 1180 nm (SFH 309) and of 880 nm
(SFH 309 FA)
• High linearity
• 3 mm LED plastic package
• Available in groups
Applications
• Photointerrupters
• Industrial electronics
• For control and drive circuits
2000-01-01 2 OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 309, SFH 309 FA
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 40 …+ 100 °C
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t≤ 5 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s
TS260 °C
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t≤ 3 s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 3 s
TS300 °C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage VCE 35 V
Kollektorstrom
Collector current IC15 mA
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current ICS 75 mA
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation Ptot 165 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance RthJA 450 K/W
SFH 309, SFH 309 FA
2000-01-01 3 OPTO SEMICONDUCTORS
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 309 SFH 309 FA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 860 900 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10% of Smax
λ380 …1150 730 …1120 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche (∅220 µm)
Radiant sensitive area A0.038 0.038 mm2
Abmessungen der Chipfläche
Dimensions of chip area L×B
L×W0.45 ×0.45 0.45 ×0.45 mm ×mm
Abstand Chipoberfläche zu
Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
H2.4 …2.8 2.4 …2.8 mm
Halbwinkel
Half angle ϕ±12 ±12 Grad
deg.
Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E=0
Capacitance CCE 5.0 5.0 pF
Dunkelstrom
Dark current
VCE = 25 V, E=0
ICEO 1 (≤200) 1 (≤200) nA
2000-01-01 4 OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 309, SFH 309 FA
Directional Characteristics Srel = f (ϕ)
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern
gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by
arabian figures.
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
-2 -3 -4 -5 -6
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
Ee = 0.5 mW/cm2,VCE = 5 V
SFH 309:
Ev = 1000 Ix, Normlicht/
standard light A, VCE = 5 V
IPCE
IPCE
0.4 …
0.8
1.5
0.63 …
1.25
2.8
1.0 …
2.0
4.5
1.6 …
3.2
7.2
2.5 …
5.0
11.2
mA
mA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ
tr,tf56 789µs
Kollektor-Emitter-
Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation
voltage
IC = IPCEmin1) × 0.3,
Ee = 0.5 mW/cm2
VCEsat 200 200 200 200 200 mV
1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
1) IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group.
SFH 309, SFH 309 FA
2000-01-01 5 OPTO SEMICONDUCTORS
Relative Spectral Sensitivity,
SFH 309 Srel = f (λ)
Total Power Dissipation
Ptot = f(TA)
Dark Current
ICEO =f (TA), VCE = 25 V, E = 0
λ
OHF01121
0
rel
S
400 600 800 1000 1200
20
40
60
80
%
100
nm
T
OHF01530
A
CEO
Ι
-1
10
10
0
10
1
10
2
10
3
-25
nA
0 25 50 75 100
˚C
Relative Spectral Sensitivity,
SFH 309 FA Srel = f (λ)
Photocurrent
IPCE = f (VCE), Ee= Parameter
Capacitance
CCE = f (VCE), f = 1 MHz, E = 0
V
OHF01528
CE
-2
10
CE
C
10
-1
10
0
10
1
10
2
0V
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
5.0
pF
Photocurrent
IPCE =f (Ee), VCE = 5 V
Dark Current
ICEO =f (VCE), E = 0
Photocurrent
IPCE/IPCE25˚ = f (TA), VCE = 5 V
V
OHF01527
CE
CEO
Ι
-3
10
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0 5 10 15 20 25 30 35V
nA
T
OHF01524
A
0
-25
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0 25 50 75 100
Ι
PCE
PCE
Ι
25
C
2000-01-01 6 OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 309, SFH 309 FA
Maßzeichnung
Package Outlines
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified.
0.6
0.4
4.0
3.6
ø3.1
ø2.9
4.1
3.9
5.2
4.5
(3.5)
6.3
5.9
1.8
1.229
27
2.54 mm
spacing
0.7
0.4
Chip position
Collector (Transistor)
Area not flat
GEO06653
0.4
0.8
Cathode (Diode)
