F139 B TO 18 TO 39 (CB 76) (CB 6) (CB 7) Silicon NPN transistors, general purpose (continued) Transistors NPN silicium, usage gnral (suite) Tamb= 25 C VcEO ts (Vv) hate VCEsat fT (ns) Case Prot VcER } hate Ic iv) \c/Ip (MHz) | toff* TSi 76 Type Boitier {mW) VceEx2 | min max {mA} max (mA) min max Page BCW 94C F 139 Bo 540 40 200 400 50 0,25 50/5 908 439 BCWS5A F 139 Bo 40 60 100 200 50 0,25 50/5 70 439 BCW 95 B F 139 B. 540 60 150 300 50 0,25 50/5 80 439 BCY 58 TO18 330 32 80 4000 410 0,7 4100/2,5 450 800* 451 *BCY 59 TO 18 330 45 80 1000 10 0,7 100/2,5 150 800* 451 BFY 50 TO 39 800 35 30 150 0,2 150/15 60 300 # BFY 51 TO 39 800 30 30 150 0,2 150/15 60 300 # BFY 52 TO 39 800 20 30 150 0,2 150/15 60 300 # BFY 56A TO 39 800 55 40 120 150 1 1000/100 60 800* 693 *BSX 24 TO 18 300 32 35 50 0,35 100/10 2008 711 BSX 45 _T039 3000! 40 40 250 100 1 1000/100 50 B60" 713 BSX 46 TO 39 50002 60 40 250 100 1 1000/100 50 850* 713 BSX 51 TO 18 ~ 300 25 75 225 2 0,3 50/3 150 130 719 BSX 51A TO 18 300 50 75 225 2 0,3 50/3 150 130 719 BSxX 51B TO 18 300 60 75 225 2 0,3 50/3 150 130 719 BSX 52 TO 18 300 25 180 540 2 0,3 50/3 150 130 719 BSX52A TO 18 300 50. 780 540 2 03 50/3 50 730 719 BSx 52B TO 18 300 60 180 540 2 0,3 50/3 150 130 71 BSY 51 TO 39 800 25 40 120 150 0,8 150/15 100 727 BSY 52 TO 39 800 25 100 300 150 O8 450/15 130 727 BSY 53 TO 39 800 30 40 120 150 0,6 150/15 100 733 BSY 54 TO 39 B00 30 100 300 150 0,6 150/15 145 733 BSY 55 TO 39 800 80 40 120 150 0,6 150/15 4100 739 BSY 56 TO 39 800 80 100 300 150 0,6 150/15 145 739 BSY 79 TO 18 300 1207 30 1 08 2/0,2 100 746 BSY 82, TO 39 900 18 100 300 150 0,25 150/15 1208 # * ; " Tease = 25 OC VcE <6 V Preferred device & Typical value : Plastic case 2 Tease = 25C Vee S7V # To be published later Dispositif recommand Valeur typique Boitier plastique 4 Sera publie ultrieurement VcBo 48