Je > 2 N 4036 Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-Transistor Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor Anwendungen: Allgemein Applications: General Besondere Merkmale: Features: @ Hohe Sperrspannung @ High reverse voltage @ Verlustieistung 7 W @ Power dissipation 7 W Abmessungen in mm Dimensions in mm Kollektor mit Gehause verbunden Collector connected with case Normgehause Case 5 C3 DIN 41873 JEDEC TO 39 Gewicht - Weight max. 1,59 Absolute Grenzdaten Absolute maximum ratings Kollektor-Basis-Sperrspannung -Ucpo 90 Vv Collector-base voitage Kollektor-Emitter-Sperrspannung -UcEO 65 Vv Collector-emitter voltage Rpg = 2000 -UcER 85 Vv -Uep = 1,5V -Ucey 85 Vv Emitter-Basis-Sperrspannung - VERO 7 Vv Emitter-base voltage Kollektorstrom wIo 1 A Collector current Basisstrom Ip 500 mA Base current Gesamtverlustleistung Total power dissipation tamb =25 ac Prot 1 W loase S25, Uce =10V Prot 7 WwW Sperrschichttemperatur ij 200 c Junction temperature Lagerungstemperaturbereich 'stg -65 ... +200 C Storage temperature range B 2/V.2. 558/0875 A 1 525 2 N 4036 Warmewiderstande Min. Thermal resistances Sperrschicht-Umgebung Rina Junction ambient Sperrschicht-Gehause Rinuc Junction case Statische KenngrBen DC characteristics lamb = 25C, falls nicht anders angegeben unless otherwise specified Kollektorreststrom Collector cut-off current - Ucs = 60 V, tamb = 150C -IcBo*) Emitterreststrom Emitter cut-off current ~ Upp =5V JEBO Kollektor-Basis-Durchbruchspannung Collector-base breakdown voltage I = 100 pA - UBR)CBO 90 Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung Collector-emitter breakdown voltage _ 1 -Ig = 100 mA - UBR)CEO )) 65 = * ~Ig = 100 mA, Rep = 2000 - U(BR)CER") ) 85 ~ Uppycev*)) 85 Emitter-Basis-Durchbruchspannung Emitter-base breakdown voltage -Ie = 100 pA ~ UBR)EBO 7 Kollektor-Sattigungsspannung Collector saturation voltage = - xy -le = 150 mA, lp =15mA UcEsat y) Basis-Emitter-Spannung Base-emitter voltage - Ucg = 10 V, Ig = 150 mA - Upe*)!) Kollektor-Basis-Gleichstromverhaltnis DC forward current transfer ratio - Uoe =10V, vIo = 0,1 mA hee 20 - Uce =10V, Io =150 mA AFE 40 - UcE = 10V, Io =500 mA Are 20 t *) AQL = 0,65%, **) AQL =2,5%, ') + = 0,01, tp = 0,3 ms 526 Typ. Max. 165 25 20 20 50 20 650 1,1 140 C/W CIW nA pA nA <<< mV 2 N 4036 Dynamische Kenngr6Ben Min. Typ. Max. AC characteristics famb = 25C Transitfrequenz Gain bandwidth product Uog = 10 V, -Ig = 50 mA, f = 20 MHz ST 60 MHz Kollektor-Basis-Kapazitat Collector-base capacitance -Ucp = 10V, f = 1MHz CcBo 30 pF Schaltzeiten Switching characteristics -Ig = 150 mA, ~1p4 ~ Igo 15 MA, tamp = 25C Einschaltzeit Ton) 110 ns Turn-on time Ausschaltzeit loft) 700 ns Turn-off time Rg =50Q tf =t<2 ns tp =0,2 HS | tp Oszilloskop: Oscilloscope: 0 R, 2100 kQ ov] 75592 MeBschaltung fir: tt Test circuit for: on off *) siehe MeBschaltung see test circuit 527