_____-#- TRANZYSTORY n-p-n *%* BF194 i BF195 Tranzystory krzemowe epiplanarne mate} mocy wielkiej czestotliwosci. Sq przeznaczone do stosowania: w stopniach wejciowych w zakresie fal dhigich, sred- nich i krtkich w odbiornikach radiowych AM w stopniach poredniej czestotliwoSci w odbiornikach radiowych AM/FM w_stopniach przemiany czestotliwogci w gtowicach UKF. 42209 4max 8 i 254 I. 254 |} Tranzystor w obudowie plastykowej TM1(CE36) 1E eC #402 O27 503 DANE TECHNICZNE Wartosci dopuszezalne parametrw eksploatacyjnych Napiecie kolektor - -baza Ucso 30 Vv Napiecie kolektor- -emiter Uc 20 Vv Napiecie emiter-baza Uzgo 4 Vv Prad kolektora Ic 30 mA Prad bazy Ip 1 mA Moc catkowita Prot 160 mw Temperatura zlacza t; 398 K (125 C) Zakres temperatury sktadowania tstg 208...398 K (65...4125 C) 15 Elementy piprzewodnikowe 16-74/2 SWW 1156-213 TRANZYSTOR BFI194 Parametry statyczne przy tamp = 298K (25C) min. typ. maks. Prad zerowy kolektor-baza przy Ucpo =10V Toag _~ _ 100 - nA Napiecie przebicia kolektor-baza , przy Ix = 0, Ig = 10 pA Uerycro 30 _ Vv Napiecie przebicia kolektor-emiter przyJp=0, | Ig =2mA Uarycro 20 _ _ Vv Napiecie przebicia emiter-baza przy Ic = 0, , Ig = 10 pA U ary ea0 4 _ _ Vv Napiecie state miedzy baza a emiterem przy Ic = 1mA, Uce = 10V Use 0,65 0,7 0,74 V Wspdiczynnik wzmocnienia pra- dowego* przy Ic =1mA, Uce=10V hor WL3 67 _ 160 kl.4 90 150 klL5 140 225 Parametry dynamiczne przy tamp = 298K (25C) min. typ. __ maks, CzestotliwoSs gra- niezna przy Ic = 1mA, Uce = 10 Vv, f = 100 MHz fr 150 = 300 ~ MHz Pojemnos sprzezenia zwrotnego przy Ic = 1mA, Uce = 10 Vv, f =1MHz ~Cr2es 0,65 1 pF Stala czasowa sprze- zenia zwrotnego przy Ic = 5mA, Uce = 10 V, . f = 50 MHz TeooCco 17 ps a * Podziatu na klasy dokonuje sie na zyczenie odbiorcy okrelone w zamwieniu, 16-74/2 Wspdtczynnik szumw przy Ic =1mA, Uce = 10V, f = 200 kHz, 09 =2mS F 1,5 dB przy Ic = 1 mA, Uce = 10V, f =1MHz, 07 =1,5mS F _ 1,2 dB Wspotezynnik szumw mieszania przy Ic =1mA, Uce = 10V, f = 200 kHz, 9g = 0,6 mS Fe _ 3 dB przy Ic =1mA, . Ucer =10 Vv, f =1MHz, 9g = 1,2mS . Fe 2 dB Konduktancja wejciowa przy Ic = 1mA, Uce = 10 Vv, f = 500 kHz Gure _ 035 mS przy Ic = 1mA, - Ucez = 10 Vv, f = 10 MHz One 0,4 ms Konduktancja wyjsciowa przy Ic =1mA, Ucg = 10V, f = 500 kHz Gove _ 4 4S przy Ic = 1 mA, . Ucz = 10 Vv, f = 10 MHz Goze _ 6 _ us TRANZYSTOR BFI195 Parametry statyczne przy tamp = 298K (25C) min. typ. _maks, Prad zerowy kolek- as tor-baza przy Ucno=10V Ica - = 100 nA Napiecie przebicia kolektor-baza przy Ip = 0, Ig = 10 pA Usryceo 30 _ _ Vv Napiecie przebicia : kolektor-emiter przy Ip = 0, Ic =2mA U.eryceo 20 _ _ Vv Napiecie przebicia . emiter-baza przy Ic = 0, Tg = 10pA Uaryzpe 5 _ - Vv Napiecie state miedzy bazqa a emiterem przy Ic =1mA, Uceg = 10V Use 0,65 0,7 0,74 V Wspdiczynnik . wzmocnienia pra- dowego* przy Ic = 1mA, Uce = 10V haz kL2 35 _ 70 _ kl. 3 60 100 kl4 90 _ 125 - __ . *Podzialu na klasy dokonuje sie na zyczenie odbiorcy okreSlone w zamdwieniu. Parametry dynamiczne przy tamp = 298K (25C) Czestotliwo8 gra- niczna przy Ic =1mA, Ucs = 10V, f = 100 MHz Pojemnos sprzezenia zwroatnego przy Ic =1mA, Uce = 10 V, f=1MHz Stala czasowa sprzeze- nia zwrotnego przy Ic =5mA, Ucr =10 Vv, f = 50 MHz Wspdiezynnik szum6w przy Ic =1mA, Uce = 10V, f = 100 MHz 9g = 10mS Konduktancja wejsciowa przy Ic =1mA, Uce = 10 Vv, f = 100 MHz Susceptancja wejsciowa przy Ic =1mA, Uce = 10V, f = 100 MHz Pojemnog wejsciowa przy Ic =1mA, Uce = 10V, f = 100 MHz Admitancja przenosze- nia w prz6d (modut) przy Ic = 1mA, Ucz = 10 Vv, f = 100 MHz Faza admitancji prze- noszenia w przd przy Ic = 1mA, Uce = 10V, f = 100 MHz Konduktancja wyjSciowa przy Ic =1mA, Uce = 10 Vv, f = 100 MHz Susceptancja wyjsciowa przy Ic =1mA, Uce = 10 Vv, f = 100 MHz Pojemnos wyjsciowa przy Ic =1mA, Ucez = 10 Vv; f = 100 MHz . Konduktancja wejsciowa przy Ic =1mA, ~Uce = 10 Vv, = 500 kHz przy Ic = 1mA, Uce = 10 Vv, f = 10MHz Cizes ; Too Co Giib Bip Ci lYoun| Paid Garb Deeb Coan Dite Otte 150 typ. 250 32 32 150 80 700 1,2 0,55 0,6 maks. ll MHz pF ps dB mS ms pF ms us ps pF ms ms Konduktancja wy jSciowa przy Ic = 1mA, Uce = 10V, f = 500 kHz przy Ic =1mA, Uce = 10 Vv, f = 10 MHz Gove 3 ps Dove _- 2 ps 16-7422 326 Prop mw. 240 200 160 120 80 0 30 60 90 tam 50 ZaleznoS temperaturowa mocy strat Piotr = f (tam) 16 Fi OF 194 ) BF 195 A [A] lamp = 25C 4 10 yA OuA yA ? [p= 20uA 0 4 a Url] 20 Charakterystyka wyjSciowa Ic =f (Ucs); Ip pa- rametr 16 Io| BF 194 BF 195 inf 12 10 -2 0 2 4 Upglf 8 Charakterystyka wyjSciowa Ic = f (Uca); Iz pa- rametr BF 194 ta) pe 195 La Uce = 10V tome = 25C 120 100 80 60 40 20 0 02 04 46 yt Charakterystyka wej&ciowa In = f (Upz); Ucr pa- rametr 16-74/2 5 &f 194 5001) BF 195 [m a, 0 ! 0 ZaleznoS wspdtezynnika =f (f) 00 f 1000 szum6w i optymalne} konduktancji Zrdia od czestotliwogci F; Gs op: = PRODUCENT | NITRA wo ren -NAUKOWO-PRODUKCYJNE CENTRUM POLPRZEWODNIKOW ,,TEWA ul, Komarowa 5 02-675 Warszawa Telefon: 431431 Teleks: 813219 DYSTRYBUTOR UNIT NES BIURO ZBYTU SPRZETU TELERADIOTECHNICZNEGO ul, Nowogrodzka 50 00-695 Warszawa Telefony: 289411, 286471 Teleks: 813435