Semiconductor Group 1 1998-04-20
Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter
Wesentliche Merkmale
●Speziell geeignet für Anwendungen bei
880 nm
●Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
●5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
●Auch gegurtet lieferbar
Anwendungen
●IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern und Gerätefernsteuerungen
●Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Features
●Especially suitable for applications of
880 nm
●Short-switching time (typ. 20 ns)
●5 mm LED plastic package
●Also available on tape
Applications
●IR-remote cont rol of hi-fi and TV sets, vid eo
tape recorders, dimmers, remote control of
various equipment
●Photointerrupters
Typ (*vorher)
Type (*formerly) Bestellnummer
Ordering Code
SFH 225 FA
(*SFH 225) Q62702-P1051
SFH 225 FA
Maße i n mm, w enn nicht anders an gegeben/D im ens ions in mm, unle ss ot herwise specified.
feo06422
SFH 225 FA
Semiconductor Group 2 1998-04-20
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 80 °C
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)
TS230 °C
Sperrspannung
Re verse voltage VR20 V
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation Ptot 150 mW
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 870 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
VR = 5 V, Ee = 1 mW/cm2
S34 (≥ 25) µA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 900 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
λ740 ... 1120 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area A 4.84 mm2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L×B
L×W
2.20 ×2.20 mm ×mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
H0.6 ... 0.8 mm
Halbwinkel
Half angle ϕ±60 Grad
deg.
SFH 225 FA
Semiconductor Group 3 1998-04-20
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current IR2 (≤ 30) nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity Sλ0.63 A/W
Quantenausbeute
Quantum yield η0.90 Electrons
Photon
Leerlaufspannung, Ee = 0.5 mW/cm2
Open-circuit voltage VO330 (≥ 250) mV
Kurzschlußstrom, Ee = 0.5 mW/cm2
Short-circuit current ISC 17 µA
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 50 Ω; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
tr, tf20 ns
Durchlaßspannung, IF = 100 mA, E = 0
Forward voltage VF1.3 V
Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MH z, E = 0
Capacitance C048 pF
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
TCV– 2.6 mV/K
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
TCI0.18 %/K
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR = 10 V
NEP 3.6 ×10– 14 W
√Hz
Nachweisgrenze, VR = 10 V
Detection limit D* 6.1 ×1012 cm · √Hz
W
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 870 nm)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 225 FA
Semiconductor Group 4 1998-04-20
Relative spectral sensitivity
Srel = f (λ)
Dark current
IR = f (VR), E = 0
Photocur rent IP = f (Ee), VR = 5 V
Open-circuit voltage VO = f (Ee)
Capacitance
C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0
Total power dissipation
Ptot = f (TA)
Dark current
IR = f (TA), VR = 10 V, E = 0
λ
OHF01430
400
rel
S
0600 800 1000 nm 1200
10
20
30
40
50
60
70
80
%
100
0
OHF00080
Ι
R
R
V
0 5 10 15 V 20
1000
2000
3000
4000
pA
E
OHF01056
e
0
10
P
Ι
-1
10 10
1
10
2
10
4
10
0
10
1
10
2
10
34
10
3
10
2
10
1
10
10
0
V
O
µ
AmV
Ι
P
V
O
2
W/cm
µ
T
OHF00398
A
0
tot
P
020 40 60 80 ˚C 100
mW
20
40
60
80
100
120
140
160
T
OHF00082
A
-1
10 0
R
Ι
10
0
10
1
10
2
10
3
nA
20 40 60 80 ˚C 100
Directional characteristics Srel = f (ϕ)
OHF01402
90
80
70
60
50
40 30 20 10
20 40 60 80 100 1200.40.60.81.0
ϕ
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
100 0
0
0
