NPN SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL COLLECTOR 2N 5671 TRANSISTORS SILICIUM,NPN COLLECTEUR EPITAXIE 2 N 5672 - High speed, high current, high power transistor Transistor de puissance rapide fort courant 90 V 2N 5671 - Fast switching and amplifier applications Vceo {120 v 2N 5672 Transistors damplification et de tatie id amplification et de commutation rapide Ic 30 A Prot 140 W Rthij-c) < 1,25 C/W VeEsat(15A) <= 9,75 V Dissipation derating Case TO-3 See outline drawing CB-19 on last pages Variation de dissipation Boitier Voir dessin cot CB-19 dernires pages 100 % Bottom view TN | Vue de dessous E | 75 | i IN 50 | o> } I 25 N | 1 5 Weight :14,4 g Collector is connected to case 8 So 09 150 tease (C) Masse Le collecteur est reli au boftier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) t = 25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION case (Sauf indications contraires) 2N 5671 2N 5672 Collector-base voltage Vv Tension collecteur-base cBO 120 150 Vv Collector-emitter voltage Vv Tension collecteur-emetteur CEO 90 120 Vv Collector-emitter voltage Vv Tension collecteur-metteur Ree = 50 9 CER 110 140 Vv Collector-emitter voltage __ Vv Tension collecteur-metteur VBE =-15V CEX 120 150 Vv Emitter-base voltage Tension metteur-base VeBo 7 7 v Collector current I Courant collecteur c 30 30 A Base current 1 Courant base B 10 10 A Power dissipation = 25 P Dissipation de puissance tease = 25C tot 140 140 Ww Junction temperature t Temprature de janction max. J 200 200 C Storage temperature min, t -65 65 C Temprature de stockage max. stg +200 +200 C 74-3 1/3 THOMSON - CSF DIVISION SEMICONOUCTEURS: 405 Sesoeenn 2N 5671, 2N 5672 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tease = 25C {Unless otherwise stated) {Sauf indications contraires) Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Collector-emitter cut-off current Voge =80V Courant rsiduel collecteur-metteur ip =0 ceo 10 mA Voge = 110 V 2 mA Vee = 15V Voge = 100 V 2N 5671 Vee =-i15V 15 mA 9; toase = 150C Collector-emitter cut-off current loex Courant rsiduel collecteur metreur Vv 138 V c cE = 10 mA Vee = 15 Vv Vee = 100 V 2N 5672 VBE = ~18 Vv 10 mA toase = 150C Emitter-base cut-off current Veg =/7V eso 10 mA Courant rsiduel metteur-base I c = 0 | = 200 mA Coilector-emitter breakdown voltage ic =0 ViBRICEO 2N 5671 90 v Tension de claquage collecteur-metteur 8 = ON 5672 120 tL =15mH I = 200 mA Collector-emitter breakdown voltage A -502 ViBRICER 2N 5671) 1410 Vv Tension de claquage collecteur-metteur BE = 2N 5672 140 L =18mH Veg = 15 V Collector-emitter breakdown voltage Io = 200mA Vv 2N 5671 120 Vv Tension de claquage collecteur-metteur Rag = 50 Q (BR)CEX 2N 5672 150 L =2mH Voge =2V 20 100 Static forward current transfer ratio Ic = 15 A h * Valeur statique du rapport de transfert 21E direct du courant Vv cE= 5Vv 20 lc = 20A Collector-emitter saturation voltage Ig =15A Voesat* 0,75 Vv Tension de saturation collecteur-metteur Ig = 1,2 A Base-emitter saturation voltage ! =I5A * Tension de saturation base-matteur Ip =1,2A VeEsat 15 v * Pulsed t impulsions Pp =300us 6 <2% 2/3 406 2N 5671, 2N 5672 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tease = 25C (Unless otherwise stated) {Sauf indications contraires) Test conditions Min. Typ. Max. Conditions de mesure Base-emitter voltage Voce =5 VY Tension base-metteur Ig =15A VeE 1,6 v Voce = v 5,8 A Second breakdown coltector current =} i Courant collecteur de second claquage 8/8 Voce =45V 09 A t = Is Vee =4V Second breakdown energie l =ISA E. Energie de second claquage Rog =202 S/B 20 mJ Lo = 180 pH DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) Vog = 10 V Transition frequency _? f Frquence de transition Ig =2A T 50 MHz f = 5 MHz Output capacitance Vv =10V Cc. Capacit de sortie f cB = 1 MHz 22b 900 pF T Voe=a0vy] ic = 184 urn-on time = Temps total dtablissement ce Ip, =L2A tgtt 0,5 us tp =-12A Fall ti WVeg=aovy) ic 2184 alt time = Temps de dcroissance ce 'p4 =1,2A tr 0,5 us Ipo =-1,2A In. =I15A Carrier storage time (Vac =30V}| Retard a la dcroissance ce lg, =l2A , 1,5 us Igo =-1,2A THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance Roe Rsistance thermique {jonction-boitier) th(j-c) 1,25 c/w 3/3 407