ES1A ... ES1J
ES1A ... ES1J
Superfast Efficient SMD Rectifier Diodes
Superschnelle SMD-Gleichrichter für hohen Wirkungsgrad
IFAV = 1 A
VF1 < 0.92 V
Tjmax = 150°C
VRRM = 50...600 V
IFSM = 30/33 A
trr < 15...35 ns
Version 2017-02-06
~ SMA / ~ DO-214AC
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Rectification of higher frequencies
High efficient switching stages
Commercial grade 1)
Typische Anwendungen
Gleichrichtung hoher Frequenzen
Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad
Standardausführung 1)
Features
Extremely low reverse recovery time
Low forward voltage drop
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Extrem niedrige Sperrverzugszeit
Niedrige Fluss-Spannung
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped and reeled 7500 / 13“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.07 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
ES1A 50 50
ES1B 100 100
ES1C 150 150
ES1D 200 200
ES1F 300 300
ES1G 400 400
ES1J 600 600
Average forward current – Dauergrenzstrom TT = 100°C IFAV 1 A
Repetitive peak forw. current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz TT = 100°C IFRM 6 A
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms) IFSM
30 A
33 A
Rating for fusing, – Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 4.5 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Characteristics Kennwerte
Thermal resistance junction to ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
Thermal resistance junction to terminal – Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
RthA
RthT
< 70 K/W 3)
< 30 K/W
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Typ
0.15 1
± 0.3
4.5
± 0.3
1.5
±0.1
2.1
± 0.2
2.2
± 0.2
5
± 0.2
2.7
0.2±
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
ES1A ... ES1J
Characteristics Kennwerte
Type
Typ
Tj = 25°C
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
trr [ns] 1)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] at / bei IF [A]
ES1A...ES1D < 15 < 0.92 1
ES1F...ES1G < 25 < 1.3 1
ES1J < 35 < 1.7 1
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C VR = VRRM IR
< 5 µA
< 100 µA
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
I
FAV
[%]
[°C]
T
A
150100
50
0
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
[V]V
F
10
1
0.1
10
10
-2
-3
ES1A...D
T = 25°C
j
ES1F...G
ES1J
10
1
10
10
10
-1
-2
-3
[µA]
I
R
0V
RRM
40 60 100
[%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
T = 25°C
j
T = 125°C
j
T = 85°C
j
[pF]
[V]
C
j
V
R
T = 25°C
j
f = 1.0 MHz
Junction capacitance vs. reverse voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Sperrspg. (typ.)
