PNP SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL BASE 2 N 4904 TRANSISTORS SILICIUM PNP, BASE EPITAXIEE 2 N 490 5 2N 4906 - LF large signal power amplification V 2N 4904 Amplification BF grands signaux de puissance VcEo 60 V 2N 4905 - Switching medium current 80 V 2N 4906 Commutation courant moyen Io -5SA Prot 87,5 W Reh(j-c) 2Cc/w max. ho1.6(2,5 Aj25 100 fr 4 MHz min, Dissipation and Igg derating Case TO-3 See outline drawing CB-19 on last pages Variation de dissipation et de Isa Boitier Voir dessin cot CB-19 nes pages 100 % = 4 M9 75 IN Ph \ a > 166 % 50 Ne Bottom view 25 Vue de dessous o Weight : 14,4 g. Collector is connected to case 50 100 150 t {c) Masse Le collecteur est reli au boitier case ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) to. = + 25C (Untess otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION case (Saut indications contraires} 2N 4904 2N 4905 2N 4906 Fee a a ee Fonaton votecmuranoreer Vceo 40 60 -80 v Collector-emitter voltage Rpg = 1002 Voer 40 60 80 Vv Collector ate, olay Mee=~15 | Vorx | -o - -s0 |v Fre eee veo | 6 5 - | v Courant calectour lc -5 -5 5 A Coonaras cates de conacteur i =5ms 'om -10 -10 -10 A Gourent bee 'B -1 -1 - A Diniesvon oa vance Tease = 25C Prot 875 87,5 875 Ww Tonedotuts tk onation max 4 200 200 200 C Storage temperature min teeg ~65 65 65 emprature de stockage max +200 +200 +200 C 74-1 wT own eae 3752N 4904, 2N 4905, 2N 4906 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tamb = 25C (Unless otherwise stated) {Sauf indications contraires} Test conditions Min. Typ. Max. Conditions de mesure Voce = 40 V 2N 4904 4 mA ig = Collector-emitter cut-off current Vee = 60 V \ Courant rsiduel collecteur-6metteur Ig =0 CEO 2N 4905 1 mA Vee =-80V le = 2N 4906 -1 mA Vv =-40V CE Vee = 18V o.1 ma 2N 4904 Veg =40V Vee = 15V 2 mA o tease = 150C Vee = 60 V CE Vee =USV 01 mA Collector-emitter cut-off current loex 2N 4905 Courant rsiduel collecteur-metteur Vv CE = -60 V Vee = 15 V ~2 mA tease = 180C Vee = -80V CE Vee =1.5V 0 mA 2N 4906 Vee = ~80V Vee =15V -2 mA tease = 150C Veg =40V 2N 4904 01 mA le =0 , Coflector-base cut-off current Vap =60V l Courant rsiduel collecteur-base ae -0 CBO 2N 4905 0.1 mA vce = o v 2N 4906 -0.1 mA E = 217 3762N 4904, 2N 4905, 2N 4906 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tamb = 28C {Unless otherwise stated) {Sauf indications contraires) Test conditions Min. Typ. Max. Conditions de mesure Emitter-base cut-off current Veg = $V I Courant rsiduel metteur-base | c = 0 EBO -1 mA * 2N 4904] -40 Collector-emitter breakdown voltage le = -200 mA; V Tension de claquage collecteur-metteur Ip =0 (BRICEO | 2Nn 4905 | -60 Vv 2N 4906 | 80 Vee =-2V CE = : . lo =-2,5A 25 100 Static forward current transfer ratio h * Valeur statique du rapport de t fert 21E direct du courant . Veg =-2V Ig =-5A 7 \ =-2,5A c 7 _ ip =-0,25A 1 v Collector-emitter saturation voltage Voce * Tension de saturation collecteur-metteur ; 5A sat c =" Ip =-TA 18 v Base-emitter vottage Vee = -2V Vv * _ Tension base-metteur le =-2,5A BE 14 Vv Base-emitter saturation voltage I =-5A * Tension de saturation base-metteur I. =-1A VeEsat 17 v Vege =40V Second breakdown collector current t =(s { Courant collecteur de second claquage = $/B 1,25 A tcase = 700C DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals} CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) | =-l0V Forward current transfer ratio Vee hoy Rapport de transfert direct du courant lo =-0,5A e 40 f z= 1 kHz Transition frequency VoE =10V fy 4 "rquence de transition 1 c = -1A MHz * Pulsed = impulsions tb = 3004s 6 <2 % 3/7 3772N 4904, 2N 4905, 2N 5906 THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES (Unless otherwise stated) (Saut indications contraires) Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Junction-case thermal resistance Rsistance thermique (jonction-boitier) Rinii-c) ciw tA) 50 20 2 | tease = 25C Continuous SAFE OPERATING AREA Aire de fonctionnement de scurit Continu 1 E putsea impulsions 0.5 0.2 0,1 20 50 Voglv) 4/7 3782N 4904, 2N 4905, 2N 4906 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de ta tension | Courant collecteur en fonction de la tension ig collecteur-metteur (a) collecteur-metteur (a) case = 26C of = 25C aoe 7 4 - 3 2 1 0 0 0,4 0,8 1,2 1,6 ~Vog lV) - STATIC FORWARD CURRENT TRANSFER RATIO VERSUS COLLECTOR CURRENT Valeur statique du rapport de transfert direct du ha1_ courant en fonction du courant collecteur fae VoE=-2V TNS 80 & J \ i 75+ gh \ . N \ s Ly 60 yd \ I \ 4517 N \ 30 LH 15 0 1072 2 46 807 2 4 50 2 4 Sigial 5/7 3792N 4904, 2N 4905, 2N 4906 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES BASE CURRENT VERSUS BASE-EMITTER VOLTAGE Courant base en fonction de la tension base- metteur (mA) Voce =2 V 6 10! COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Voesat Tension de saturation collecteur-metteur en (Vv) du courant collecteur 0,8 06 0,4 0,2 0 192 7 * S4yt 2 * 819907 4 ~IcKAl COLLECTOR CURRENT VERSUS BASE EMITTER VOLTAGE Courant coliecteur en fonction de la tension lq base-metteur (Al slVgp =-2V 6 o 4 = ag 0 04 O08 1,2 1,6 Vp. iv) BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Vv Tension de saturation base-metteur en ~ BE sat fonction du courant collecteur (Vv) =10 = 28C tease = 25 es) tease 2 468 2 4 68 2 468 10? 1071 10 =igtA) 6/7 3802N 4904, 2N 4905, 2N 4906 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES OUTPUT CAPACITANCE VERSUS COLLECTOR-BASE VOLTAGE Capacit de sortie en fonction de ta f. Frquence de transition en fonction du Caop tension collecteur-base i (MH y Courant collecteur (BF) Ptcase = 25C 2 case tease = 25C TRANSITION FREQUENCY VERSUS COLLECTOR CURRENT 8 Voge =10V \ \ 2 4 6 8! 2 4 6 _y_ iv) 2 4 6 3 -I,(A) TRANSIENT THERMAL RESISTANCE DERATING FACTOR UNDER PULSES CONDITIONS Facteur de rduction de fa rsistance thermique en rgime dimpulsions 8 ? 10! 10 Fro? 710737 1927 49? tolsee! WT 381