MMBTA05 / MMBTA06

MMBTA05 / MMBTA06

NPN Surface mount general purpose Si-epitaxial planar transistors

Vielzweck Si-Epitaxial Planar-Transistoren für die Oberflächenmontage NPN

Version 2007-06-25

Dimensions / Maße [mm]

1 = B 2 = E 3 = C

Power dissipation

Verlustleistung

250 mW

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C)

Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 60 V 80 V

Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 60 V 80 V

Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 4 V

Power dissipation – Verlustleistung Ptot 250 mW 1)

Collector current – Kollektorstrom (dc) IC500 mA

Base current – Basisstrom IB100 mA

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom IBM 200 mA

IE = 0, VCB = 80 V

100 nA

Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom

IC = 0, VEB = 4 V IEB0 – – 100 nA

Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 2)

IC = 100 mA, IB = 10 mA VCEsat – – 250 mV

Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 2)

IC = 100 mA, IB = 10 mA VBEsat – – 1.2 V

1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)

Thermal resistance junction – ambient air

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 420 K/W 1)

Recommended complementary PNP transistors

Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren MMBTA55, MMBTA56

Marking - Stempelung MMBTA05 = 1H

MMBTA06 = 1GM

1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss