BAV100 ... BAV103
BAV100 ... BAV103
Superfast Switching Surface Mount Si-Diodes
Superschnelle Si-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2005-08-15
Dimensions - Maße [mm]
Max. power dissipation – Max. Verlustleistung 500 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...300 V
Plastic case MiniMELF
Kunststoffgehäuse MiniMELF
DO-213AA
Weight approx.– Gewicht ca. 0.04 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Marking: One green ring denotes “cathode” and “superfast switching diode”
The type numbers are noted only on the lable on the reel
Kennzeichnung: Ein grüner Ring kennzeichnet “Katode” und “superschnelle Diode”
Die Typenbezeichnungen sind nur auf dem Rollenaufkleber vermerkt
Maximum rati ng s Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V] 1)
BAV100 50 60
BAV101 100 120
BAV102 200 200
BAV103 300 300
Max. power dissipation
Max. Verlustleistung
TA = 75°C Ptot 500 mW 2)
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 75°C IFAV 200 mA 2)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz IFRM 650 mA 2)
Peak forward surge current, t ≤ 1 s
Stoßstrom, t ≤ 1 s
TA = 25°C IFSM 1 A
Peak forward surge current, t ≤ 1 µs
Stoßstrom, t ≤ 1 µs
TA = 25°C IFSM 5 A
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
1 Tested with pulses IR = 100 µA, tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2%
Gemessen mit Impulsen IR = 100 µA, tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
0.4 0.4
1.6
3.5
BAV100 ... BAV103
Characteristics Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C IF = 0.2 A VF< 1.25 V
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 125°C
VR = VRRM IR
IR
< 5 µA
< 50 µA
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to IR = 0.25 A
trr < 50 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 150 K/W 1)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
RthT < 70 K/W
1 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
[A]
I
F
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
V
F
[V] 1.41.00.80.60.40
T = 25°C
j
T = 125°C
j
120
100
80
60
40
20
0
[%]
P
tot
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
