NPN SILICON TRANSISTOR, EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR NPN SILICIUM, PLANAR EPITAXIAL BSY 53 BSY 54 - LF amplification Amplification BF - Switching Commutation Vopo 75V 40-120 BSY 53 ho1 E (150 mA) 100-300 BSY 54 fr 100 MHz Typ. Maximum power dissipation Case TO-39 -- See outline drawing CB-7 on last pages Dissipation de puissance maximale Boitier Voir dessin cot CB-7 dernires pages Prot {w) 0,8 0,4 B 0,2 Qo $0 10077 Weight : 0,9 g. Collector is connected to case Tamp!C? Masse Le collecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) + =+25 C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION amb (Sauf indications contraires) Collector-base voltage Tension collectour base Vopo 76 Vv Collector-emitter voltage Vv Tension collecteur-metteur CEO 30 Vv Emitter-base volta Tension metteur-bess VEBO 7 v Collector current Courant collecteur lg 0,75 A Tamb = 25C 0,8 w Power dissipation Pp. Dissipation de puissance tot Tease = 25C 3 Ww Junction temperature T Temprature de jonction j 200 c 76-20 1/5 THOMSON CSF 733 BSY 53, BSY 54 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES Tamb = 25C (Unless otherwise stated) {Sauf indications contraires} Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Vee = 60V 10 nA Ig =o Collector-base cut-off current lcBo Courant rsiduel collecteur-base Vcop = 60V le =O 10 BA Tamb= 150C Emitter-base cut-off current Veg =5V Courant rsidue! metteur-base lo =0 'EBO 10 nA Vee = 10V CE lo = 10 pA BSY 54 20 55 Vee = 10V BSY 53 | 20 40 Ig =0,1mA BSY 54 | 35 = 80 Voge = 10V BSY 53 50 ; ; Ic =1mA : BSY 64 100 Static forward current transfer ratio h Valeur statique du rapport de transfert 21E direct du courant Veg = 10V BSY53 | 35 65 Ig =10mA BsY54 | 80 135 Vce= 10V BSY 53 40 120 I = 150 mA BSY 54 | 100 300 Voge =10V BSY53 | 20 35 V I = 500 mA BSY54 | 40 60 lo = 150 mA Ip =15mA 0,15 0,6 Collector-emitter saturation voltage Vv Tension de saturation collecteur-metteur CEsat v Ic = 500 mA Ip =50mA 06 12 Base-emitter saturation voltage lo = 150 mA Tension de saturation base-6metteur ip = 15mA VBEsat 095 1.2 Vv 2/5 734 BSY 53, BSY 54 DYNAMIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES Tamb = 25C (Uniess otherwise stated) (Sauf indications contraires} Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Veg =10V se: CE 100 Transition frequency I =50mA f. BSY 53 Frquence de transition c =m T MHz f = 60 MHz BSY 54 145 Output capacitance Vep =10V Capacit de sortie le = C22b 6,5 10 pF Input capacitance Veg =05V Capacit dentre Ic = Cc, 1b 23 33 pF Vee =5V . CE Input impedance | =1mA h BSY 53 | 0,8 45 Impdance dentre c lle kQ Impdance d'entr ; = 1 ke BsY 54 | 1.6 9 Vee =5V Reverse voltage transfer ratio cE _ h 4 Rapport de transfert inverse de la tension Io =imA 12b 08 3 10 f =1 kHz Vee =5V Forward current transfer ratio I cE =1mA hoy BSY 53 | 30 100 Rapport de transfert direct du courant c = 1 kHz 8 BSY 54 50 250 =5V Output admittance Vee =1mA hob BSY 53 | 3,5 10 BS Admittance de sortie c 7; f =1kHz BSY 54 | 4,5 12,5 THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-ambient thermal resistance Ring. Rsistance thermique (jonction-ambiante) th(j-a) 220 c/w Junction-case thermal resistance Ray Rsistance thermique (jonction-boitier) th{j-c) 58 C/W 3/5 735 BSY 53, BSY 54 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES (mA) 600 450 300 150 0 10 20 30 40 Vogl) 0 1 2 3 4 Voelv) (mA) 600 450 300 150 oe _ nN a 0 10 = 20.i8siiCg tv) 4 Vogt) 4/6 736 BSY 53, BSY 54 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES Noel) ho _ (150 mA) 1,2 0,8 0,4 2 2 5 1 4097 F408 107 Igima) VBEsat (v} Veesat 2 468 2 468 2 468 10 Vol hoy Ell) hoy _ (750 mA) 1,6 0,8 0,4 10- : elle! hit mA) 10 7 5 2 10! 22 10* 8 Ig (mA) 737