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深爱半导体有限公司 产品参数
N-Channel Power MOSFET IRF830
特点 噪声低 输入阻抗高 开关速度快
应用 电子镇流器 电子变压器 开关电源
最大额定值 Tc=25°C TO-220
参数名称 符号 额定值 单位
漏极 源极电压 V
DS 500 V
漏极 栅极电压 V
DGR 500 V
栅极 源极电压 V
GS 20 V
漏极电流 I
D 4.5 A
Tc=100°C ID 3.0 A
漏极耗散功率 P
D 75 W
最高工作温度 TJ 150
°C
贮存温度 T
J , TSTG -55-150 °C
电特性 Tc=25°C
参数名称 符号 测试条件 最小值 最大值 单位
漏极 源极截止电压 BVDSS VGS=0V, ID=250µA 500 V
栅极开启电压 VGS(TH) VGS= VDS,ID=250µA 2.0 4.0 V
VDS =Rated BVDSS,
VGS =0V 25
µA
漏极 源极电流
饱合漏电流 IDSS VDS =0.8RatedBVDSS,
VGS =0V TJ=125°C 250
µA
漏极电流 开态 ID(ON) VDS ID(ON) rDS(ON)MAX,
VGS =10V 4.5 A
栅极 源极漏电流 IGSS V
GS = 20V 100 nA
漏源动态内阻 r DS(ON) V
GS =10V, ID=2.5A 1.5 Ω
热阻系数 RJC 1.67 /W
深爱半导体有限公司 2002.10
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1-GATE 2-DRAIN 3-SOURCE
VDS=500V
RDS(ON)=1.5Ω
ID=4 5A
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深爱半导体有限公司 器件外形参数
TO-220 封装器件外形参考尺寸
单位 mm
符号 min nom max
符号 min nom max
A 3.5 4.8 e 2.54
B 2.4 F 1.1 1.4
B1 1.8 L 12.5 14.5
b 0.6 L1 3.5
b1 1.2 L2 6.3
c 0.4 P
D 16.5 Q 2.5 3.1
D1 5.9 6.9 Q1 2.0 2.8
E 10.7 Z 3.0
深爱半导体有限公司 2002.10
