Bridge Diode
16 J534
S1ZB
•小型D
IP パッケージ
•耐久性に優れ高信頼性
800V 0.8A
デュアルインライン型
Dual In-Line Package
•Small-DIP
•High-Reliability
Package1ZSMD
Package1ZTHD
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
'PSEFUBJMTPGPVUMJOFEJNFOTJPOTSFGFSUPPVSXFCTJUFPSUIF4FNJDPOEVDUPS
4IPSU'PSN$BUBMPH"TGPSUIFNBSLJOHSFGFSUPUIFTQFDJàDBUJPOi.BSLJOH
5FSNJOBM$POOFDUJPOu
Unit:mm
Weight:0.13(typ.)
Unit:mm
Weight:0.13g(typ.)
単位
Unit
V
A
A
A2s
V
μA
℃/W
●絶対最大定格Absolute Maximum Ratings指定のない場合Tl =25℃/unlessotherwisespeci
項  目
Item
記号
Symbol 条 件
Conditions
品 名
TypeNo.
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
熱抵抗
Thermal Resistance
Tstg
Tj
VRM
IO
IFSM
VF
IR
θjl
θja
50Hz正弦波,非繰り返し1サイクルせん頭値,Tj= 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25
50Hz正弦波,抵抗負荷,Ta=25℃
50Hz sine wave,
Resistance load, Ta =25
パルス測定,1素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
パルス測定,1素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
1素子当たりの規格値
per diode
IF=0.4A,
VR=VRM,
接合部・リード間
Junction to Lead
接合部・周囲間
Junction to Ambient
●電気的・熱的特性Electrical Characteristics指定のない場合Tl =25℃/unlessotherwisespeci
MAX1.05
MAX10
MAX20
MAX76
MAX134
−40〜150
150
0.8
0.5
30
4.5
電流二乗時間積
Current Squared Time 1ms≦t<10ms,Tj = 25℃,
I2t
アルミナ基板実装
On alumina substrate
プリント基板実装
On glass-epoxy substrate
アルミナ基板実装
On alumina substrate
プリント基板実装
On glass-epoxy substrate
S1ZB20 S1ZB60 S1ZB80
200 600 800
■定格表RATINGS
■外観図OUTLINE
Z62N
ロット記 (例)
Datecode
品名略号
TypeNo.
+①
〜②
④−
③〜
④①
4.7
2.6
7
2.5
3.8
4.7
Z60N
品名略号
TypeNo. Datecode
ロット記 (例)
3.05
+①
〜②
④−
③〜
Feature
特長
17
J534
■特性図CHARACTERISTIC DIAGRAMS
Sinewave 50Hz で測定しています。
)[TJOFXBWFJTVTFEGPSNFBTVSFNFOUT
*半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。
Typical は統計的な実力を表しています。
4FNJDPOEVDUPSQSPEVDUTHFOFSBMMZIBWFDIBSBDUFSSJTUJDWBSJBUJPO
5ZQJDBMJTBTUBUJTUJDBMBWFSBHFPGUIFEFWJDFhTBCJMJUZ
S1ZB
Small DIP Bridge