@ p TO 92 (CB 97) F 1598 (CB 76) N channel field effect transistors (plastic case) Transistors a effet de champ, canal N (boitier plastique) Tamb = 25 C 'gss Viariess | (nA) | 'pss Y218 C12ss | "DSon | F | f Case (Vv) (pA)* | (ma) (ms) (pF) ja (dB) (Hz) |TSi 76 Type Boitier | min max min max |min max" | max max {MHz)*|Page 2N 3819 TO920 25 2 2 20 2 ~==65 -8 8 4 2 4 767 2N 5425 F139 Bo 30 1 5 15 45 75 -1 -6 45 1 _ # 2N 8426 F139 Bo 30 -1 #15 #7 3 6 -05-4 45 1 2 100 *# 2N 6427 -F 139 Bo 30 -1 8 240645 8 -15-8 45 1 # BC 264 F 139 Bo 30 10 2 12 2,5 -058 4 1,2 2 4 849 BC 264A F139 Bo 30 10 2 45 2,5 0,5-8 4 1,2 2 1 B49 BC264B F139B0 30 10 35 65 3 -05-8 4 1,2 2 01 B49 BC 264C F139 Bo 30 10 5 8 36 -05-8 4 1,2 2 4 B49 BC 264D F139 Bo 30 10 7 12. 4 -05-8 4 1,2 2 4 349 BF 245 F 139 Bo 30 5 2 2 3 65 -05-8 4 1 BBS BF245A F139 Bo 30 5 2 65 3 65 -05-8 4 11 855 BF2458 F 139Bo 30 5 6 15 3 #65 -O05-8 4 11 855 BF 245C F139 80 30 5 12 2523+ #2465 -05-8 4 11 855 BF 247 F 139 Bo 28 5 10 300 8 0,6 -14,515 3,5 861 BF 247A F139 Bo 26 5 30 80. 8 06 14,515 3,5 861 BF2478 F130 Bo 25 5 60 140 8 06 14515 35 861 BF247C F139 Bo 25 5 110-250 8 -0614515 3,5 861 BF 256 F 139 Bo 30 5 3 18 05-7545 1,2 867 BF256A _F 1390 30 5 : 7 05-7545 1,2 ; 867__ BF256B F139 Bo 30 5 6 13 -05-7545 1,2 Z 867 BF 256C F139 Bo 30 5 1 18 -05-7545 1,2 867 _ ESM 4091 F 139 Bo 30 1 30 -5 -10 28 5 30 877 *ESM 4092 F 139 Bo 30 1 15 -2 -7 2 & 50 oT 877 WESM 4093 F 139 Bo 30 1 8 -1 -5 2 5 80 gap ESM 4302 F 139 Bo 30 1 o5 6 1 _ 4 6 3 2) 1 886 ESM 4303 __F 139 Bo 30 1 4 10.2 6 6 3. 2 9 885 ESM 4304 F 139 Bo 30 1 05 #15 1 10 6 3 3.01 885 * Preferred device Plastic case Dispositif recommand Boitler plastique # tobe published later Sera publie ultriaurement