MC54/74HC373A
MOTOROLA High–Speed CMOS Logic Data
DL129 — Rev 6
2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Parameter
Value
Unit
VCC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
– 0.5 to + 7.0
V
Vin
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Input Voltage (Referenced to GND)
– 0.5 to VCC + 0.5
V
Vout
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Output Voltage (Referenced to GND)
– 0.5 to VCC + 0.5
V
Iin
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Input Current, per Pin
±20
mA
Iout
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Output Current, per Pin
±35
mA
ICC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Supply Current, VCC and GND Pins
±75
mA
Î
Î
PD
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Power Dissipation in Still Air,Plastic or Ceramic DIP†
SOIC Package†
SSOP or TSSOP Package†
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
750
500
450
Î
Î
mW
Î
Tstg
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Temperature
ÎÎÎÎ
– 65 to + 150
Î
_
C
Î
Î
TL
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
(Plastic DIP, SOIC, SSOP or TSSOP Package)
(Ceramic DIP)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
260
300
Î
Î
_
C
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
Functional operation should be restricted to the Recommended Operating Conditions.
†Derating — Plastic DIP: – 10 mW/
_
C from 65
_
to 125
_
C
Ceramic DIP: – 10 mW/
_
C from 100
_
to 125
_
C
SOIC Package: – 7 mW/
_
C from 65
_
to 125
_
C
SSOP or TSSOP Package: – 6.1 mW/
_
C from 65
_
to 125
_
C
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the Motorola High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Parameter
Min
Max
Unit
VCC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
2.0
6.0
V
Vin, Vout
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Input Voltage, Output V oltage (Referenced to GND)
0
VCC
V
TA
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating Temperature, All Package T ypes
– 55
+ 125
_
C
ÎÎ
ÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Input Rise and Fall T ime VCC = 2.0 V
(Figure 1) VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
Î
Î
0
0
0
Î
Î
1000
500
400
Î
Î
ns
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (V oltages Referenced to GND)
Guaranteed Limit
ÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎ
Parameter
ÎÎÎÎÎÎÎ
Test Conditions
ÎÎ
VCC
V
ÎÎ
– 55 to
25
_
C
ÎÎ
v
85
_
C
ÎÎ
v
125
_
C
Î
Unit
ÎÎ
ÎÎ
VIH
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Minimum High–Level Input
Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Vout = VCC – 0.1 V
|Iout|
v
20 µA
ÎÎ
ÎÎ
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
ÎÎ
1.5
2.1
3.15
4.2
ÎÎ
ÎÎ
1.5
2.1
3.15
4.2
ÎÎ
ÎÎ
1.5
2.1
3.15
4.2
Î
Î
V
ÎÎ
ÎÎ
VIL
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Low–Level Input
Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Vout = 0.1 V
|Iout|
v
20 µA
ÎÎ
ÎÎ
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
ÎÎ
0.5
0.9
1.35
1.8
ÎÎ
ÎÎ
0.5
0.9
1.35
1.8
ÎÎ
ÎÎ
0.5
0.9
1.35
1.8
Î
Î
V
ÎÎ
VOH
ÎÎÎÎÎÎÎ
Minimum High–Level Output
Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎ
Vin = VIH
|Iout|
v
20 µA
ÎÎ
2.0
4.5
6.0
ÎÎ
1.9
4.4
5.9
ÎÎ
1.9
4.4
5.9
ÎÎ
1.9
4.4
5.9
Î
V
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Vin = VIH |Iout|
v
2.4 mA
|Iout|
v
6.0 mA
|Iout|
v
7.8 mA
ÎÎ
ÎÎ
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
ÎÎ
2.48
3.98
5.48
ÎÎ
ÎÎ
2.34
3.84
5.34
ÎÎ
ÎÎ
2.2
3.7
5.2
Î
Î
This device contains protection
circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
fields. However, precautions must
be taken to avoid applications of any
voltage higher than maximum rated
voltages to this high–impedance cir-
cuit. For proper operation, Vin and
Vout should be constrained to the
range GND
v
(Vin or V out)
v
VCC.
Unused inputs must always be
tied to an appropriate logic voltage
level (e.g., either GND or VCC).
Unused outputs must be left open.