Elektrische Eigenschaften
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-
Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
tvj = -40°C...tvj max VDRM, VRRM
1400 1600 1800*
V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state
voltage
tvj = -40°C...tvj max VDSM = VDRM
1400 1600 1800*
V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...tvj max VRSM = VRRM
1500 1700 1900
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current ITRMSM 1250 A
Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C ITAVM 588 A
tc = 61°C 795 A
Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms ITSM 9400 A
tvj = tvj max, tp = 10 ms 8000 A
Grenzlastintegral I2 t-value tvj = 25°C, tp = 10 ms I2 t442000 A2s
tvj = tvj max, tp = 10 ms 320000 A2s
Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current vD ≤ 67%, vDRM, f = 50 Hz (diT/dt)cr 200 A/µs
vL = 10 V, iGM= 1 A, diG/dt = 1 A/µs
Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = tvj max, vD = 67% VDRM (dv/dt)cr 1000 V/µs
Durchlaßspannung on-state voltage tvj = tvj max, iT = 2400 A vTmax. 2,15 V
Schleusenspannung threshold voltage tvj = tvj max VT(TO) 0,8 V
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = tvj max rT0,5 mΩ
Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V IGT max. 250 mA
Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V VGT max. 2,2 V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = tvj max, vD = 6 V IGD max. 10 mA
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,25 V
Haltestrom holding current tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 5 ΩIHmax. 300 mA
Einraststrom latching current tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK ≥ 10 ΩILmax. 1,2 A
iGM = 1 A, diG /dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = tvj max, vD = VDRM, vR = VRRM iD, iRmax. 50 mA
Zündverzug gate controlled delay time tvj=25°C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs tgd max. 4 µs
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time siehe Techn.Erl./see Techn. Inf. tqtyp. 250 µs
Innerer Wärmewiderstand für beidseitige
thermal resistance, junction to case for
Θ =180° el, sin RthJC max. 0,045 °C/W
DC max. 0,041 °C/W
für anodenseitige Kühlung for anode-sided cooling Θ =180° el, sin RthJC(A) max. 0,074 °C/W
DC max. 0,07 °C/W
für kathodenseitige Kühlung for cathode-sided cooling Θ =180° el, sin RthJC(K) max. 0,104 °C/W
DC max. 0,1 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig/two-sided RthCK max. 0,007 °C/W
einseitig/one-sided max. 0,014 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature tvj max 125 °C
Betriebstemperatur operating temperature tc op -40...+125 °C
Lagertemperatur storage temperature tstg -40...+140 °C
Mechanische Eigenschaften
Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft clamping force F6...12 kN
Gewicht weight T 588 N/T 589 N Gtyp. 100/270 g
Kriechstrecke creepage distance T 588 N/T 589 N 17/28 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Maßbild, anliegend outline, attached DIN 41814-152 A4/-153C4
* Für größere Stückzahlen Liefertermin erfragen / Delivery for larger quantities on request