1700VIGBTModulmitlowlossIGBTder2.tenGenerationundsofterEmitterControlledDiode
1700VIGBTModulewithlowlossIGBTof2ndgenerationandsoftEmitterControlledDiode
1
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
FZ1600R17KF6C_B2
IGBT-モジュール
IGBT-modules
preparedby:WB
approvedby:DTS
dateofpublication:2013-11-25
revision:2.1
暫定データ
PreliminaryDataIGBT-　インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage Tvj = 25°C
Tvj = 125°C VCES 1700
1700 V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
IC nom
IC1600
2600 A
A
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 3200 A
トータル損失
Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150°C Ptot 12,5 kW
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage VGES +/- 20 V
電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max.
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage IC = 1600 A, VGE = 15 V
IC = 1600 A, VGE = 15 V VCE sat
2,60
3,10
3,10
3,60
V
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage IC = 130 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 4,5 5,5 6,5 V
ゲート電荷量
Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG19,0 µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,66 Ω
入力容量
Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 105 nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 5,30 nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 0,04 3,0 mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA
ターンオン遅れ時間（誘導負荷）
Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 1600 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGon = 0,9 Ω
td on
0,30
0,30
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ターンオン上昇時間（誘導負荷）
Risetime,inductiveload IC = 1600 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGon = 0,9 Ω
tr
0,19
0,19
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）
Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 1600 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGoff = 0,9 Ω
td off
1,20
1,20
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ターンオフ下降時間（誘導負荷）
Falltime,inductiveload IC = 1600 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGoff = 0,9 Ω
tf
0,15
0,16
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse IC = 1600 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH
VGE = ±15 V
RGon = 0,9 ΩEon
430
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse IC = 1600 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH
VGE = ±15 V
RGoff = 0,9 ΩEoff
670
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
短絡電流
SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC
6400
A
Tvj = 125°C
tP ≤ 10 µs,
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase IGBT部（１素子当り）/perIGBT RthJC 10,0 K/kW
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink IGBT部（１素子当り）/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 13,0 K/kW
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 °C
2
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
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暫定データ
PreliminaryData
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C
Tvj = 125°C VRRM 1700
1700 V
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent IF1600 A
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 3200 A
電流二乗時間積
I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t 660 kA²s
最小ターンオン時間
Minimumturn-ontime ton min 10,0 µs
電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max.
順電圧
Forwardvoltage IF = 1600 A, VGE = 0 V
IF = 1600 A, VGE = 0 V VF
2,10
2,10
2,50
2,50
V
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent IF = 1600 A, - diF/dt = 9600 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 900 V
VGE = -15 V
IRM
1400
1700
A
A
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
逆回復電荷量
Recoveredcharge IF = 1600 A, - diF/dt = 9600 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 900 V
VGE = -15 V
Qr
300
560
µC
µC
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
逆回復損失
Reverserecoveryenergy IF = 1600 A, - diF/dt = 9600 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 900 V
VGE = -15 V
Erec
210
380
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC 17,0 K/kW
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink /Diode（１素子当り）/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 22,0 K/kW
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 °C
3
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
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暫定データ
PreliminaryData
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 4,0 kV
内部絶縁
Internalisolation 基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140) AlN
沿面距離
Creepagedistance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 17,0
mm
空間距離
Clearance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 10,0
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex CTI > 275
min. typ. max.
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink /モジュール/permodule
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 8,00 K/kW
内部インダクタンス
Strayinductancemodule LsCE 12 nH
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,/スイッチ/perswitch RCC'+EE' 0,19 mΩ
保存温度
Storagetemperature Tstg -40 125 °C
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting 取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 4,25 - 5,75 Nm
主端子ネジ締め付けトルク
Terminalconnectiontorque 取り付けネジM4
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
取り付けネジM8
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
1,8
8,0
-
-
2,1
10
Nm
Nm
質量
Weight G1050 g
4
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暫定データ
PreliminaryData
出力特性IGBT-　インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
VCE [V]
IC [A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
0
400
800
1200
1600
2000
2400
2800
3200
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
出力特性IGBT-　インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=125°C
VCE [V]
IC [A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
0
400
800
1200
1600
2000
2400
2800
3200
VGE = 8V
VGE = 10V
VGE = 15V
VGE = 20V
伝達特性IGBT-　インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
VGE [V]
IC [A]
5 6 7 8 9 10 11 12 13
0
400
800
1200
1600
2000
2400
2800
3200
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=0.9Ω,RGoff=0.9Ω,VCE=900V
IC [A]
E [mJ]
0 400 800 1200 1600 2000 2400 2800 3200
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
5
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暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=1600A,VCE=900V
RG [Ω]
E [mJ]
0 1 2 3 4 5 6 7
0
500
1000
1500
2000
2500
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
過渡熱インピーダンスIGBT-　インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
t [s]
ZthJC [K/kW]
0,001 0,01 0,1 1 10 100
0,1
1
10
100
ZthJC : IGBT
i:
ri[K/kW]:
τi[s]:
1
0,94
0,027
2
4,72
0,052
3
1,425
0,09
4
2,92
0,838
逆バイアス安全動作領域IGBT-　インバータ（RBSOA）)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=0.9Ω,Tvj=125°C
VCE [V]
IC [A]
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
IC, Chip
IC, Modul
順電圧特性Diode、インバータ（typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
VF [V]
IF [A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
0
400
800
1200
1600
2000
2400
2800
3200
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
6
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暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=0.9Ω,VCE=900V
IF [A]
E [mJ]
0 400 800 1200 1600 2000 2400 2800 3200
0
100
200
300
400
500
Erec, Tvj = 125°C
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=1600A,VCE=900V
RG [Ω]
E [mJ]
0 1 2 3 4 5 6 7
0
100
200
300
400
500
Erec, Tvj = 125°C
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
t [s]
ZthJC [K/kW]
0,001 0,01 0,1 1 10 100
0,1
1
10
100
ZthJC : Diode
i:
ri[K/kW]:
τi[s]:
1
7,85
0,0287
2
3,53
0,0705
3
1,12
0,153
4
4,52
0,988
7
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IGBT-モジュール
IGBT-modules
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暫定データ
PreliminaryData
回路図/circuit_diagram_headline
パッケージ概要/packageoutlines
8
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revision:2.1
暫定データ
PreliminaryData
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
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