NPN SILICON TRANSISTOR, EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR NPN SILICIUM, PLANAR EPITAXIAL Compl. of BC 636, BC 638, BC 640 BC 635 BC 637 BC 639 - Driver stages of audio amplifiers Etages Drivers damplificateurs BF [Maximum power dissipation Dissipation de puissance maximale 45V BC 635 Vv 60V BC 637 cEO 80V BC 639 40-250 BC 635 hoyE(150 mA) 40-160 BC 637 40-160 BC 639 Plastic case Boitier plastique F 139 B _ See outline drawing CB-76 on last pages Voir dessin cot g-76 dernires pages Prot (w) 0,8 0,6 c oO 0,4 B 62 Bottom view " Vue de dessous Weight :0,3 g. 50 100 150; 200 Tamb@e? Masse ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) T. =+25 C (Uniess otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION amb (Sauf indications contraires) BC 635 BC 637 BC 639 Collector-base voltage Vv Tension collecteur-base CBO 45 60 100 Vv Collector-emitter voltage Tension collecteur-metteur VcEo 45 60 80 Vv Collector-emitter voltage = Vv Tension collecteur-metteur Ree 1kQ CER 45 60 100 v Collector-emitter voltage Tension collecteur-6metteur Ree = 0 Voces 45 60 100 v Emitter-base voltage Vv Tension metteur-base EBO 5 5 5 Vv Collector current | Courant collecteur c 1 1 1 A Peak collector current Courant de crte de collecteur lom 1,5 15 1,5 A Power dissipation P. Dissipation de puissance tot 0,8 0,8 0,8 w Junction temperature 7 Temprature de jonction max. Tj 150 150 150 c Storage temperature min. T 65, 65 65 C Temprature de stockage max. stg +150 +150 +150 c 76-26 1/3 THOMSON-CSF a9 OMISION SEMICONDUCTEURS. BC 635, BC 637, BC 639 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES Tamb = 25C (Uniess otherwise stated) (Sauf indications contraires} Test conditions Rsistance thermique (jonction-boitier) Conditions de mesure Min. Typ. Max. Vos = 30 100 nA le = Collector-base cut-off current { 0 Courant rsiduel collecteur-base Veg =30V cB ! e = 10 uA Tj = 180C Emitter-base cut-off current Veg =5mA lego 10 yA Courant rsiduel metteur-base le = Vogp =2V 25 | c =5mA Static forward current transfer ratio Voge =2V BC635 | 40 250 Valeur statique du rapport de transfert I = 150 mA hoy E BC 637 40 160 direct du courant c BC 639 40 160 Vap =2V CE Ig = 500mA 25 i . ! = 600 mA Collector-emitter saturation voltage Cc Vv, Tension de saturation collecteur-metteur lp =50mA CEsat 0,5 Vv . | = 5600 mA Base-emitter voltage c Vv Tension base-metteur Vom =2V BE \ v DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) q ition f Voge =5V ransition frequency = Frquence de transition Io 10 mA fr 130 MHz f = 35 MHz. THERMAL CHARACTERISTICS . CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-ambient thermal resistance Rana. e Rsistance thermique (jonction-ambiante) thij-a) 156 cw Junction-case thermal resistance Rehti-c) 60 oc; 2/3 420 BC 635, BC 637, BC 639 Veesat vy} 0 05 1 15 Iga) (mA) 400 200 0 05 1 15 VagtV) Vecsat v} 1 05 0 0 0,5 1 1,5 IgiA) "HE 100 . LT] 50 0 468 2 68 68 2 4 a 10 10! 10? igima) 421