SUF4001 ... SUF4007
SUF4001 ... SUF4007
Ultrafast Switching Surface Mount Silicon Rectifier Diodes
Ultraschnelle Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage
Version 2012-10-22
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current
Nennstrom
1 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...1000 V
Plastic case MELF
Kunststoffgehäuse MELF
DO-213AB
Weight approx. – Gewicht ca. 0.12 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
SUF4001 50 50
SUF4002 100 100
SUF4003 200 200
SUF4004 400 400
SUF4005 600 600
SUF4006 800 800
SUF4007 1000 1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C IFAV 1 A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz IFRM 10 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 27/30 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C i2t 3.6 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
1 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
2.5
5.0
0.5 0.5
Type
Typ
SUF4001 ... SUF4007
Characteristics Kennwerte
Type
Typ
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
trr [ns] 1)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] at / bei IF [A]
SUF4001...SUF4003 < 50 < 1.0 1
SUF4004 < 50 < 1.25 1
SUF4005...SUF4007 < 75 < 1.7 1
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 5 µA
< 50 µA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 45 K/W 2)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
RthT < 10 K/W
1 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
2 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Rated forward current vs. temp. of the terminals
in Abh. v. d. Temp. der TerminalsZul. Richtstrom
120
100
80
60
40
20
0
I
FAV
[%]
[°C]
T
T
150100
50
0
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
[V]V
F
10
1
0.1
10
10
-2
-3
SUF4001...3
SUF4004
SUF4005...7
T = 25°C
j
