BAV100 ... BAV103
BAV100 ... BAV103
Superfast Recovery SMD Rectifier Diodes
SMD-Gleichrichterdioden mit superschnellem Sperrverzug
IFAV = 200 mA
VF< 1.25 V
Tjmax = 175°C
VRRM = 50...300 V
IFSM = 1 A
trr < 50 ns
Version 2015-10-21
~ DO-213AA
Plastic MiniMELF
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Rectification of higher frequencies,
High speed switching
Commercial grade 1)
Typische Anwendungen
Gleichrichtung hoher Frequenzen
Schnelles Schalten
Standardausführung 1)
Features
Package compatible to SOD-87
High power dissipation
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Gehäuse kompatibel zu SOD-87
Hohe Leistungsabgabe
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1)Mechanische Daten 1)
Taped and reeled 2500 / 7“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.04 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Marking: One green ring denotes “cathode” and “superfast switching diode”
The type numbers are noted only on the lable on the reel
Kennzeichnung: Ein grüner Ring kennzeichnet “Kathode” und “superschnelle Diode”
Die Typenbezeichnungen sind nur auf dem Rollenaufkleber vermerkt
Maximum ratings2) Grenzwerte 2)
Type
Typ
Reverse voltage
Sperrspannung
VR [V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
BAV100 50 60
BAV101 100 110
BAV102 150 200
BAV103 200 300
Max. power dissipation
Max. Verlustleistung
TA = 75°C Ptot 500 mW 3)
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 75°C IFAV 200 mA 3)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 650 mA 3)
Peak forward surge current, t ≤ 1 s
Stoßstrom, t ≤ 1 s
TA = 25°C IFSM 1 A
Peak forward surge current, t ≤ 1 µs
Stoßstrom, t ≤ 1 µs
TA = 25°C IFSM 5 A
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
0.4 0.4
1.6
3.5
BAV100 ... BAV103
Characteristics Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C IF = 0.2 A VF< 1.25 V
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 125°C
VR = VRRM IR
IR
< 5 µA
< 50 µA
Typical junction capacitance
Typische Sperrschichtkapzität
VR = 4 V Cj4 pF
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to IR = 0.25 A
trr < 50 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 150 K/W 1)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
RthT < 70 K/W
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
P
tot
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
[A]
I
F
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
V
F
[V] 1.41.00.80.60.40
T = 25°C
j
T = 125°C
j
