Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 150 GB 60 DLC
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage VCES 600 V
Tc= 60°C IC,nom. 150 A
Tc= 25°C IC180 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current tP= 1ms, Tc= 60°C ICRM 300 A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation Tc= 25°C, Transistor Ptot 595 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage VGES +/- 20V V
Dauergleichstrom
DC forward current IF150 A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current tP= 1ms IFRM 300 A
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C I2t2.300 A2s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage RMS, f= 50Hz, t= 1min. VISOL 2,5 kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor min. typ. max.
IC= 150A, VGE= 15V, Tvj= 25°C - 1,95 2,45 V
IC= 150A, VGE= 15V, Tvj= 125°C - 2,20 - V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage IC= 3,0mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V
Eingangskapazität
input capacitance f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cies - 6,5 - nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cres - 0,6 - nF
VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 25°C - 1 500 µA
VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 125°C -1-mA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C IGES - - 400 nA
prepared by: Andreas Vetter date of publication: 2000-04-26
approved by: Michael Hornkamp revision: 1
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
VCE sat
ICES
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
1 (8) BSM 150 GB 60 DLC
2000-02-08
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 150 GB 60 DLC
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor min. typ. max.
IC= 150A, VCC= 300V
VGE= ±15V, RG= 1,5Ω, Tvj= 25°C td,on - 115 - ns
VGE= ±15V, RG= 1,5Ω, Tvj= 125°C - 125 - ns
IC= 150A, VCC= 300V
VGE= ±15V, RG= 1,5Ω, Tvj= 25°C tr-28-ns
VGE= ±15V, RG= 1,5Ω, Tvj= 125°C -30-ns
IC= 150A, VCC= 300V
VGE= ±15V, RG= 1,5Ω, Tvj= 25°C td,off - 200 - ns
VGE= ±15V, RG= 1,5Ω, Tvj= 125°C - 225 - ns
IC= 150A, VCC= 300V
VGE= ±15V, RG= 1,5Ω, Tvj= 25°C tf-25-ns
VGE= ±15V, RG= 1,5Ω, Tvj= 125°C -35-ns
IC= 150A, VCC= 300V, VGE= 15V
RG= 1,5Ω, Tvj= 125°C, Lσ= 15nH
IC= 150A, VCC= 300V, VGE= 15V
RG= 1,5Ω, Tvj= 125°C, Lσ= 15nH
tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V
Tvj≤125°C, VCC=360V, VCEmax= VCES -LσCE ·di/dt
Modulinduktivität
stray inductance module LσCE - 40 - nH
Modul-Leitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
lead resistance, terminals - chip Tc= 25°C RCC'+EE' - 1,0 - mΩ
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode min. typ. max.
Durchlaßspannung IF= 150A, VGE= 0V, Tvj= 25°C - 1,25 1,6 V
forward voltage IF= 150A, VGE= 0V, Tvj= 125°C - 1,20 - V
IF= 150A, -diF/dt= 5600A/µsec
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C IRM - 180 - A
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C - 215 - A
IF= 150A, -diF/dt= 5600A/µsec
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C Qr-11-µC
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C -19-µC
IF= 150A, -diF/dt= 5600A/µsec
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C Erec ---mJ
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C - 4,7 - mJ
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
A
VF
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recoverred charge
ISC - 675
mJ
- 2,3 - mJ
- 4,6 -
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
Kurzschlußverhalten
SC Data
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
Eoff
Eon
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
-
2 (8) BSM 150 GB 60 DLC
2000-02-08
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 150 GB 60 DLC
Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max.
- - 0,21 K/W
- - 0,40 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module
λPaste= 1W/m*K / λgrease= 1W/m*K RthCK - 0,02 - K/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature Tvj - - 150 °C
Betriebstemperatur
operation temperature Top -40 - 125 °C
Lagertemperatur
storage temperature Tstg -40 - 125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
5Nm
-15 +15 %
Schraube M6
screw M6 M1
g180G
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
RthJC
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Gewicht
weight
Transistor / transistor, DC
Diode / diode, DC
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mech. Befestigung
mounting torque
CTI
comperative tracking index
Kriechstrecke
creepage insulation
Luftstrecke
clearance
mm
8,5 mm
15
275
Al2O3
3 (8) BSM 150 GB 60 DLC
2000-02-08
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 150 GB 60 DLC
IC [A]
VCE [V]
IC [A]
VCE [V]
0
50
100
150
200
250
300
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Ausgangskennlinie (typisch) IC= f (VCE)
Output characteristic (typical) VGE= 15V
0
50
100
150
200
250
300
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VGE = 8V
VGE = 9V
VGE = 10V
VGE = 12V
VGE = 15V
VGE = 20V
Ausgangskennlinienfeld (typisch) IC= f (VCE)
Output characteristic (typical) Tvj= 125°C
4 (8) BSM 150 GB 60 DLC
2000-02-08
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 150 GB 60 DLC
IC [A]
VGE [V]
IF [A]
VF [V]
0
50
100
150
200
250
300
5 6 7 8 9 10 11 12 13
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Übertragungscharakteristik (typisch) IC= f (VGE)
Transfer characteristic (typical) VCE= 20V
0
50
100
150
200
250
300
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) IF= f (VF)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
5 (8) BSM 150 GB 60 DLC
2000-02-08
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 150 GB 60 DLC
E [m J]
IC [A]
E [m J]
RG [Ω
ΩΩ
Ω]
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0 50 100 150 200 250 300
Eon
Eoff
Erec
Schaltverluste (typisch) E on= f (IC), Eoff= f (IC), Erec= f (IC)
Switching losses (typical) RG,on= 1,5Ω,
Ω,Ω,
Ω,=
==
=RG,off= 1,5Ω
ΩΩ
Ω, VCC= 300V, Tvj= 125°C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
02468101214
Eon
Eoff
Erec
Schaltverluste (typisch) Eon= f (RG), Eoff= f (RG), Erec= f (RG)
Switching losses (typical) IC= 150A , VCC= 300V , Tvj = 125°C
6 (8) BSM 150 GB 60 DLC
2000-02-08
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 150 GB 60 DLC
ZthJC
[K / W]
t [sec]
i 1234
ri [K/kW] : IGBT 8,9 110,0 74,0 17,0
τi [sec] : IGBT 0,0018 0,0240 0,0651 0,6626
ri [K/kW] : Diode 141,0 135,2 84,9 38,9
τi [sec] : Diode 0,0487 0,0169 0,1069 0,9115
IC [A]
VCE [V]
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA) VGE= +15V, RG,off= 1,5Ω,
Ω,Ω,
Ω, Tvj= 125°C
Transienter Wärmewiderstand Z thJC = f (t)
Transient thermal impedance
0
50
100
150
200
250
300
350
0 100 200 300 400 500 600 700
IC,Modul
IC,Chip
0,001
0,01
0,1
1
0,001 0,01 0,1 1 10
Zth:IGBT
Zth:Diode
7 (8) BSM 150 GB 60 DLC
2000-02-08
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 150 GB 60 DLC
Gehäusemaße / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram
13
10 2,8 x 0,5
M5
617
23 17
80
94
6
23
6
7
3
5
4
1
2
123
7
6
5
4
8 (8) BSM 150 GB 60 DLC
2000-02-08
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