Leistungsgleichrichterdioden
Power Rectifier Diodes
D 850 N
VWK July 1996
European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
A
C
ø3,5 x 3,5 deepø34 max. 12
ø34
Pump out pipe metallic
connected to the cathode
56
D 850 N
Elektrische Eigenschaften Electrical properties
Höchstzulässige Werte Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage tvj = -40°C... tvj max VRRM 2800, 3200 V
3600, 4000 * V
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
tvj = +25°C... tvj max VRSM = VRRM + 100 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current IFRMSM 1790 A
Dauergrenzstrom mean forward current tc = 100 °C IFAVM 850 A
tc = 64 °C 1140 A
Stoßstrom-Grenzwert surge forward current tvj = 25°C, tp = 10 ms IFSM 15,4 kA
tvj = tvj max, tp = 10 ms 12,8 kA
Grenzlastintegral I2 t-value tvj = 25°C, tp = 10 ms I2 t1186 kA2s
tvj = tvj max, tp = 10 ms 819 kA2s
Charakteristische Werte Characteristic values
Durchlaßspannung on-state voltage tvj = tvj max, iF = 3,5 kA VTmax. 2,62 V
Schleusenspannung threshold voltage tvj = tvj max VT(TO) 0,84 V
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = tvj max rT0,485 mΩ
Sperrstrom reverse current tvj = tvj max, VR = VRRM iRmax. 50 mA
Thermische Eigenschaften Thermal properties
Innerer Widerstand thermal resistance, junction beidseitig/two-sided, Θ =180° sin RthJC max. 0,038 °C/W
to case beidseitig/two sided, DC max. 0,035 °C/W
Anode/anode, Θ =180° sin max. 0,064 °C/W
Anode/anode, DC max. 0,061 °C/W
Kathode/cathode, Θ =180° sin max. 0,085 °C/W
Kathode/cathode, DC max. 0,082 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance,case to heatsink
beidseitig /two-sided RthCK max. 0,005 °C/W
einseitig /single-sided max. 0,010 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature tvj max 160 °C
Betriebstemperatur operating temperature tc op -40...+160 °C
Lagertemperatur storage temperature tstg -40...+160 °C
Mechanische Eigenschaften Mechanical properties
Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact ∅ = 38 mm
Anpreßkraft clamping force Gehäuseform/case design T F10...24 kN
Gewicht weight Gtyp. 285 g
Kriechstrecke creepage distance 30 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s2
Maßbild outline Seite/page
* Bitte Liefertermin erfragen /Delivery on request
00,5 1,0 1,5 2,0
D850N_1
2,5
5
4
3
2
1
0 1 2 3 4 5 6
D850N_4
1,0
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
00,10,20,3
16
14
12
10
8
6
4
D850N_5
1a
1b
2a
1c
2b
2c
0
0,10,20,3
1a
2a
1b
1c
2b
2c
D850N_6
14
12
10
8
6
4
2
0
3,0
3,57 8 9 10
[kA]
IF(0V)M
I
F(0V)M
[kA]
(normiert)
i²dt
⌠
⌡
IF(0V)M
v
R
I
F(0V)M
v
R
t [s]
vF
[V]
t [s]
[kA]
i
F
t[m
s
]
p
Bild / Fig. 2
Normiertes Grenzlastintegral / Normalized i²t
∫
i²dt = f(t
p
)
t
vj
= 160 °C
t
vj
= 25 °C
Bild/Fig. 1
Grenzdurchlaßkennlinie
Limiting forward characteristic i
F
= f (v
F
)
Bild / Fig. 3
Grenzstrom / Maximum overload forward current I
F(0V)M
= f(t)
1 - I
FAV(vor)
= 0 A; t
vj
= t
C
= 25 °C
2 - I
FAV(vor)
= 850 A; t
C
= 100 °C; t
vj
= 160 °C
a - v
R
≤
50 V
b - v
R
= 0,5 V
RRM
c - v
R
= 0,8 V
RRM
Bild / Fig. 4
Grenzstrom / Maximum overload forward current I
F(0V)M
= f(t)
1 - I
FAV(vor)
= 0 A; t
vj
= t
C
= 25 °C
2 - I
FAV(vor)
= 850 A; t
C
= 100 °C; t
vj
= 160 °C
a - v
R
≤
50 V
b - v
R
= 0,5 V
RRM
c - v
R
= 0,8 V
RRM
D 850 N
0
D850N_2
1
2
3
0,10
0,08
0,06
0,04
0,02
10
-3
10
-2
10
-1
100101102
030 60 90 120 150 180
D850N_3
10
3
iFM [A]
D850N_7
9
8
7
6
5
4
3
2
1
10 100
0,1
1600
800
400
200
100
50
T
Θ
Θ
T
104
0,02
0,01
[
µ
As]
Qr
Z
(th)JC
[°C/W]
[°C/W]
thJC
∆
R
-di
F
/dt
[A/
µ
s]
t [s]
Θ
[°el]
T
Θ
Bild / Fig. 5
Differenz zwischen den Wärmewiderständen
für Pulsstrom und DC
Difference between the values of thermal resistance for
pulse current and DC
Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
Bild / Fig. 6
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q
r
= f(-di
F
/dt)
t
vj =
t
vjmax
; v
R
≤
0,5 V
RRM
; V
RM
= 0,8 V
RRM
Beschaltung / Snubber: C = 1 µF; R = 3,9
Ω
Parameter: Durchlaßstrom / Forward current i
FM
nmax
n=1
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Bild / Fig. 7
Transienter innerer Wärmewiderstand
Transient thermal impedance Z
thJC
= f(t), DC
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
Z
thJC
= R
thn
(1-EXP(-t/
τn
))
Σ
D 850 N
Kühlg.
Cooling
Pos.
n
R
thn
°C/W
τ
n
[s]
R
thn
°C/W
τ
n
[s]
R
thn
°C/W
τ
n
[s]
1
2
3
1 2 3 4 5 6 7
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
0,00123
0,00152
0,00134
0,00159
0,00133
0,00159
0,00397
0,00932
0,00466
0,0113
0,00457
0,0111
0,0041
0,0708
0,0174
0,177
0,0165
0,169
0,0153
0,251
0,0376
6,25
0,0596
7,31
0,0104
1,79
Analytische Funktion / Analytical function
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