SFH 480
GaAlAs-Lumineszenzdioden (880 nm)
GaAlAs Infrared Emitters (880 nm)
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 481:
Nicht für Neuentwicklungen
Not for new designs
SFH 482
2008-11-25 1
SFH 480, SFH 481, SFH 482
Wesentliche Merkmale
• Typische Peakwellenlänge 880nm
• Hermetisch dichtes Metallgehäuse
•SFH 480: Gehäusegleich mit SFH 216
•SFH 481: Gehäusegleich mit BPX 43
•SFH 482: Gehäusegleich mit BPX 38, BPX 65
Anwendungen
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• IR-Gerätefernsteuerungen
• Sensorik
• Lichtgitter
Features
• Typical peak wavelength 880nm
• Hermetically sealed package
•SFH 480: Same package as SFH 216
•SFH 481: Same package as BPX 43
•SFH 482: Same package as BPX 38, BPX 65
Applications
• Photointerrupters
• IR remote control
• Sensor technol ogy
• Light curtains
2008-11-25 2
SFH 480, SFH 481, SFH 482
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code Strahlstärkegruppierung 1) (IF = 100 mA, tp = 20 ms)
Radiant intensity grouping 1)
Ie (mW/sr)
SFH 480 Q62703Q1087 > 40
SFH 480-2/3 Q62702P5195 > 40
SFH 481 2) Q62703Q1088 > 10
SFH 481-1/2 2) Q62703Q4752 10 ... 20
SFH 481-2/3 2) Q62703Q4753 > 16
SFH 482 Q62703Q1089 > 3.15
SFH 482-1/2 Q62703Q4771 3.15 ... 10
SFH 482-2/3 Q62703Q4754 > 5
SFH 482-M E7800 3) Q62703Q2186 1.6 ... 3.2
1) gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr / measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
2) Nicht für Neuentwicklungen / Not for new designs
3) Die Messung der Strahlstärke und des Halbwink els erfolgt mit einer Lochble nde vor dem B auteil (Durchme sser der
Lochblende: 2.0 mm; Abstand L och blende zu Gehä userückseite: 5.4 mm). Dadurch wird sichergestellt, da β bei der
Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche
austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundieren de Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese
Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken
groβer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden
unterdrückt. Durch d ieses, der Anw end ung entspre che nde Meβverfahren ergibt sich für den Anwende r eine b esser
verwertbare Gröβe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag „E 7800“, der an die
Typenbezeichnung angehängt ist.
3) An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the ha lf angle (diameter
of the aperture: 2.0 mm; distance of aperture to case back side: 5.4 mm). This ensures that solely the radiation in
axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity.
Radiation reflected by the bottom plate (s tray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projectio n
of the chip surface by additional optics (e.g. long-ran ge light reflec tion switche s). In respec t of th e applic atio n of the
component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure
corresponding with the ap plication provides more usef ul values. This ap erture measurement is deno ted by “E 7800”
added to the type designation.
SFH 480, SFH 481, SFH 482
2008-11-25 3
Grenzwerte (TC = 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
SFH 480, SFH 482
Top; Tstg – 40 … + 125 °C
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
SFH 481
Top; Tstg – 40 … + 100 °C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
SFH 480, SFH 482
TJ125 °C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
SFH 481
TJ100 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR5 V
Durchlassstrom
Forward current IF200 mA
Stoßstrom, tp = 10 μs, D = 0
Surge current IFSM 2.5 A
Verlustleistung
Power dissipation Ptot 470 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance RthJA
RthJC
450
160 K/W
K/W
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF = 100 mA
λpeak 880 nm
Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax
Spectral bandwidth at 50% of Imax
IF = 100 mA
Δλ 80 nm
Aktive Chipfläche
Active chip area A0.16 mm2
2008-11-25 4
SFH 480, SFH 481, SFH 482
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip a r ea L × B
L × W0.4 × 0.4 mm²
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
SFH 480
SFH 481
SFH 482
H
H
H
4.0 … 4.8
2.8 … 3.7
2.1 … 2.7
mm
mm
mm
Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 480
SFH 481
SFH 482
ϕ
ϕ
ϕ
± 6
± 15
± 30
Grad
deg.
Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ιe from 10% to 90% and from
90% to 10%, IF = 100 mA, RL = 50 Ω
tr, tf0.6/0.5 μs
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Co25 pF
Durchlassspannung
Forward voltage
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 μs
VF
VF
1.50 (≤ 1.8)
2.4 (< 3.0)
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
IR0.01 (≤ 1) μA
Gesamtstrahlungsfluss
Total radiant flux
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Φe12 mW
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
IF = 100 mA
Temperature coefficient of Ie or Φe,
IF = 100 mA
TCI– 0.5 %/K
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TCV– 2 mV/K
Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA
Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA TCλ+ 0.25 nm/K
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 480, SFH 481, SFH 482
2008-11-25 5
Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Grouping of Radiant Intensity Ie in Axial Direction
at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH
480-2 SFH
480-3 SFH
481 SFH
481-1 SFH
481-2
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Ie min
Ie max
> 40
–
> 63
–
> 10
–
10
20
>16
–
mW/sr
mW/sr
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 1 A, tp = 100 μs
Ie typ.
540
630
220
130
220
mW/sr
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH
482 SFH
482-1 SFH
482-2 SFH
482-3 SFH
482-M
E 78001)
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Ie min
Ie max
> 3.15
–
3.15
6.3
5
10
> 8
–
1.6
3.2
mW/sr
mW/sr
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 1 A, tp = 100 μs
Ie typ.
–
40
65
80
–
mW/sr
1) Die Messung der S trahlstärke und des H albwinkels erfolg t mit einer Lochblende vor dem Baute il (D urchmess er der
Lochblende: 2.0 mm; Abstand Loc hblende zu Gehäu serücks eite: 5.4 mm). Dadurc h wird sicherge stellt, da β bei de r
Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche
austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese
Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken
groβer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden
unterdrückt. Durch dieses, der Anwend ung entsprechende Me βverfa hren ergibt sich für den Anw ender eine besse r
verwertbare Gröβe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag „E 7800“, der an die
Typenbezeichnung angehängt ist.
1) An aperture is used in front o f the compone nt fo r measu rem ent of the radia nt inte nsity an d the h alf angle (diam ete r
of the aperture: 2.0 mm; distance of aperture to case back side: 5.4 mm). This ensures that solely the radiation in
axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensit y.
Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection
of the chip surface by additional optic s (e.g. long-range light reflection switches). In respec t of the application o f the
component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure
corresponding with th e application provides more useful values. This aperture mea surement is denoted by “E 7800”
added to the type designation.
2008-11-25 6
SFH 480, SFH 481, SFH 482
Radiation Characteristics, SFH 480 Irel = f (ϕ)
Radiation Characteristics, SFH 481 Irel = f (ϕ)
Radiation Characteristics, SFH 482 Irel = f (ϕ)
OHR01888
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
100
90
80
70
60
50
0
10203040
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
OHR01889
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
100
90
80
70
60
50
0
10203040
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
OHR01890
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
100
90
80
70
60
50
0
10203040
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
SFH 480, SFH 481, SFH 482
2008-11-25 7
Relative Spectral Emission
Irel = f (λ)
Forward Current, IF = f (VF)
Single pulse, tp = 20 μs
0
750
Ιrel
OHR00877
800 850 900 950 nm 1000
20
40
60
80
%
100
λ
10
OHR01173
F
V
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
0
A
Ι
F
1 2 3 4 5
Radiant Intensity
Single pulse, tp = 20 μs
Permissible Pulse Handling
Capability IF = f (τ), TC = 25 °C,
duty cycle D = parameter
Ie
Ie 100 mA = f (IF)
10
OHR00878
Ιe
F
Ι
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
0
10 10 110 210 4
mA
e
Ι
(100mA)
3
10
t
OHR00948
p
-5
10
10
2
Ι
F
10
3
10
4
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
s
5
DC
0.2
0.5
0.1
0.005
0.010.020.05
t
p
T
Ι
F
t
p
T
D=
5
mA
D=
Max. Permissible Forward Current
SFH 481, IF = f (TA, TC)
Max. Permissible Forward Current
SFH 480, SFH 482,
IF = f (TA, TC)
T
OHR00946
A
0
F
Ι
020406080100
˚C
40
80
120
160
200
mA
240
,T
C
= 450 K/W
thJA
R
R
thJC
= 160 K/W
T
OHR00396
A
0
F
Ι
0
˚C
40
80
120
160
200
mA
240
,TC
= 450 K/W
thJA
R
RthJC = 160 K/W
20 40 60 80 100 130
2008-11-25 8
SFH 480, SFH 481, SFH 482
Maßzeichnung
Package Outlines
Maße in mm (inch) / Dimensions in mm (inch).
0.9 (0.035)
14.5 (0.571)
12.5 (0.492)
5.0 (0.197)
5.3 (0.209) lens
glass
6.6 (0.260)
7.4 (0.291)
ø0.45 (0.018)
2.54 (0.100)
(2.7 (0.106))
welded
spacing
Chip position
ø4.8 (0.189)
ø4.6 (0.181)
ø5.6 (0.220)
ø5.3 (0.209)
GEOY6314
Cathode
Anode
0.9 (0.035)
1.1 (0.043)
1.1 (0.043)
(package)
= SFH 216, SFH 400
= SFH 480
SFH 480
5.3 (0.209)
5.0 (0.197) 6.4 (0.252)
5.6 (0.220)
ø4.8 (0.189)
glass
lens
welded
Anode
Cathode = SFH 481
= SFH 401
GETY6091
(package)
ø4.6 (0.181)
1.1 (0.043)
0.9 (0.035)
0.9 (0.035)
1.1 (0.043)
ø5.3 (0.209)
ø5.6 (0.220)
spacing
2.54 (0.100)
ø0.45 (0.018)
(2.7 (0.106)) Chip position
12.5 (0.492)
14.5 (0.571)
SFH 481
0.9 (0.035)
12.5 (0.492)
5.0 (0.197)
14.5 (0.571)
5.3 (0.209) lens
glass
5.0 (0.197)
5.5 (0.216)
ø0.45 (0.018)
2.54 (0.100)
(2.7 (0.106))
welded
spacing
Chip position
ø4.8 (0.189)
ø4.6 (0.181)
ø5.6 (0.220)
ø5.3 (0.209)
GETY6013
Cathode
Anode
0.9 (0.035)
1.1 (0.043)
1.1 (0.043)
= SFH 482
= SFH 402, BPX 65
(package)
SFH 482
SFH 480, SFH 481, SFH 482
2008-11-25 9
Lötbedingungen
Soldering Conditions
Wellenlöten (TTW) (nach CECC 00802)
TTW Soldering (acc. to CECC 00802)
Published by
OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Wernerwerkstrasse 2, D-93049 Regensburg
www.osram-os.com
© All Rights Reserved.
The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics.
Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain
dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization.
Packing
Please use the recycling operators known to you. We can also help you – get in touch with your nearest sales office.
By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing
material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs
incurred.
Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical
components 1 , may only be used in life-supp ort devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS.
1 A critical componen t is a component usedin a life-support device or syste m whose failure can reasonably be expected
to cause the failure of that life-support devic e or system, or to a ffect its safety or e ffectiveness of that device or system.
2 Life support devices or syste ms are intended (a) to be implanted in the human body, o r (b) to support and/or maintain
and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the us er may be endangered.
OHLY0598
0
050 100 150 200 250
50
100
150
200
250
300
T
t
C
s
235 C
10 s
C... 260
1. Welle
1. wave
2. Welle
2. wave
5 K/s 2 K/s
ca 200 K/s
CC... 130100
2 K/s Zwangskühlung
forced cooling
Normalkurve
standard curve
Grenzkurven
limit curves
