NPN SILICON TRANSISTORS, PLANAR TRANSISTORS NPN SILICIUM, PLANAR Compl. of BD 136, BD 138 BD 135 BD 137 These transistors are intended for a wide variety of medium power complementary symetry appti- cations : Hi-Fi driver, AF output amplifier up to 5 watt, convergence circuit in cotor TV, vertical deviation in black and white TV. Ces transistors sont destins 4 une large gamme dappli- cations dans le domaine des amplificateurs moyenne puissance 4 symtrie complmentaire notamment : driver dampli Hi-Fi, tages de sortie BF jusqua 5 W, circuit de convergence en tlvision couleur, balayage image en tlvision noir et blanc. PRELIMINARY DATA NOTICE PRELIMINAIRE Vv 45V BD 135 CEO 60V_ BD 137 Prot 65W Rth(j-c) 10C/W max hg4_(150 mA) 40 min fr 250 MHz typ Dissipation Plastic case TO-126 See outline drawing CB-16 on last pages Variation de dissipation Boitier plastique Voir dessin cot CB-16 dernires pages 100 \ 75 \ 50 [ \ /) j wt tt 4 Yj I Bo | E o Weight :0,7 g. Collector is connected to case 50 100 150 tease lC} Masse Le colfecteur est refi au bo?tier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) t = 25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION case (Saut indications contraires} BD 135 BD 137 Collector-base voltage Vv Tensian collecteur-base CBO 45 60 v Collector-emitter voltage Vv Tension collecteur-metteur ceo 46 60 Vv Emitter-base voltage Vv. Tension metteur-base EBO 5 5 v Collector current ( Courant collecteur c 0,5 0,5 A Peak collector current = { Courant de crte de collecteur b 10 ns cM 1.5 1 A Power dissipation = 80 P Dissipation de puissance Tease gore tot 6.5 6,5 w Junction temperature t Temprature de jonction max J 125 126 c Storage temperature min t -55 55 C Temprature de stockage max stg +125 +125 C 74-10 V2 q ISON - CSE orm enuconnuc rms 449 SsesHsaery BD 135, BD 137 STATIC CHARACTERISTICS t = 25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES case {Sauf indications contraires} Test conditions ; Conditions de mesure Min. Typ. Max. Veg = 90 100 nA ig =O Collector-base cut-off current i ! Courant rsiduel collecteur-tase Vos = 30V CBO lp =0 10 HA tii) = 125C : Ven =5V Emitter-base cut-off current eB Courant rsiduel metieur-base l = 'EBO 10 HA Collector-emitter breakdown voltage lo =50mA Vv * | BD 136 | 45 Vv Tension de claquage collecteur-metteur 1 B =0 CEO(sus) BD 137 60 Vv Veg =2V CE h 25 le =5mA a1e Static forward current transfer ratio Vor =2V (1) BD 135 40 240 aleur que du rapport de transfert = 15 A direct du courant ic = 150m ha. BD 137} 40 160 = 21E Voce =2V 25 \ = 500 mA c Collector-emitter saturation voltage \o = 500 mA Vv * 05 Vv Tension de saturation collecteur-metteur 'B =50mA CEsat , I = 500 mA Base-emitter vaitage Cc * ~ Tension base-metteur Vee =2V Vee 1,2 Vv DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES {pour petits signaux) Voce = 5V Transition frequency = f frquence de transition \ 50 mA T 260 Miz f = 100 MHz THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES dunction-ambient therma! resistance Russ ort Rsistance thermique (janction-ambiante} th{i-a) 100 ciw Junction-case thermal resistance Rous: Rsistance thermique (janction-baitier} th{j-c) 10 cw (1) Three h21'classes are available on request cl. 6 40- 100 Trois classes de gain son? livrables sur demande ci.10 60-160 cl.16 100-240 ho1_ fatio for a matched pair BD 135/BD 136 or BD 137/BD 138 2161 < Rapport de hy ,~ pour une paire BD 135/BD 136 ou BD 137/BD 138 hoie2 1,6 * Pulsed t, =300 us imputsions 2/2 450