NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS, EPITAXIAL BASE BD 675 ' A TRANSISTORS DARLINGTON SILICIUM NPN, BASE EPITAXIEE BD 677 A BD 679A Compl. of BD 676, A ; BD 678, A; BD 680, A PRELIMINARY DATA NOTICE PRELIMINAIRE These transistors are intended for comple- mentary symetry power amplifiers, audio- 45V BD 675, A drivers, convergence and vertical deflexion VcEO 60V BD 677,A circuits in TV receivers. soVv BD 679, A Amplificateurs de puissance 3 symtrie comple- \ 4A mentaire, drivers, circuits de convergence et de c dflexion verticale dans les rcepteurs TV. Prot 40W Rth(j-c) 2,5 C/W max hoq,_(1,5 -2A) 750 min Dissipation and Ig/pB derating Plastic case TO-126 ~ See outline drawing CB-16 on last pages Variation de dissipation et de I og Boitier plastique Voir dessin cot CB-18 dernires pages 100 =f | INS 75 6. | 60% 50 t a || \e 25 t 9 Weight :0,7g Collector is connected to case 50 100 150 te asgelPC? Masse Le collecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS {LIMITING VALUES) terea = 25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION case {(Sauf indications contraires} BD 675, A BD 677, A BD 679, A Fontion colweteor bees Vso 45 60 80 v Coleco et vl veco | 0 ow | v Tension collecteur metteur Rpe= 1K | Veer 45 60 80 v Eire oe veo jos os 8 | vy Galator cara ic | a 4 4 | a Baw coca in [oor Power dpa vaw=27e | fot | || Juncton emperture mx | 5 |e] Storage temperature min t 55 55 55 C Temprature de stock age max stg +125 +125 +125 C 74-10 1/4 person semconeuereun, 515 SeSesa BD 675, A, BD 677, A, BD 679, A STATIC CHARACTERISTICS t = 25C (Unless otherwise stated} CARACTERISTIQUES STATIQUES case (Saut indications contraires} Test conditions | ; Conditions de mesure Min. Typ. Max. Vee =22,5V | =0 BD 675, A 500 BA B = . Vv =60V Collector-emitter cut-off current CE I Courant rsiduel colecteur-metteur 'p = CEO BD 677,A 500 HA Vee = 40V CE = BD 679A 500 LA ip = Veg =45V 02 in le =0 ' BD 675, A Vog = 45V le = 2 mA ease = 100C pou Yop = 80 V 0,2 | mA lp =0 Collector-base cut-off current I Courant rsiduel collecteur-base CBO BD 677,A 2 mA 0,2 mA BD 679, A 2 mA Emitter-base cut-off current I Courant rsiduel metteur-base EBO 2 mA BD 675, A! 45 Collector-emitter breakdown voltage Ig = 50 mA ViBRICEO BD 677, A} 60 Vv Tension oe claquage collecteur-metteur t B = BD 679, Al 80 * Pulsed ty =300 us 6 <2% impufsions 2/4 516 BD 675, A, BD 677, A, BD 679, A (Unless otherwise stated} STATIC CHARACTERISTICS t = 25C CARACTERISTIQUES STATIQUES case (Sauf indications contraires) Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. BD 675 =3V Vce 7 8 BD 677 | 750 Ic = 15A BD 678 Static forward current transfer ratio * Vafleur statique du rapport de transfert ho, E direct du courant Vog =3V BD 675A Ip =2A BD 677 A| 750 BD 679A = BD 675 lc =15A BD 677 25 V Ig = 0,03 A BD 679 Collector-emitter saturation voltage Vv * Tension de saturation collecteur-metteur CEsat Io =2A BD 675A Ig = 0,04 A BD 677A 2,8 v BD 679A BD 675 Vee SV BD 677 2,5 Vv Ic =L5A BD 679 Base-emitter voltage Vv * Tension base-metteur BE BD 675A Vv 3V cE BD 677A 2.8 Vv lo A BDET9A DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux} q Vv == Junction-case thermal resistance ce~3 f MH Rsistance thermique (jonction-boitier) le =1,5A T 1 z f = 1 MHz THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Transition frequency Renij-c) 25 C/W Frquence de transition " * Pulsed tp =300 us 6 <2% impulsions 3/4 517 BD 675, A, BD 677, A, BD 679, A SAFE OPERATING AREA Aire de fonctionnement de scurit (A) 0,5 0,2 8D 675, A \ BD 677,A ! i 0,1 BD 679, A 0,05 ase = 25C te Continuous Continu 0,02 0,01 1 2 5 10 20 50 VoglV) 4i4 518