Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe 14 W Spitzenleistung Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage 14 W Peak Power SPL LL85 Besondere Merkmale Features * Kleines kostengunstiges Plastik-Gehause * Integriert sind ein FET und Kondensatoren zur Impulsansteuerung * InAlGaAs/GaAs kompressiv verspannte Quantenfilmstruktur * Hochleistungslaser mit Large-Optical-Cavity" (LOC) Struktur * Laserapertur 200 m x 2 m * Schneller Betrieb (< 30 ns Impulsbreite) * Niedrige Versorgungsspannung (< 16 V) * * * * * * * Applications * * * * Anwendungen * * * * Low cost, small size plastic package Integrated FET and capacitors for pulse control Strained InAlGaAs/GaAs QW-structures High power large-optical-cavity laser structure Laser aperture 200 m x 2 m High-speed operation (< 30 ns pulse width) Low supply voltage (< 16 V) Entfernungsmessung Sicherheit, Uberwachung Beleuchtung, Zundung Test- und Messsysteme Range finding Security, surveillance Illumination, ignition Testing and measurement Safety advices Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC 60825-1 "Safety of laser products". Sicherheitshinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare InfrarotStrahlung, die gefahrlich fur das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, mussen gema den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Norm 60825-1 behandelt werden. Typ Type Opt. Spitzenausgangsleistung Opt. Peak Power Wellenlange Wavelength Bestellnummer Ordering Code SPL LL85 14 W 850 nm Q62702P3558 2003-08-11 1 SPL LL85 Grenzwerte (kurzzeitiger Betrieb) (TA = 25 C) Maximum Ratings (short time operation) Parameter Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit min. max. - 16 W 16 V Spitzenausgangsleistung Peak output power Popt Ladespannung Charge voltage VC Gate-Spannung Gate voltage Vg - 14 + 14 V Tastverhaltnis Duty cycle d.c. - 0.1 % Betriebstemperatur Operating temperature Top - 40 + 85 C Lagertemperatur Storage temperature Tstg - 40 + 100 C Lottemperatur (tmax = 10 s) Soldering temperature (tmax = 10 s) Ts - + 260 C 2003-08-11 2 SPL LL85 Optische Kennwerte (TA = 25 C) Optical Characteristics Parameter Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit min. typ. max. Zentrale Emissionswellenlange1) Emission wavelength1) 840 850 860 nm Spektralbreite (Halbwertsbreite)1) Spectral width (FWHM)1) - 4 9 nm Spitzenausgangsleistung1) Peak output power1) Popt 12 14 16 W Anstiegs- und Abfallzeit (10% ... 90%)1), 2) Rise and fall time (10% ... 90%)1), 2) t r, tf 9 23 - - - ns ns Austrittsoffnung Aperture size wxh - 200 x 2 - m2 Strahldivergenz (Halbwertsbreite) parallel zum || pn-Ubergang1) Beam divergence (FWHM) parallel to pn junction1) 12 15 18 Grad deg. Strahldivergenz (Halbwertsbreite) senkrecht zum pn-Ubergang1) Beam divergence (FWHM) perpendicular to pn-junction1) 27 30 33 Grad deg. Temperaturkoeffizient der Wellenlange Temperature coefficient of wavelength / T - 0.25 0.32 nm/K Thermischer Widerstand Thermal resistance Rth - 200 - K/W Einschaltspannung Switch on voltage VG on 4.5 5 14 V Ausschaltspannung Switch off voltage VG off - 14 0 1 V 1) 2) Werte beziehen sich auf folgende Standardbetriebsbedingung: 30 ns Pulsbreite, 1 kHz Pulswiederholrate, 7 V Ladespannung bei 25C Umgebungstemperatur. Values refer to the following standard operating conditions: 30 ns pulse width, 1 kHz pulse repetition rate, 7 V charge voltage at 25 C ambient temperature. Die Schaltgeschwindigkeit ist abhangig von Strom und Geschwindigkeit, mit der die Gate-Kapazitat (typ. 300 pF) des internen Transistors geladen wird. Geringere Anstiegs- und Abfallzeiten erhalt man bei reduzierter optischer Spitzenleistung (siehe Diagramm unten) Switching speed at gate depends on current and speed, charging the gate capacitance (typ. 300 pF) of the internal transistor. Reduced rise and fall times occur at reduced optical peak power (see diagram below) 2003-08-11 3 SPL LL85 Optical output power Popt vs charge voltage Vc Optical spectrum, relative intensity Irel vs. wavelength (Popt = 14 W, tp = 30 ns) (tp = 30 ns) relative intensity I rel 1 0.75 0.5 0.25 0 830 835 840 845 850 855 860 865 wavelength , nm Far-field distribution parallel to junction Irel vs. angle || Far-field distribution perpendicular to junction Irel vs. angle 1 0,75 0,75 Relative intensity I Relative intensity I rel rel 1 0,5 0,5 0,25 0,25 0 0 -30 -20 -10 0 10 20 -50 -40 -30 -20 -10 30 10 20 30 40 50 Angle , de g Angle , de g 2003-08-11 0 4 SPL LL85 Optical pulse form for trigger pulse widths variing from 4 to 80 ns Optical pulse width vs. trigger pulse width using MOSFET driver Elantec EL7104C Optical peak power, fall and rise time vs. pulse width Optical peak power vs. optical pulse energy 2003-08-11 5 SPL LL85 Mazeichnung Package Outlines Mae werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch). 2003-08-11 6