SPLLL85
Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe 14 W Spitzenleistung
Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage 14 W Peak Power
2003-08-11 1
Besondere Merkmale
•Kleines kostengünstiges Plastik-Gehäuse
•Integriert sind ein FET und Kondensatoren zur
Impulsansteuerung
•InAlGaAs/GaAs kompressiv verspannte
Quantenfilmstruktur
•Hochleistungslaser mit „Large-Optical-Cavity“
(LOC) Struktur
•Laserapertur 200µm x 2µm
•Schneller Betrieb (<30ns Impulsbreite)
•Niedrige Versorgungsspannung (<16V)
Anwendungen
•Entfernungsmessung
•Sicherheit, Überwachung
•Beleuchtung, Zündung
•Test- und Messsysteme
Sicherheitshinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-
Strahlung, die gefährlich für das menschliche
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile
enthalten, müssen gemäß den Sicherheits-
richtlinien der IEC-Norm 60825-1 behandelt
werden.
Typ
Type Opt. Spitzenausgangsleistung
Opt. Peak Power Wellenlänge
Wavelength Bestellnummer
Ordering Code
SPL LL85 14 W 850 nm Q62702P3558
Features
•Low cost, small size plastic package
•Integrated FET and capacitors for pulse control
•Strained InAlGaAs/GaAs QW-structures
•High power large-optical-cavity laser structure
•Laser aperture 200µm x 2µm
•High-speed operation (<30ns pulse width)
•Low supply voltage (<16V)
Applications
•Range finding
•Security, surveillance
•Illumination, ignition
•Testing and measurement
Safety advices
Depending on the mode of operation, these
devices emit highly concentrated non visible
infrared light which can be hazardous to the
human eye. Products which incorporate these
devices have to follow the safety precautions
given in IEC 60825-1 “Safety of laser products”.
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SPLLL85
Grenzwerte (kurzzeitiger Betrieb) (TA = 25 °C)
Maximum Ratings (short time operation)
Parameter
Parameter Symbol
Symbol Werte
Values Einheit
Unit
min. max.
Spitzenausgangsleistung
Peak output power Popt – 16 W
Ladespannung
Charge voltage VC16 V
Gate-Spannung
Gate voltage Vg– 14 + 14 V
Tastverhältnis
Duty cycle d.c. –0.1 %
Betriebstemperatur
Operating temperature Top - 40 + 85 °C
Lagertemperatur
Storage temperature Tstg - 40 + 100 °C
Löttemperatur (tmax = 10 s)
Soldering temperature (tmax = 10 s) Ts–+ 260 °C
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Optische Kennwerte (TA = 25 °C)
Optical Characteristics
Parameter
Parameter Symbol
Symbol Werte
Values Einheit
Unit
min. typ. max.
Zentrale Emissionswellenlänge1)
Emission wavelength1) λ840 850 860 nm
Spektralbreite (Halbwertsbreite)1)
Spectral width (FWHM)1) ∆λ –49nm
Spitzenausgangsleistung1)
Peak output power1) Popt 12 14 16 W
Anstiegs- und Abfallzeit (10% … 90%)1), 2)
Rise and fall time (10% … 90%)1), 2) tr,
tf
9
23 -
-–
–ns
ns
Austrittsöffnung
Aperture size w × h–200 × 2 –µm2
Strahldivergenz (Halbwertsbreite) parallel zum
pn-Übergang1)
Beam divergence (FWHM) parallel to pn junction1)
θ|| 12 15 18 Grad
deg.
Strahldivergenz (Halbwertsbreite) senkrecht zum
pn-Übergang1)
Beam divergence (FWHM) perpendicular to
pn-junction1)
θ⊥27 30 33 Grad
deg.
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
Temperature coefficient of wavelength ∂λ / ∂T–0.25 0.32 nm/K
Thermischer Widerstand
Thermal resistance Rth –200 –K/W
Einschaltspannung
Switch on voltage VG on 4.5 5 14 V
Ausschaltspannung
Switch off voltage VG off – 14 01V
1) Werte beziehen sich auf folgende Standardbetriebsbedingung: 30 ns Pulsbreite, 1 kHz Pulswiederholrate, 7 V
Ladespannung bei 25°C Umgebungstemperatur.
Values refer to the following standard operating conditions: 30 ns pulse width, 1 kHz pulse repetition rate, 7 V charge
voltage at 25 °C ambient temperature.
2) Die Schaltgeschwindigkeit ist abhängig von Strom und Geschwindigkeit, mit der die Gate-Kapazität (typ. 300 pF)
des internen Transistors geladen wird. Geringere Anstiegs- und Abfallzeiten erhält man bei reduzierter optischer
Spitzenleistung (siehe Diagramm unten)
Switching speed at gate depends on current and speed, charging the gate capacitance (typ. 300 pF) of the internal
transistor. Reduced rise and fall times occur at reduced optical peak power (see diagram below)
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Optical output power Popt vs charge voltage Vc
(tp = 30 ns)
Far-field distribution parallel to junction
Irel vs. angle θ||
Optical spectrum, relative intensity Irel vs.
wavelength (Popt = 14 W, tp = 30 ns) λ
Far-field distribution perpendicular to
junction Irel vs. angle θ⊥
0
0,25
0,5
0,75
1
-30 -20 -10 010 20 30
Angle, deg
Relative intensity I rel
0
0.25
0.5
0.75
1
830 835 840 845 850 855 860 865
wavelength λ, nm
relative intensity I rel
0
0,25
0,5
0,75
1
-50 -40 -30 -20 -10 010 20 30 40 50
Angle, deg
Relative intensity I rel
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Optical pulse form for trigger pulse widths
variing from 4 to 80 ns
Optical peak power, fall and rise time vs. pulse
width
Optical pulse width vs. trigger pulse width
using MOSFET driver Elantec EL7104C
Optical peak power vs. optical pulse energy
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Maßzeichnung
Package Outlines
Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch).
