NTE5586 & NTE5588
Silicon Controlled Rectifier
for Phase Control Applications
Electrical Characteristics: (Maximum values @ TJ = +125°C unless otherwise specified)
Repetitive Peak Voltages, VDRM & VRRM
NTE5586 600V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5588 1600V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Non–Repetitive Peak Off–State Voltage, VDSM
NTE5586 600V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5588 1600V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Non–Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage, VRSM
NTE5586 700V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5588 1700V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Average On–State Current (Half Sine Wave, TC = +85°C), IT(AV) 226A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
RMS On–State Current, I(RMS) 355A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Continuous On–State Current, IT355A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak One–Cycle, Non–Repetitive Surge Current (10ms Duration), ITSM
60% VRRM reapplied 4650A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
VR ≤ 10V 5120A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum I2t for Fusing (VR ≤ 10V), I2t
10ms Duration 131,000A2sec. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
10ms Duration 97350A2sec. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Forward Gate Current (Anode Positive with Respect to Cathode), IFGM 20A. . . . . . . . . . . . . . .
Peak Forward Gate Voltage (Anode Positive with Respect to Cathode), VFGM 18V. . . . . . . . . . . . . .
Peak Reverse Gate Voltage, VRGM 5V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Average Gate Power, PG2W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Gate Power (100µs Pulse Width), PGM 100W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Rate of Rise of Off–State Voltage (To 80% VDRM, Gate Open), dv/dt 200V/µs. . . . . . . . . . . . . . . . . .
Rate of Rise of ON–State Current, di/dt
(Gate Drive 20V, 20Ω, with tr ≤ 1µs, Anode Voltage ≤ 80% VDRM)
Repetitive 500A/µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Non–Repetitive 1000A/µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak On–State Voltage (ITM = 710A), VTM 1.62V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Forward Conduction Threshold Voltage, VO0.92V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Forward Conduction Slope Resistance, r 0.99mΩ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Repetitive Peak Off–State Current (At VDRM), IDRM 20mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Repetitive Peak Reverse Current (At VRRM), IRRM 20mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Gate Current Required to Fire All Devices (VA = 6V, IA = 2A, TJ = +25°C), IGT 150mA. .
Maximum Gate Voltage Required to Fire All Devices (VA = 6V, IA = 2A, TJ = +25°C), VGT 3V. . . . .
Maximum Holding (VA = 6V, IA = 2A, TJ = +25°C), IH600mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Gate Voltage which will not Trigger any Device, VGD 0.25V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Electrical Characteristics (Cont’d): (Maximum values @ TJ = +125°C unless otherwise specified)
Operating Temperature Range, TC–40° to +125°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, Tstg –40° to +150°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, Junction–to–Case (VF = Max Rating), RtnJC
DC and 180° Sine wave 0.12°C/W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
120° Rectangular wave 0.14°C/W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, Case–to–Heat Sink, RthC–HS 0.04°C/W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
ÇÇÇ
ÇÇÇ
ÇÇÇ
.350 (8.89)
Dia Max
Gate
(White)
3.625
(92.07)
Max
8.100
(205.74)
Max
(Terminals
1, 2, & 3)
.630 (16.0)
3/4–16 UNF–2A
(Terminal 4)
.643 (16.35)
1.212 (30.8)
Dia Max
1.031 (26.18) Dia
(Ceramic)
Cathode
Cath-
ode
(Red)
Anode
1.077 (27.35) Max
.156 (3.96) Max
1.443 (36.68) Max
(Across Corners)
For No. 6 ScrewFor No. 6 Screw
