Transistors NPN silicium Epitaxiaux NPN silicon transistors Epitaxial * 2N 2368 *2N 2369 - Amplification HF petits signaux HF small signal amplification - Commutation rapide faible courant Low current fast switching Dissipation de puissance maximale Maximum power dissipation Prot (w) 1,2 { 1 08 N\ Nw 0,4 NI ro (1) -~ tamblC) (1) 50 100150200 tease (C) (2) *K Dispositit recommand Pretered de Donnes principales Principal features VcEo 15V Ic 200 mA {20 - 60 2N 2368 haie (10MA) 40 - 120 2N 2369 ooo MHz 2N 2368 fr 500 MHz 2N 2369 Boitier T0-18 Case cC Je Le collecteur est reli au boitier Collector is connected to case SeseaSsenny Soctte Europtenne de Semiconducteurs 1 de Microglectronique Valeurs limites absolues d'utilisation a tamb= 25 ne dicat traires) / auf indications contraires Absolute ratings (limiting values} (Unless otherwise spenitied) 1 Tension coltecteur-base Collector-base vaitage Veso 40 Vv Tension coflecteur-metteur Collector-emitter voltage Voces 40 v Tension collecteur-metteur Collector-emitter voitage VcEo 15 v Tension metteur-base Emitter-base voltage VeBo 45 Vv Courant collecteur Ic 200 mA Coll t olfector curren tp =10 MS lom 500 Dissipation de puissance tamb = 26C (1) Pp 0,36 Ww Power dissipation tease = 25C (2) tot 1,2 Temprature de jonction . Junction temperature max. 200 c Temprature de stockage min. t - 65 C Storage temperature max. stg +200 1970-03 1/72N 2368 * 2N 2369 * Caractristiques gnrales @ tambh = 25C General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics (Sauf indications contraires ) (Unless otherwise specified} Paramtre Conditions de mesure Min. |: Typ. | Max. | Parameter Test conditions Min Typ.) lax: | =0 v, 20V 0.4 Courant rsiduei collecteur-base cB = Len uA Collector-base cut-off current I =0 t CBO E amb 5 30 Yop =20V 150C I =0 Tension de claquage collecteur-base E Vv 40 V Collector-base breakdown voltage Iq =10uA (BR)CBO Vac =0 BE = Viarjces| 4 ln =10pnA Tension de claquage collecteur-metteur c Vv Collector-emitter breakdown voltage ip = * v 15 lo = 10mA (BR)CEO ! = Tension de claquage metteur-base c Emitter-base breakdown voltage ie = 10 uA ViBR)EBO 45 v lo = 10mA 2N 2368 20 60 Vce =1V 2N 2369 40 120 Valeur statique du rapport de transfert Io = 100mA | 2N 2368 h * 10 irect du courant p Static forward current transfer ratio Vee =2V 2N 2369 21E 20 lo =10 mA tamb 2N 2368 10 Voce =1V 55C} 2N 2369 20 ! =10mA Tension de saturation collecteur-metteur c m Vv 016/025} Vv Collector-emitter saturation valtege lp -1mA CEsat . =1 A Tension de saturation base-metteur Ic om Vv 07 035|/ Vv Base-emitter saturation voltage Ip =1mA BEsat , Impulsions tp= 300us Pulsed 8 < 2% 2/7*2N 2368 * 2N 2369 Caractristiques gnrales a tamb = 25C General characteristics Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Dynamic characteristics {for smal! signals} Paramtre: Conditions de mesure Min. | Typ.-| Max. Parameter fest conditions Min. | Typ: | Max. Fr 4 . Ic = 10mA | on 2368 400 | 600 rquence de transition = Transition frequency Voce 10Vv fr MHz f = 100MHz | 2N 2369 500 | 700 Yop =5V Capacit de sortie = . Output capacitance le =0 Coon 25 4 pF f = 1 MHz Caractristiques de commutation Switching characteristics lo = 10mA Temps total ctablissement (fig. 1) x Turon time 9 'p 3mA tyrt, 8 12 ns Vee -15V + g fig. 1) le 10mMA | on 2368 1 | 15 emps total de coupure ig. = Turmoft time p (fig ig, = 3mA torte ns ww 2N 2369 14 18 Igo = -1,5 mA neterd & Ie %10mMA | on 2368 5 | 10 etard a la dcroissance (fig. 2 ~ Storage time 9 Ig, % 10mA t ns 2N 2369 6 13 3/72N 2368 * 2N 2369 * Schmas de mesures des temps de commutation Switching times tests circuit Figure 1 220.9 01 uF Vv a V2 Gnrateur ' S00 Oscilloscope Generator - Oscilloscope 2,3 0F Z =802 5 aF Z=50 < lns 3 A t< Ins 0,3 uF 0,1 wF tp= 300 ns +{}; pa be 2% Von At ar_3V t. + t% _ voce ay 0 on Vag et 12V eB A / v Vv, =-18Vv V, =+15V 4 10% 1 1 P90 \i90 |Y2 v / Figure 2 Vo v : Gnrateur } OsciHoscope Generator Oscilloscope z =502 e Z=502 tS Tas 3 1s Ins tp= 300 ns 5<2% Signal au point A + 6V 10% Signal at point A o- Vi Signal dentre 0 -4VvV input signal \ vy -10V Signal de sortie Output signal 4/7*2N 2368 *2N 2369 Caractristiques statiques Static characteristics (mesures en impulsions) {pulse tests} 2N 2368 1g (mA) 150 = 25 100 tamb = 25C 50 0 5 10. 45 Veg (V) 12 3. 4 Voge (v) Pore ex Vee (VI herd t 80 Len} 1 IN 1 0.8 ~ 60 = N Le" so 0.6 Ly DN 0.4 Jno | 5C oT aa [4 om 0 Yop $V 0 0.07 of 12 310 1g (ma) 001 0.1 12.510 Ig (ma) Vogsat V) 0.5 0.4 0.3 0.2 O14 0 0.11 of 12 5 10 100 I, (mA} S/72N 2368 * 2N 2369* Caractristiques statiques Statice characteristics {mesures en impulsions) (pulse tests} 2N 2369 lo {mA} VBE 01 42 510 tq (ma) 1 42 5 10 100 1, (mA)*2N 2368 *2N 2369 Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Dynamic characteristics (far small signals} 2N 2368 2N 2369 Igima} 1 fr =f Veg) 01 02 #05 1 2 5 10 Vog (Vv) 02 Of 14 2 5 Vaelv) cE Caractristiques de commutation Switching characteristics 2N 2368 1 2 5 10 20 50 100 I, (mA) 2N 2369 -t - ad tet (ns) {ns) 2 $0 ig(mA) WT